Àwọn Semiconductors ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ìpìlẹ̀ fún àkókò ìwífún, pẹ̀lú gbogbo ìyípadà ohun èlò tí ó ń tún ṣe ààlà ìmọ̀-ẹ̀rọ ènìyàn. Láti ìran àkọ́kọ́ àwọn semiconductors tí a fi silicon ṣe sí àwọn ohun èlò bandgap ìran kẹrin lónìí, gbogbo ìlọsíwájú ìyípadà ti mú kí àwọn ìlọsíwájú ìyípadà wáyé nínú ìbánisọ̀rọ̀, agbára, àti ìkọ́ǹpútà. Nípa ṣíṣàyẹ̀wò àwọn ànímọ́ àti ìrònú ìyípadà ìran àwọn ohun èlò semiconductors tí ó wà, a lè sọ àsọtẹ́lẹ̀ àwọn ìtọ́sọ́nà tí ó ṣeé ṣe fún àwọn semiconductors ìran karùn-ún nígbà tí a ń ṣe àwárí àwọn ipa ọ̀nà ètò China ní agbègbè ìdíje yìí.
I. Àwọn Ànímọ́ àti Ìrònú Ìdàgbàsókè ti Ìran Mẹ́rin Semiconductor
Àwọn amúṣẹ́dá Semiconductor ìran àkọ́kọ́: Ìgbà Ìpìlẹ̀ Silicon-Germanium
Àwọn Ànímọ́: Àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ bíi silicon (Si) àti germanium (Ge) ní agbára ìnáwó àti àwọn ìlànà ìṣelọ́pọ́ tó dàgbà, síbẹ̀ wọ́n ní àwọn àlàfo tó dín (Si: 1.12 eV; Ge: 0.67 eV), èyí tó ń dín ìfaradà fóltéèjì àti iṣẹ́ ìgbóná gíga kù.
Àwọn Ohun Èlò: Àwọn ìṣiṣẹ́ tí a ti ṣepọ, àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn, àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́-kekere/ìgbohùn-ìgbohùn-kékeré.
Awakọ Iyipada: Ibere ti n pọ si fun iṣẹ igbohunsafẹfẹ giga/iwọn otutu giga ninu optoelectronics ju awọn agbara silicon lọ.
Àwọn amúṣẹ́dá Semiconductor ìran kejì: Ìyípadà àpapọ̀ III-V
Àwọn Ànímọ́: Àwọn àdàpọ̀ III-V bíi gallium arsenide (GaAs) àti indium phosphide (InP) ní àwọn bandgaps gbígbòòrò (GaAs: 1.42 eV) àti ìṣíkiri elekitironi gíga fún àwọn ohun èlò RF àti photonic.
Àwọn ohun èlò: Àwọn ẹ̀rọ RF 5G, àwọn diódì lésà, ìbánisọ̀rọ̀ sátẹ́láìtì.
Àwọn ìpèníjà: Àìtó ohun èlò (ọ̀pọ̀lọpọ̀ indium: 0.001%), àwọn èròjà olóró (arsenic), àti owó ìṣẹ̀dá gíga.
Awakọ Iyipada: Awọn ohun elo agbara/agbara ti a beere fun pẹlu awọn folti fifọ giga.
Àwọn amúṣẹ́dá Semiconductor ìran kẹta: Ìyípadà Agbára Bandgap Wide
Àwọn Ànímọ́: Silikoni carbide (SiC) àti gallium nitride (GaN) ń fúnni ní àwọn àlàfo tí ó ju 3eV lọ (SiC:3.2eV; GaN:3.4eV), pẹ̀lú agbára ìgbóná tí ó ga jùlọ àti àwọn ànímọ́ ìgbóná tí ó ga jùlọ.
Àwọn ohun èlò: EV powertrains, PV inverters, 5G infrastructures.
Àwọn Àǹfààní: Ìfipamọ́ agbára tó ju 50% lọ àti ìdínkù ìwọ̀n 70% dípò sílíkọ́nì.
Awakọ Iyipada: Iṣiro AI/kuatomu nilo awọn ohun elo pẹlu awọn wiwọn iṣẹ ṣiṣe to gaju.
Àwọn Semiconductor ìran kẹrin: Ìpínlẹ̀ Bandgap Ultra-Wide
Àwọn Ànímọ́: Gallium oxide (Ga₂O₃) àti diamond (C) ń ṣe àṣeyọrí àwọn àlàfo tó tó 4.8eV, wọ́n sì ń so resistance on-low ultra-low pọ̀ mọ́ ifarada folti kV-class.
Àwọn ohun èlò: Àwọn ICs alágbára-gíga, àwọn olùṣàwárí UV jíjìn, ìbánisọ̀rọ̀ kuantum.
Àwọn Àṣeyọrí: Àwọn ẹ̀rọ Ga₂O₃ dúró ṣinṣin ju 8kV lọ, èyí sì mú kí iṣẹ́ SiC pọ̀ sí i ní ìlọ́po mẹ́ta.
Ìrònú Ìdàgbàsókè: Àwọn ìfòpin sí iṣẹ́-ṣíṣe ìwọ̀n-kùánmù ni a nílò láti borí àwọn ààlà ara.
I. Awọn aṣa Semiconductor iran karun-un: Awọn ohun elo Quantum & Awọn architectures 2D
Awọn okunfa idagbasoke ti o ṣeeṣe pẹlu:
1. Àwọn ohun èlò ìdènà ilẹ̀: Ìdarí ojú ilẹ̀ pẹ̀lú ìdènà ìdàpọ̀ gbogbogbòò ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ itanna òfo padánù.
2. Àwọn Ohun Èlò 2D: Graphene/MoS₂ ń fúnni ní ìdáhùn THZ-frequency àti ìbáramu ẹ̀rọ itanna tó rọrùn.
3. Àwọn Kàtánọ́mù Dótì àti Àwọn Kírísítà Fọ́tóníkì: Ìmọ̀ ẹ̀rọ Bandgap ń jẹ́ kí ìṣọ̀kan optoelectronic-thermal ṣeé ṣe.
4. Àwọn ohun èlò ìṣàkójọpọ̀ ara-ẹni tí ó dá lórí DNA/protein ló ń so ìmọ̀ nípa ẹ̀dá àti ẹ̀rọ itanna pọ̀.
5. Àwọn Awakọ̀ Pàtàkì: AI, àwọn ìbáṣepọ̀ ọpọlọ-kọ̀ǹpútà, àti àwọn ìbéèrè superconductivity yàrá-iwọ̀n otutu.
II. Àwọn Àǹfààní Semiconductor ti China: Láti ọ̀dọ̀ ọmọlẹ́yìn sí olórí
1. Àwọn Ìmúdàgbàsókè Ìmọ̀-ẹ̀rọ
• Ìran kẹta: Ìṣẹ̀dá àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 8-inch; àwọn ohun èlò SiC MOSFET oníwọ̀n ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ nínú àwọn ọkọ̀ BYD
• Ìran kẹrin: Ga₂O₃ ìtẹ̀síwájú epitaxy 8-inch láti ọwọ́ XUPT àti CETC46
2. Àtìlẹ́yìn Ìlànà
• Ètò Ọdún Márùn-ún Kẹrìnlá ṣe àfiyèsí àwọn semiconductors ìran kẹta
• A ti fi idi eto ile-iṣẹ agbegbe ọgọrun-billion-yuan mulẹ
• Àwọn ohun èlò GaN tó tó ìwọ̀n 6-8 inches àti àwọn transistors Ga₂O₃ wà lára àwọn ìlọsíwájú ìmọ̀ ẹ̀rọ mẹ́wàá tó ga jùlọ ní ọdún 2024.
III. Awọn Ipenija ati Awọn Ojutu Ilana
1. Àwọn ìdènà ìmọ̀-ẹ̀rọ
• Ìdàgbàsókè Kírísítà: Ìrètí kékeré fún àwọn ìlọ́po-ìwọ̀n ńlá (fún àpẹẹrẹ, ìfọ́ Ga₂O₃)
• Àwọn Ìlànà Ìgbẹ́kẹ̀lé: Àìsí àwọn ìlànà tí a ti gbé kalẹ̀ fún àwọn ìdánwò ogbó agbára gíga/gíga
2. Àwọn Ààlà Ẹ̀wọ̀n Ipèsè
• Ohun èlò: <20% iye tí a ń kó nílé fún àwọn agbẹ̀ SiC crystal
• Ìgbàṣe: Àṣàyàn ìsàlẹ̀ fún àwọn èròjà tí a kó wọlé
3. Àwọn Ọ̀nà Ìlànà
• Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ Ilé-iṣẹ́ àti Ilé-ẹ̀kọ́ gíga: A ṣe àwòkọ́ṣe rẹ̀ lẹ́yìn “Ìṣọ̀kan Semiconductor ti ìran kẹta”
• Àfojúsùn Àkànṣe: Fi àwọn ìbánisọ̀rọ̀ kuantum/ọjà agbára tuntun sí ipò pàtàkì
• Ìdàgbàsókè Ẹ̀bùn: Ṣètò àwọn ètò ẹ̀kọ́ “Sáyẹ́ǹsì àti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Ṣíìpù”
Láti silicon sí Ga₂O₃, ìtàn ìdàgbàsókè semiconductor ń ṣàkọsílẹ̀ ìṣẹ́gun aráyé lórí àwọn ààlà ara. Àǹfààní China wà nínú kíkọ́ àwọn ohun èlò ìran kẹrin nígbà tí ó ń ṣe aṣáájú àwọn ìdàgbàsókè ìran karùn-ún. Gẹ́gẹ́ bí ọ̀mọ̀wé Yang Deren ti sọ: “Ìdàgbàsókè tòótọ́ nílò ṣíṣe àwọn ipa ọ̀nà tí a kò rìnrìn àjò.” Ìṣọ̀kan ètò ìṣèlú, olówó, àti ìmọ̀ ẹ̀rọ yóò pinnu àyànmọ́ semiconductor ti China.
XKH ti di olùpèsè àwọn ohun èlò ìṣètò tí a ṣe ní ọ̀nà tí ó wọ́pọ̀ tí ó sì ṣe pàtàkì nínú àwọn ohun èlò semiconductor tó ti ní ìlọsíwájú ní ọ̀pọ̀ ìran ìmọ̀ ẹ̀rọ. Pẹ̀lú àwọn agbára pàtàkì tí ó wà ní ìdàgbàsókè kristali, ṣíṣe àgbékalẹ̀ pípéye, àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìbòrí iṣẹ́, XKH ń pèsè àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ gíga àti àwọn wafer epitaxial fún àwọn ohun èlò tó gbòòrò nínú ẹ̀rọ itanna agbára, ìbánisọ̀rọ̀ RF, àti àwọn ètò optoelectronic. Ètò ìṣelọ́pọ́ wa ní àwọn ìlànà ìní fún ṣíṣe àwọn wafer silicon carbide 4-8 inch àti gallium nitride wafers pẹ̀lú ìṣàkóso àbùkù ilé iṣẹ́, nígbàtí ó ń ṣe àkóso àwọn ètò R&D tí ń ṣiṣẹ́ nínú àwọn ohun èlò bandgap tí ó ń yọjú pẹ̀lú gallium oxide àti diamond semiconductors. Nípasẹ̀ àjọṣepọ̀ ètò pẹ̀lú àwọn ilé ìwádìí àti àwọn olùṣe ẹ̀rọ, XKH ti ṣe àgbékalẹ̀ pẹpẹ ìṣelọ́pọ́ tí ó rọrùn tí ó lè ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ ṣíṣe àwọn ọjà tí ó wọ́pọ̀ àti ìdàgbàsókè pàtàkì ti àwọn ojutu ohun èlò tí a ṣe àdáni. Ìmọ̀ ẹ̀rọ XKH dojúkọ sí ṣíṣe àtúnṣe àwọn ìpèníjà ilé iṣẹ́ pàtàkì bíi mímú kí ìṣọ̀kan wafer ṣiṣẹ́ fún àwọn ẹ̀rọ agbára, mímú ìṣàkóso ooru pọ̀ sí i nínú àwọn ohun èlò RF, àti ṣíṣe àwọn heterostructures tuntun fún àwọn ẹ̀rọ photonic ìran tí ń bọ̀. Nípa sísopọ̀ ìmọ̀ ìjìnlẹ̀ ohun èlò tó ti ní ìlọsíwájú pẹ̀lú agbára ìmọ̀ ẹ̀rọ tó péye, XKH ń jẹ́ kí àwọn oníbàárà borí àwọn ìdíwọ́ iṣẹ́ nínú àwọn ohun èlò àyíká tó gbajúmọ̀, agbára gíga, àti àwọn ohun èlò tó le koko nígbàtí wọ́n ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìyípadà ilé iṣẹ́ semiconductor ti ilẹ̀ sí òmìnira pọ́ọ̀npù ìpèsè tó pọ̀ sí i.
Àwọn wọ̀nyí ni wáfà ìpara XKH tí ó ní 12inchs àti 12inchs SiC substrate:
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹfà-06-2025