Ní ọjọ́ kẹrìndínlógún, Power Cube Semi kéde àṣeyọrí ìdàgbàsókè ti semiconductor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) àkọ́kọ́ ti South Korea.
Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn semiconductors tí ó wà lórí Si (Silicon) tẹ́lẹ̀, SiC (Silicon Carbide) lè kojú àwọn voltage gíga, nítorí náà wọ́n ń pè é ní ẹ̀rọ ìran tí ń bọ̀ tí ó ń darí ọjọ́ iwájú àwọn semiconductors agbára. Ó ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun pàtàkì tí a nílò fún ṣíṣe àgbékalẹ̀ àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ tuntun, bíi ìdàgbàsókè àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná àti ìfẹ̀sí àwọn ibùdó dátà tí ìmọ̀ ọgbọ́n àtọwọ́dá ń darí.
Ilé-iṣẹ́ Power Cube Semi jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìtàn àròsọ kan tí ó ń ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ẹ̀rọ semiconductor power ní ẹ̀ka mẹ́ta pàtàkì: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), àti Ga2O3 (Gallium Oxide). Láìpẹ́ yìí, ilé-iṣẹ́ náà lo Schottky Barrier Diodes (SBDs) tí ó ní agbára gíga fún ilé-iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná kárí ayé ní China, èyí sì gba àmì ẹ̀yẹ fún àwòrán semiconductor àti ìmọ̀ ẹ̀rọ rẹ̀.
Ìtújáde 2300V SiC MOSFET jẹ́ ohun pàtàkì gẹ́gẹ́ bí ọ̀ràn ìdàgbàsókè àkọ́kọ́ ní South Korea. Infineon, ilé-iṣẹ́ semiconductor agbára kárí ayé kan tí ó wà ní Germany, tún kéde ìfilọ́lẹ̀ ọjà 2000V rẹ̀ ní oṣù kẹta, ṣùgbọ́n láìsí ìtòlẹ́sẹẹsẹ ọjà 2300V.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, nípa lílo àpò TO-247PLUS-4-HCC, ó ń mú kí agbára pọ̀ sí i láàrín àwọn apẹ̀rẹ, ó sì ń rí i dájú pé ètò náà ṣeé gbẹ́kẹ̀lé kódà lábẹ́ àwọn ipò ìyípadà foliteji gíga àti àwọn ipò ìyípadà tó le koko.
CoolSiC MOSFET n pese folti asopọ lọwọlọwọ taara ti o ga julọ, ti o mu ki agbara pọ si laisi ilosoke lọwọlọwọ. O jẹ ẹrọ akọkọ ti o wa ni ọja pẹlu folti fifọ ti 2000V, ti o nlo package TO-247PLUS-4-HCC pẹlu ijinna crepage ti 14mm ati clearance ti 5.4mm. Awọn ẹrọ wọnyi ni awọn adanu iyipada kekere ati pe o dara fun awọn ohun elo bii awọn inverters okun oorun, awọn eto ipamọ agbara, ati gbigba agbara ọkọ ina.
Ẹ̀rọ CoolSiC MOSFET 2000V yìí yẹ fún àwọn ẹ̀rọ bọ́ọ̀sì DC tó ní agbára gíga tó tó 1500V DC. Ní ìfiwéra pẹ̀lú 1700V SiC MOSFET, ẹ̀rọ yìí ní agbára overvoltage tó tó fún àwọn ẹ̀rọ DC 1500V. CoolSiC MOSFET náà ní agbára 4.5V, ó sì ní agbára láti lo àwọn diodes ara tó lágbára fún lílo agbára líle. Pẹ̀lú ìmọ̀ ẹ̀rọ ìsopọ̀ .XT, àwọn èròjà wọ̀nyí ní agbára ooru tó dára àti agbára ìdènà ọrinrin tó lágbára.
Ní àfikún sí 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon yóò ṣe ìfilọ́lẹ̀ àwọn diode CoolSiC afikún tí a kó sínú àwọn páálí TO-247PLUS 4-pin àti TO-247-2 ní ìdá mẹ́ta ọdún 2024 àti ìdá mẹ́rin tó kẹ́yìn ọdún 2024, lẹ́sẹẹsẹ. Àwọn diode wọ̀nyí dára fún lílo oòrùn. Àwọn àpapọ̀ ọjà awakọ̀ ẹnu ọ̀nà tó báramu tún wà.
Ẹ̀ka ọjà CoolSiC MOSFET 2000V ti wà lórí ọjà báyìí. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, Infineon ní àwọn pátákó ìṣàyẹ̀wò tó yẹ: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Àwọn olùgbékalẹ̀ lè lo pátákó yìí gẹ́gẹ́ bí pátákó ìdánwò gbogbogbòò láti ṣe àyẹ̀wò gbogbo àwọn CoolSiC MOSFET àti àwọn diode tí a fi ìwọ̀n 2000V ṣe, àti ẹ̀ka ọjà EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx nípasẹ̀ iṣẹ́ dual-pulse tàbí lemọlemọ PWM.
Gung Shin-soo, Olórí Ẹ̀rọ ti Power Cube Semi, sọ pé, “A lè fa ìrírí wa tó wà tẹ́lẹ̀ nínú ìdàgbàsókè àti ìṣẹ̀dá àwọn 1700V SiC MOSFETs sí 2300V.”
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹrin-08-2024