Sobusitireti carbide silikoni ti pin si iru idabobo ologbele ati iru adaṣe. Lọwọlọwọ, sipesifikesonu akọkọ ti awọn ọja sobusitireti ohun alumọni carbide ologbele jẹ awọn inṣi 4. Ninu ọja ohun alumọni ohun alumọni conductive, sipesifikesonu ọja sobusitireti akọkọ lọwọlọwọ jẹ awọn inṣi 6.
Nitori awọn ohun elo isale ni aaye RF, awọn sobusitireti SiC ologbele-idaabobo ati awọn ohun elo epitaxial wa labẹ iṣakoso okeere nipasẹ Ẹka Iṣowo ti AMẸRIKA. SiC ti a sọtọ ologbele bi sobusitireti jẹ ohun elo ayanfẹ fun GaN heteroepitaxy ati pe o ni awọn ireti ohun elo pataki ni aaye makirowefu. Ti a ṣe afiwe pẹlu aiṣedeede gara ti safire 14% ati Si 16.9%, aiṣedeede gara ti awọn ohun elo SiC ati GaN jẹ 3.4% nikan. Pọ pẹlu ultra-high thermal conductivity of SiC, Agbara agbara giga LED ati GaN igbohunsafẹfẹ giga ati awọn ẹrọ makirowefu giga ti a pese sile nipasẹ rẹ ni awọn anfani nla ni radar, ohun elo makirowefu agbara giga ati awọn eto ibaraẹnisọrọ 5G.
Iwadi ati idagbasoke ti sobusitireti SiC ologbele-idaabobo nigbagbogbo ti jẹ idojukọ ti iwadii ati idagbasoke ti sobusitireti garasi SiC ẹyọkan. Awọn iṣoro akọkọ meji wa ni idagbasoke awọn ohun elo SiC ologbele-idaabobo:
1) Din awọn impurities olugbeowosile N ti a ṣe nipasẹ graphite crucible, adsorption idabobo gbona ati doping ni lulú;
2) Lakoko aridaju didara ati awọn ohun-ini itanna ti gara, ile-iṣẹ ipele ti o jinlẹ ni a ṣe agbekalẹ lati san isanpada awọn idoti ipele aijinile ti o ku pẹlu iṣẹ itanna.
Ni lọwọlọwọ, awọn aṣelọpọ pẹlu agbara iṣelọpọ SiC ologbele-ti o jẹ pataki SICC Co, Semic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
SiC kristali oniwadi jẹ aṣeyọri nipasẹ abẹrẹ nitrogen sinu bugbamu ti ndagba. Sobusitireti ohun alumọni ohun alumọni jẹ lilo akọkọ ni iṣelọpọ ti awọn ẹrọ agbara, awọn ohun elo agbara ohun alumọni pẹlu foliteji giga, lọwọlọwọ giga, iwọn otutu giga, igbohunsafẹfẹ giga, pipadanu kekere ati awọn anfani alailẹgbẹ miiran, yoo mu ilọsiwaju ti wa tẹlẹ ti ohun alumọni orisun agbara awọn ẹrọ agbara. ṣiṣe iyipada, ni ipa ti o pọju ati ti o jinna lori aaye ti iyipada agbara daradara. Awọn agbegbe ohun elo akọkọ jẹ awọn ọkọ ina mọnamọna / awọn piles gbigba agbara, agbara tuntun fọtovoltaic, irekọja ọkọ oju-irin, akoj smart ati bẹbẹ lọ. Nitori isalẹ ti awọn ọja ifọnọhan jẹ awọn ẹrọ agbara ni awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, fọtovoltaic ati awọn aaye miiran, ifojusọna ohun elo jẹ gbooro, ati pe awọn olupilẹṣẹ pọ si.
Silicon carbide crystal type: Ilana aṣoju ti ohun alumọni ohun alumọni 4H ti o dara julọ le pin si awọn ẹka meji, ọkan ni iru silikoni carbide crystal iru ti sphalerite, ti a mọ ni 3C-SiC tabi β-SiC, ati ekeji ni hexagonal. tabi ọna diamond ti ilana akoko nla, eyiti o jẹ aṣoju ti 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC, ati bẹbẹ lọ, ti a mọ ni apapọ bi α-SiC. 3C-SiC ni anfani ti resistance giga ni awọn ẹrọ iṣelọpọ. Bibẹẹkọ, aiṣedeede giga laarin awọn iduro lattice Si ati SiC ati awọn ilodisi imugboroja gbona le ja si nọmba nla ti awọn abawọn ninu Layer epitaxial 3C-SiC. 4H-SiC ni agbara nla ni iṣelọpọ MOSFETs, nitori idagbasoke gara rẹ ati awọn ilana idagbasoke Layer epitaxial dara julọ, ati ni awọn ofin ti arinbo elekitironi, 4H-SiC ga ju 3C-SiC ati 6H-SiC, pese awọn abuda makirowefu to dara julọ fun 4H -SiC MOSFETs.
Ti irufin ba wa, kan si paarẹ
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Keje-16-2024