Kì í ṣe pé ohun èlò ìṣiṣẹ́ irinṣẹ́ silicon (SiC) jẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ pàtàkì fún ààbò orílẹ̀-èdè nìkan, ó tún jẹ́ ohun èlò pàtàkì fún àwọn ilé-iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ àti agbára kárí ayé. Gẹ́gẹ́ bí ìgbésẹ̀ pàtàkì àkọ́kọ́ nínú iṣẹ́ SiC kan ṣoṣo-kristal, gígé wafer ní tààrà ń pinnu dídára títẹ̀ àti dídán tí ó tẹ̀lé e. Àwọn ọ̀nà gígé ìbílẹ̀ sábà máa ń mú kí àwọn ìfọ́ ojú ilẹ̀ àti ìsàlẹ̀ ilẹ̀ pọ̀ sí i, tí ó ń mú kí ìwọ̀n ìfọ́ wafer pọ̀ sí i àti iye owó ìṣelọ́pọ́. Nítorí náà, ṣíṣàkóso ìbàjẹ́ ìfọ́ ojú ilẹ̀ ṣe pàtàkì fún ìdàgbàsókè iṣẹ́ ẹ̀rọ SiC.
Lọ́wọ́lọ́wọ́, gígé SiC ingot dojúkọ àwọn ìpèníjà pàtàkì méjì:
- Pípàdánù ohun èlò gíga nínú iṣẹ́ gígé oní-wáyà oní-ọ̀pọ̀ ìgbàanì:Líle àti bí ó ṣe le koko jù fún SiC mú kí ó máa yí padà nígbà tí a bá ń gé e, lílọ e, àti lílo ewéko. Gẹ́gẹ́ bí ìwádìí Infineon, lílo ewéko oní-wáyà oní-dáyámọ́ńdì tí a fi résínì ṣe àtúnṣe máa ń ní 50% nínú lílo ewéko náà, pẹ̀lú gbogbo àdánù wafer kan ṣoṣo tí ó dé ~ 250 μm lẹ́yìn tí a bá ti gé e, èyí tí ó sì ń fi ohun èlò tí a lè lò sílẹ̀ díẹ̀.
- Ṣiṣe ṣiṣe kekere ati awọn iyipo iṣelọpọ gigun:Àwọn ìṣirò ìṣẹ̀dá kárí ayé fihàn pé ṣíṣe àwọn wafer 10,000 nípa lílo gígé oní-wáyà púpọ̀ fún wákàtí 24 máa ń gba tó ọjọ́ 273. Ọ̀nà yìí nílò àwọn ohun èlò àti àwọn ohun èlò tó pọ̀ nígbàtí ó ń mú kí ojú ilẹ̀ ríru àti ìbàjẹ́ (eruku, omi ìdọ̀tí).
Láti yanjú àwọn ìṣòro wọ̀nyí, ẹgbẹ́ Ọ̀jọ̀gbọ́n Xiu Xiangqian ní Yunifásítì Nanjing ti ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ohun èlò ìgé lésà tó péye fún SiC, wọ́n ń lo ìmọ̀ ẹ̀rọ lésà tó yára láti dín àbùkù kù àti láti mú kí iṣẹ́ náà pọ̀ sí i. Fún ingot SiC 20-mm, ìmọ̀ ẹ̀rọ yìí mú kí iṣẹ́ wafer pọ̀ sí i ní ìlọ́po méjì ju iṣẹ́ gígé wáyà ìbílẹ̀ lọ. Ní àfikún, àwọn wafer tí a fi lésà gé fi hàn pé wọ́n ní ìṣọ̀kan onígun mẹ́rin, èyí tó ń mú kí wọ́n dín sísanra wọn kù sí 200 μm fún wafer kọ̀ọ̀kan, èyí sì tún ń mú kí iṣẹ́ náà pọ̀ sí i.
Awọn anfani pataki:
- A ti pari iwadi ati idagbasoke lori awọn ohun elo apẹẹrẹ nla, ti a fọwọsi fun gige awọn wafer SiC semi-insulating 4-6-inch ati awọn ingots SiC conductive 6-inch.
- Gígé ingot ingot inṣi 8 wa labẹ idanwo.
- Àkókò pípẹ́ tí a fi gé e kúrú gan-an, ìṣẹ̀jáde ọdọọdún tó ga jù, àti ìdàgbàsókè ìṣẹ̀jáde tó ju 50% lọ.
Sẹ́ẹ̀tì SiC ti XKH ti irú 4H-N
Agbara ọjà:
Ohun èlò yìí ti ṣetán láti di ojútùú pàtàkì fún gígé ingot SiC ingot 8-inch, tí àwọn ilé iṣẹ́ Japan ń kó wọlé pẹ̀lú owó gíga àti àwọn ìdíwọ́ láti kó jáde. Ìbéèrè fún ẹ̀rọ gígé/dínkù lésà nílé ju ẹgbẹ̀rún kan lọ, síbẹ̀ kò sí àwọn ohun èlò mìíràn tí àwọn ará China ṣe. Ìmọ̀-ẹ̀rọ Yunifásítì Nanjing ní ìníyelórí ọjà àti agbára ọrọ̀-ajé ńlá.
Ibamu pẹlu ọpọlọpọ awọn ohun elo:
Yàtọ̀ sí SiC, àwọn ohun èlò náà ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ṣíṣe ẹ̀rọ laser fún gallium nitride (GaN), aluminum oxide (Al₂O₃), àti diamond, èyí tí ó ń mú kí àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́ rẹ̀ gbòòrò sí i.
Nípa ṣíṣe àtúnṣe sí iṣẹ́ ìṣiṣẹ́ wafer SiC, ìṣẹ̀dá tuntun yìí ń yanjú àwọn ìṣòro pàtàkì nínú iṣẹ́ ìṣẹ̀dá semiconductor nígbàtí ó bá àwọn àṣà àgbáyé mu sí àwọn ohun èlò tí ó ní agbára gíga.
Ìparí
Gẹ́gẹ́ bí olórí ilé iṣẹ́ nínú ṣíṣe ohun èlò ìpìlẹ̀ silicon carbide (SiC), XKH ṣe àmọ̀jáde ní pípèsè àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 2-12-inch (pẹ̀lú irú 4H-N/SEMI, irú 4H/6H/3C) tí a ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ fún àwọn ẹ̀ka ìdàgbàsókè gíga bíi àwọn ọkọ̀ agbára tuntun (NEVs), ibi ìpamọ́ agbára photovoltaic (PV), àti ìbánisọ̀rọ̀ 5G. Nípa lílo ìmọ̀ ẹ̀rọ ìpìlẹ̀ wafer oníwọ̀n pàdánù díẹ̀ àti ìmọ̀ ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ tí ó péye, a ti ṣe àṣeyọrí ìṣẹ̀dá àwọn ohun èlò 8-inch àti àwọn àṣeyọrí nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdàgbàsókè crystal SiC oníwọ̀n 12-inch conductive, èyí tí ó dín iye owó ìpìlẹ̀ kọ̀ọ̀kan kù ní pàtàkì. Ní títẹ̀síwájú, a ó máa tẹ̀síwájú láti mú kí ìpìlẹ̀ laser ìpele ingot àti àwọn ìlànà ìṣàkóso wahala tí ó ní òye pọ̀ sí i láti gbé ìyọrísí substrate 12-inch ga sí àwọn ipele ìdíje kárí ayé, láti fún ilé iṣẹ́ SiC ní agbára láti fọ́ àwọn monopolies kárí ayé àti láti mú kí àwọn ohun èlò tí ó wúwo yára sí i ní àwọn agbègbè gíga bíi àwọn chips onípele ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ àti àwọn ohun èlò agbára olupin AI.
Sẹ́ẹ̀tì SiC ti XKH ti irú 4H-N
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹjọ-15-2025