A pín ìpìlẹ̀ silicon carbide sí oríṣi ìdámẹ́rin àti oríṣi ìdámẹ́rin. Lọ́wọ́lọ́wọ́, ìpìlẹ̀ pàtàkì ti àwọn ọjà silicon carbide semi-insulated jẹ́ 4 inches. Nínú ọjà silicon carbide conductive, ìpìlẹ̀ pàtàkì ti ọjà substrate akọkọ lọ́wọ́lọ́wọ́ jẹ́ 6 inches.
Nítorí àwọn ohun èlò ìsàlẹ̀ ní pápá RF, àwọn ohun èlò SiC tí a fi ìdábùú ṣe àti àwọn ohun èlò epitaxial wà lábẹ́ ìṣàkóso ìtajà láti ọwọ́ Ilé Iṣẹ́ Ìṣòwò ti Amẹ́ríkà. SiC tí a fi ìdábùú ṣe gẹ́gẹ́ bí ohun èlò tí a fẹ́ràn jùlọ fún GaN heteroepitaxy ó sì ní àwọn àǹfààní ìlò pàtàkì nínú pápá máíkrówéfù. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àìbáramu kírísítàlì ti sapphire 14% àti Si 16.9%, àìbáramu kírísítàlì ti àwọn ohun èlò SiC àti GaN jẹ́ 3.4% péré pẹ̀lú ìṣiṣẹ́ ooru gíga ti SiC, LED tí ó ní agbára gíga àti àwọn ohun èlò máíkrówéfù gíga tí ó pèsè ní àwọn àǹfààní ńlá nínú radar, àwọn ohun èlò máíkrówéfù alágbára gíga àti àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ 5G.
Ìwádìí àti ìdàgbàsókè ohun èlò SiC tí a ti fi ìdámẹ́ta ṣe ti jẹ́ àfojúsùn ìwádìí àti ìdàgbàsókè ohun èlò SiC kan ṣoṣo. Àwọn ìṣòro pàtàkì méjì ló wà nínú gbígbin àwọn ohun èlò SiC tí a ti fi ìdámẹ́ta ṣe:
1) Dín àwọn ohun tí ó lè fa ìdọ̀tí fún àwọn olùfúnni N kù tí a fi graphite crucible, ìfàmọ́ra ooru àti ìdènà oògùn sínú lulú;
2) Nígbà tí a ń rí i dájú pé àwọn ohun ìní àti agbára iná mànàmáná ti kristali náà dára, a máa ń fi ohun èlò ìṣiṣẹ́ iná mànàmáná kan sí ibi tí ó jinlẹ̀ láti san àwọn ohun tí ó bàjẹ́ tí ó kù padà.
Lọ́wọ́lọ́wọ́, àwọn olùpèsè tí wọ́n ní agbára ìṣẹ̀dá SiC tí a ti fi ìdábùú ṣe ni SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
Kírísítà SiC conductive ni a máa ń rí nípa fífi nitrogen sínú afẹ́fẹ́ tó ń dàgbà. A máa ń lo ohun èlò ìdarí silicon carbide láti ṣe àwọn ẹ̀rọ agbára, àwọn ẹ̀rọ agbára silicon carbide pẹ̀lú foliteji gíga, ìṣàn omi gíga, ìgbóná gíga, ìgbóná gíga, ìpàdánù kékeré àti àwọn àǹfààní mìíràn tó yàtọ̀, yóò mú kí lílo àwọn ẹ̀rọ agbára tó wà ní silicon dára síi, yóò sì ní ipa tó lágbára lórí agbára ìyípadà agbára tó dára. Àwọn agbègbè ìlò pàtàkì ni àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná/àwọn pọ́ọ̀lù gbigba agbára, agbára tuntun photovoltaic, ọkọ̀ ojú irin, smart grid àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Nítorí pé àwọn ohun èlò agbára ni àwọn ohun èlò agbára nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, photovoltaic àti àwọn pápá mìíràn, àǹfààní ìlò náà gbòòrò sí i, àwọn olùpèsè sì pọ̀ sí i.
Iru kirisita silikoni carbide: A le pin eto deede ti silikoni carbide kristali 4H ti o dara julọ si awọn ẹka meji, ọkan ni iru kiristali silikoni carbide cubic ti eto sphalerite, ti a mọ si 3C-SiC tabi β-SiC, ati ekeji ni eto hexagonal tabi diamond ti eto akoko nla, eyiti o jẹ aṣoju ti 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC, ati bẹbẹ lọ, ti a mọ ni apapọ bi α-SiC. 3C-SiC ni anfani ti resistance giga ninu awọn ẹrọ iṣelọpọ. Sibẹsibẹ, ibaamu giga laarin awọn constants lattice Si ati SiC ati awọn coefficients expansion thermal le ja si nọmba ti o pọju awọn abawọn ninu fẹlẹfẹlẹ epitaxial 3C-SiC. 4H-SiC ní agbára ńlá nínú ṣíṣe àwọn MOSFET, nítorí pé ìdàgbàsókè kristali rẹ̀ àti àwọn ìlànà ìdàgbàsókè ìpele epitaxial rẹ̀ dára jù, àti ní ti ìṣípo elekitironi, 4H-SiC ga ju 3C-SiC àti 6H-SiC lọ, ó ń pèsè àwọn ànímọ́ makirowefu tó dára jù fún 4H-SiC MOSFETs.
Tí ìrúfin bá wà, pa ẹni tí o bá kàn sí wa rẹ́
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Keje-16-2024