English

Ìtọ́sọ́nà Tó Pọ̀ Sí Ilẹ̀ Sílíkónì Carbide Wafers/SiC Wafer

Àkójọpọ̀ wafer SiC

 Àwọn wafers silikoni carbide (SiC)ti di ohun tí a yàn fún àwọn ẹ̀rọ itanna oníná tí ó ní agbára gíga, ìgbóná gíga, àti ìwọ̀n otútù gíga ní gbogbo ẹ̀ka ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, agbára tí a lè sọ di tuntun, àti àwọn ẹ̀ka afẹ́fẹ́. Àkójọpọ̀ wa bo àwọn polytypes pàtàkì àti àwọn ètò doping—nitrogen-doped 4H (4H-N), high-purity semi-insulating (HPSI), nitrogen-doped 3C (3C-N), àti p-type 4H/6H (4H/6H-P)—tí a ń pèsè ní àwọn ìpele dídára mẹ́ta: PRIME (àwọn ohun èlò tí a ti yọ́ dáadáa, tí a ti yọ́ dáadáa), DUMMY (tí a ti yọ́ látà tàbí tí a kò ti yọ́ fún àwọn ìdánwò ìlànà), àti RESEARCH (àwọn ìpele epi àdáni àti àwọn profaili doping fún R&D). Àwọn ìpele wafer gùn ún 2″, 4″, 6″, 8″, àti 12″ láti bá àwọn irinṣẹ́ àtijọ́ àti àwọn ohun èlò ìtẹ̀síwájú mu. A tún ń pèsè àwọn boules monocrystalline àti àwọn kirisita irugbin tí ó dúró ní pàtó láti ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè kirisita inú ilé.

Àwọn wafers 4H-N wa ní àwọn iwuwo gbigbe láti 1×10¹⁶ sí ​​1×10¹⁹ cm⁻³ àti àwọn resistance ti 0.01–10 Ω·cm, tí ó ń fúnni ní ìrìn àjò elekitironi tó dára àti àwọn pápá ìfọ́ tí ó wà lókè 2 MV/cm—ó dára fún àwọn diodes Schottky, MOSFETs, àti JFETs. Àwọn substrates HPSI ju resistance 1×10¹² Ω·cm lọ pẹ̀lú àwọn iwuwo micropipe tí ó wà ní ìsàlẹ̀ 0.1 cm⁻², èyí tí ó ń rí i dájú pé omi ń jó díẹ̀ fún àwọn ẹ̀rọ RF àti makirowefu. Cubic 3C-N, tí ó wà ní àwọn ọ̀nà 2″ àti 4″, ń jẹ́ kí heteroepitaxy wà lórí silicon, ó sì ń ṣètìlẹ́yìn fún àwọn ohun èlò photonic àti MEMS tuntun. Àwọn wafers P-type 4H/6H-P, tí a fi aluminiomu sí 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, ń mú kí àwọn ayàwòrán ẹ̀rọ afikún rọrùn.

Àwọn wafer SiC wafer, PRIME máa ń lo ìyọ́mọ́ kẹ́míkà àti ẹ̀rọ láti dínkù sí ìwọ̀n ojú ilẹ̀ RMS tí ó kéré sí <0.2 nm, ìyàtọ̀ nínípọn gbogbo lábẹ́ 3 µm, àti ìtẹ̀sí <10 µm. Àwọn substrates DUMMY máa ń mú kí ìṣàkójọpọ̀ àti ìdánwò ìdìpọ̀ yára, nígbà tí àwọn wafer RESEARCH ní ìwọ̀n nínípọn epi-layer ti 2–30 µm àti doping tí a ṣe àdáṣe. Gbogbo àwọn ọjà ni a fọwọ́ sí nípasẹ̀ ìfọ́mọ́ra X-ray (rocking curve <30 arcsec) àti Raman spectroscopy, pẹ̀lú àwọn ìdánwò iná mànàmáná—àwọn ìwọ̀n Hall, ìṣàfihàn C–V, àti ìṣàyẹ̀wò micropipe—tí ó ń rí i dájú pé JEDEC àti SEMI báramu.

A máa ń gbin àwọn ìṣùpọ̀ tó tó 150 mm nípasẹ̀ PVT àti CVD pẹ̀lú ìwọ̀n ìyípadà tó wà ní ìsàlẹ̀ 1×10³ cm⁻² àti iye micropipe tó kéré. A máa ń gé àwọn kirisita irugbin láàrín 0.1° ti c-axis láti rí i dájú pé a lè tún un ṣe àti pé a lè gé wọn dáadáa.

Nípa sísopọ̀ ọ̀pọ̀lọpọ̀ onírúurú, àwọn onírúurú doping, àwọn ìwọ̀n dídára, àwọn ìwọ̀n wafer SiC, àti ìṣẹ̀dá boule àti seed-crystal nínú ilé, pẹpẹ substrate SiC wa ń mú kí àwọn ẹ̀wọ̀n ìpèsè rọrùn, ó sì ń mú kí ìdàgbàsókè ẹ̀rọ yára fún àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn grids ọlọ́gbọ́n, àti àwọn ohun èlò àyíká líle.

Àkójọpọ̀ wafer SiC

 Àwọn wafers silikoni carbide (SiC)ti di ohun tí a yàn fún SiC fún ẹ̀rọ itanna oníná agbára gíga, ìgbóná gíga, àti ìgbóná gíga ní gbogbo ẹ̀ka ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, agbára tí a lè sọ di tuntun, àti àwọn ẹ̀ka afẹ́fẹ́. Àkójọpọ̀ wa bo àwọn polytypes pàtàkì àti àwọn ètò doping—4H-N tí a fi nitrogen ṣe (4H-N), high-purity semi-insulating (HPSI), nitrogen-doped 3C (3C-N), àti p-type 4H/6H (4H/6H-P)—tí a ń pèsè ní àwọn ìpele dídára mẹ́ta: SiC waferPRIME (àwọn ohun èlò tí a fi irin ṣe tí a ti yọ́ dáadáa, tí a fi ẹ̀rọ ṣe), DUMMY (tí a fi omi bò tàbí tí a kò tíì yọ́ fún àwọn ìdánwò ìlànà), àti RESEARCH (àwọn ìpele epi àdáni àti àwọn ìrísí doping fún R&D). Àwọn ìwọ̀n ìlà SiC Wafer gùn ún 2″, 4″, 6″, 8″, àti 12″ láti bá àwọn irinṣẹ́ àtijọ́ àti àwọn ohun èlò ìtajà tó ti pẹ́ mu. A tún ń pèsè àwọn boules monocrystalline àti àwọn kirisita irugbin tí a gbé kalẹ̀ ní pàtó láti ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè kirisita nínú ilé.

Àwọn ìwúwo 4H-N SiC wa ní ìwọ̀n ìrù láti 1×10¹⁶ sí ​​1×10¹⁹ cm⁻³ àti ìwúwo 0.01–10 Ω·cm, tí ó ń fúnni ní ìṣíkiri elekitironi tó dára àti àwọn pápá ìfọ́ tí ó wà lókè 2 MV/cm—ó dára fún àwọn diodes Schottky, MOSFETs, àti JFETs. Àwọn ìṣàlẹ̀ HPSI ju ìwúwo 1×10¹² Ω·cm lọ pẹ̀lú ìwọ̀n micropipe tí ó wà ní ìsàlẹ̀ 0.1 cm⁻², èyí tí ó ń rí i dájú pé ó kéré sí ìjó fún àwọn ẹ̀rọ RF àti makirowefu. Cubic 3C-N, tí ó wà ní àwọn ọ̀nà 2″ àti 4″, ń jẹ́ kí heteroepitaxy wà lórí silicon, ó sì ń ṣètìlẹ́yìn fún àwọn ohun èlò photonic àti MEMS tuntun. Àwọn ìwúwo SiC P-type 4H/6H-P, tí a fi aluminiomu 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, ń mú kí àwọn àgbékalẹ̀ ẹ̀rọ afikún rọrùn.

Àwọn wafer SiC wafer PRIME máa ń lo ìyọ́mọ́ kẹ́míkà àti ẹ̀rọ láti fi ṣe àtúnṣe ojú ilẹ̀ tó kéré sí <0.2 nm RMS, ìyàtọ̀ nínípọn gbogbo rẹ̀ kò ju 3 µm lọ, wọ́n sì máa ń tẹ̀ sí <10 µm. Àwọn substrates DUMMY máa ń mú kí ìṣàkójọpọ̀ àti ìdánwò ìdìpọ̀ yára, nígbà tí àwọn wafer RESEARCH ní ìwọ̀n ìfúnpọ̀ epi-layer tó tó 2–30 µm àti doping tí a ṣe fún wọn. Gbogbo àwọn ọjà ni a fọwọ́ sí nípasẹ̀ ìfọ́mọ́ra X-ray (rocking curve <30 arcsec) àti Raman spectroscopy, pẹ̀lú àwọn ìdánwò iná mànàmáná—àwọn ìwọ̀n Hall, ìṣàfihàn C–V, àti ìṣàyẹ̀wò micropipe—tó ń rí i dájú pé JEDEC àti SEMI báramu.

A máa ń gbin àwọn ìṣùpọ̀ tó tó 150 mm nípasẹ̀ PVT àti CVD pẹ̀lú ìwọ̀n ìyípadà tó wà ní ìsàlẹ̀ 1×10³ cm⁻² àti iye micropipe tó kéré. A máa ń gé àwọn kirisita irugbin láàrín 0.1° ti c-axis láti rí i dájú pé a lè tún un ṣe àti pé a lè gé wọn dáadáa.

Nípa sísopọ̀ ọ̀pọ̀lọpọ̀ onírúurú, àwọn onírúurú doping, àwọn ìwọ̀n dídára, àwọn ìwọ̀n wafer SiC, àti ìṣẹ̀dá boule àti seed-crystal nínú ilé, pẹpẹ substrate SiC wa ń mú kí àwọn ẹ̀wọ̀n ìpèsè rọrùn, ó sì ń mú kí ìdàgbàsókè ẹ̀rọ yára fún àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn grids ọlọ́gbọ́n, àti àwọn ohun èlò àyíká líle.

Àwòrán SiC wafer

Ìwé ìwádìí SiC wafer onírúurú 4H-N 6inch

 

Ìwé ìwádìí àwọn wafers SiC 6inch
Pílámẹ́rà Àmì-ìpín Ipele Z Ipele P Ipele D
Iwọn opin   149.5–150.0 mm 149.5–150.0 mm 149.5–150.0 mm
Sisanra 4H‑N 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm
Sisanra 4H‑SI 500 µm ± 15 µm 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Ìtọ́sọ́nà Wafer   Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <11-20> ±0.5° (4H-N); Ní ìsàlẹ̀: <0001> ±0.5° (4H-SI) Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <11-20> ±0.5° (4H-N); Ní ìsàlẹ̀: <0001> ±0.5° (4H-SI) Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <11-20> ±0.5° (4H-N); Ní ìsàlẹ̀: <0001> ±0.5° (4H-SI)
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù 4H‑N ≤ 0.2 cm⁻² ≤ 2 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù 4H‑SI ≤ 1 cm⁻² ≤ 5 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Àìfaradà 4H‑N 0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Àìfaradà 4H‑SI ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm ≥ 1×10⁵ Ω·cm  
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́   [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ 4H‑N 47.5 mm ± 2.0 mm    
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ 4H‑SI Notch    
Ìyọkúrò Etí     3 mm  
Ìfọ́/LTV/TTV/Tọfà   ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm  
Ríru Àwọn ọmọ Poland Ra ≤ 1 nm    
Ríru CMP Ra ≤ 0.2 nm   Ra ≤ 0.5 nm
Àwọn ìfọ́ etí   Kò sí   Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm, ẹyọ kan ≤ 2 mm
Àwọn Àwo Hex   Agbegbe apapọ ≤ 0.05% Agbegbe apapọ ≤ 0.1% Agbegbe apapọ ≤ 1%
Àwọn Agbègbè Onírúurú   Kò sí Agbegbe apapọ ≤ 3% Agbegbe apapọ ≤ 3%
Àwọn Àfikún Erogba   Agbegbe apapọ ≤ 0.05%   Agbegbe apapọ ≤ 3%
Àwọn ìkọ́ ojú ilẹ̀   Kò sí   Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer
Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́   Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ 0.2 mm fífẹ̀ àti jíjìn   Títí dé àwọn ìṣù 7, ≤ 1 mm ọ̀kọ̀ọ̀kan
TSD (Ìyọkúrò Skru Ìfọ́mọ́ra)   ≤ 500 cm⁻²   Kò sí
BPD (Ìyọkúrò Pẹ̀tẹ́lẹ̀ Ìpìlẹ̀)   ≤ 1000 cm⁻²   Kò sí
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀   Kò sí    
Àkójọ   Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo

Ìwé ìwádìí SiC wafer onírú 4H-N 4inch

 

Ìwé ìwádìí SiC wafer 4 inches
Pílámẹ́rà Ìṣẹ̀dá MPD Òdo Ipele Iṣelọpọ Boṣewa (Ipele P) Ipele D (Ipele D)
Iwọn opin 99.5 mm–100.0 mm
Sisanra (4H-N) 350 µm±15 µm   350 µm±25 µm
Sisanra (4H-Si) 500 µm±15 µm   500 µm±25 µm
Ìtọ́sọ́nà Wafer Ìpín tí kò ní ìpele: 4.0° sí <1120> ±0.5° fún 4H-N; Lórí ìpele: <0001> ±0.5° fún 4H-Si    
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́kírọ́ (4H-N) ≤0.2 cm⁻² ≤2 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́kírọ́ (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Agbara resistance (4H-N)   0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Agbara resistance (4H-Si) ≥1E10 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́   [10-10] ±5.0°  
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́   32.5 mm ±2.0 mm  
Gígùn Pẹpẹ Keji   18.0 mm ±2.0 mm  
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle   Silikoni kọju si oke: 90° CW lati ipilẹ akọkọ ±5.0°  
Ìyọkúrò Etí   3 mm  
LTV/TTV/Tọpa Ààbò ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Ríru Rólándì ≤1 nm; Rólándì ≤0.2 nm   Ra ≤0.5 nm
Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí Kò sí Gígùn àpapọ̀ ≤10 mm; gígùn kan ≤2 mm
Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Agbegbe apapọ ≤0.05% Agbegbe apapọ ≤0.05% Agbegbe apapọ ≤0.1%
Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí   Agbegbe apapọ ≤3%
Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán Agbegbe apapọ ≤0.05%   Agbegbe apapọ ≤3%
Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí   Gígùn àpapọ̀ ≤1 ìwọ̀n ìbúgbà
Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2 mm fífẹ̀ àti jíjìn   5 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga Kò sí    
Ìyípo skru okùn tí ń fa ìfàsẹ́yìn ≤500 cm⁻² Kò sí  
Àkójọ Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo

Ìwé ìwádìí SiC wafer HPSI irú 4 inches

 

Ìwé ìwádìí SiC wafer HPSI irú 4 inches
Pílámẹ́rà Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) Ipele Iṣelọpọ Boṣewa (Ipele P) Ipele D (Ipele D)
Iwọn opin   99.5–100.0 mm  
Sisanra (4H-Si) 500 µm ±20 µm   500 µm ±25 µm
Ìtọ́sọ́nà Wafer Ìpín tí kò ní ìpele: 4.0° sí <11-20> ±0.5° fún 4H-N; Ní ìpele: <0001> ±0.5° fún 4H-Si
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́kírọ́ (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Agbara resistance (4H-Si) ≥1E9 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ (10-10) ±5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ 32.5 mm ±2.0 mm
Gígùn Pẹpẹ Keji 18.0 mm ±2.0 mm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle Silikoni kọju si oke: 90° CW lati ipilẹ akọkọ ±5.0°
Ìyọkúrò Etí   3 mm  
LTV/TTV/Tọpa Ààbò ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Ríru (Ojú C) Àwọn ọmọ Poland Ra ≤1 nm  
Ríru (Ojú Si) CMP Ra ≤0.2 nm Ra ≤0.5 nm
Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí   Gígùn àpapọ̀ ≤10 mm; gígùn kan ≤2 mm
Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Agbegbe apapọ ≤0.05% Agbegbe apapọ ≤0.05% Agbegbe apapọ ≤0.1%
Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí   Agbegbe apapọ ≤3%
Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán Agbegbe apapọ ≤0.05%   Agbegbe apapọ ≤3%
Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí   Gígùn àpapọ̀ ≤1 ìwọ̀n ìbúgbà
Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2 mm fífẹ̀ àti jíjìn   5 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga Kò sí   Kò sí
Ìyọkúrò Skru Okùn Tí A Fi Ń Sopọ̀ ≤500 cm⁻² Kò sí  
Àkójọ   Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí wafer kan ṣoṣo  

Ohun elo wafer SiC

 

  • Àwọn Modulu Agbára SiC Wafer fún Àwọn Inverters EV
    Àwọn MOSFET àti àwọn diodes tí a fi SiC wafer ṣe tí a kọ́ sórí àwọn substrates wafer SiC tí ó ga jùlọ ń fúnni ní àdánù ìyípadà tí ó kéré gan-an. Nípa lílo ìmọ̀ ẹ̀rọ wafer SiC, àwọn modulu agbára wọ̀nyí ń ṣiṣẹ́ ní àwọn foliteji àti àwọn iwọn otutu tí ó ga jùlọ, èyí tí ó ń mú kí àwọn inverters traction tí ó munadoko jù ṣiṣẹ́. Ṣíṣepọ̀ wafer SiC sínú àwọn ìpele agbára ń dín àwọn ìbéèrè ìtútù àti ẹsẹ̀ ìtẹ̀síwájú kù, èyí tí ó ń fi agbára gbogbo agbára ìṣẹ̀dá wafer SiC hàn.

  • Àwọn ẹ̀rọ RF àti 5G tó ní ìgbóná gíga lórí SiC Wafer
    Àwọn amplifiers àti switches RF tí a ṣe lórí àwọn ìpele wafer SiC semi-insulating fi agbára ìdarí ooru àti fóltéèjì ìfọ́ hàn. Substrate wafer SiC dín àdánù dielectric kù ní àwọn ìgbà GHz, nígbàtí agbára ohun èlò wafer SiC yọ̀ǹda fún iṣẹ́ tí ó dúró ṣinṣin lábẹ́ àwọn ipò agbára gíga àti iwọ̀n otútù gíga—tí ó mú kí wafer SiC jẹ́ substrate tí ó yẹ fún àwọn ibùdó ìpìlẹ̀ 5G àti àwọn ètò radar tuntun.

  • Àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ optoelectronic àti LED láti SiC Wafer
    Àwọn LED aláwọ̀ búlúù àti UV tí a gbìn lórí àwọn ohun èlò ìṣàn omi SiC ń jàǹfààní ìbáramu lattice tó dára àti ìtújáde ooru. Lílo wafer SiC ojú C tí a ti tàn yanran ń mú kí àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial kan náà dọ́gba, nígbàtí líle tí ó wà nínú wafer SiC ń mú kí wafer tóbi àti ìdìpọ̀ ẹ̀rọ tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé wà. Èyí mú kí wafer SiC jẹ́ pẹpẹ tí ó dára jùlọ fún àwọn ohun èlò LED tí ó ní agbára gíga àti tí ó pẹ́ títí.

Ìbéèrè àti Ìdáhùn sí àwọn ohun èlò ìfọṣọ SiC

1. Q: Báwo ni a ṣe ń ṣe àwọn wafer SiC?


A:

Àwọn wafer SiC tí a ṣeAwọn Igbesẹ Kikun

  1. Àwọn ìṣẹ́po SiCIgbaradi Ohun elo Aise

    • Lo lulú SiC ti o ni iwọn ≥5N (awọn abawọn ≤1 ppm).
    • Gé e kí o sì fi iná wẹ̀ ẹ́ kí o tó yan án láti mú àwọn èròjà carbon tàbí nitrogen tó kù kúrò.

  1. SiCÌpèsè Irúgbìn Kirisita

    • Mu ege kirisita kan ti 4H-SiC, ge ni ọna itọsọna 〈0001〉 si ~10 × 10 mm².

    • Pílándì tó péye sí Ra ≤0.1 nm àti àmì ìtọ́sọ́nà kírísítà.

  2. SiCÌdàgbàsókè PVT (Ìrìn Àfẹ́fẹ́ Ayé)

    • Fi graphite crucible kún un: ìsàlẹ̀ pẹ̀lú lulú SiC, lórí rẹ̀ pẹ̀lú kirisita irugbin.

    • Yọ kuro lọ si iwọn otutu 10⁻³–10⁻⁵ pẹlu helium mimọ giga ni iwọn otutu 1 atm.

    • Agbegbe orisun ooru si 2100–2300 ℃, ṣetọju agbegbe irugbin tutu 100–150 ℃.

    • Ṣàkóso ìwọ̀n ìdàgbàsókè ní 1–5 mm/h láti ṣe àtúnṣe dídára àti ìṣiṣẹ́.

  3. SiCIngot Annealing

    • Fi SiC ingot tí a ti gbìn sínú rẹ̀ sí iwọ̀n otutu 1600–1800 ℃ fún wákàtí 4–8.

    • Ète: dín àwọn ìdààmú ooru kù kí o sì dín ìfọ́mọ́ra kù.

  4. SiCGígé Wafer

    • Lo gígé waya dáyámọ́ǹdì láti gé ingot náà sí àwọn wafers tí ó nípọn 0.5–1 mm.

    • Dín ìgbọ̀nsẹ̀ àti agbára ẹ̀gbẹ́ kù láti yẹra fún àwọn ìfọ́ kékeré.

  5. SiCWaferLilọ ati didan

    • Lilọ kiri ti ko nipọnláti mú ìbàjẹ́ tí a fi gé igi kúrò (ìwọ̀n líle ~ 10–30 µm).

    • Lilọ lọ daradaraláti dé ibi tí ó tẹ́jú tó ≤5 µm.

    • Ìmọ́lẹ̀ Kẹ́míkà-Ẹ̀rọ (CMP)láti dé ìparí bíi dígí (Ra ≤0.2 nm).

  6. SiCWaferFífọ àti Àyẹ̀wò

    • Ìmọ́tótó Ultrasonicni ojutu Piranha (H₂SO₄: H₂O₂), omi DI, lẹhinna IPA.

    • XRD/Raman spectroscopyláti jẹ́rìí sí polytype (4H, 6H, 3C).

    • Interferometryláti wọn ìrọ̀lẹ́ (<5 µm) àti ìrọ̀lẹ́ (<20 µm).

    • Ìwádìí ojú-ìwé mẹ́rinláti dán ìdènà ara wò (fún àpẹẹrẹ HPSI ≥10⁹ Ω·cm).

    • Àyẹ̀wò àbùkùlábẹ́ microscope ina polarized ati idanwo scratch.

  7. SiCWaferÌpínsísọ̀rí àti Ìtòjọ

    • Tọ́ àwọn wafers nípa irú polytype àti irú electrical:

      • Iru N-4H-SiC (4H-N): ìṣọ̀kan àwọn ohun èlò tí ń gbé nǹkan 10¹⁶–10¹⁸ cm⁻³

      • Ìmọ́tótó Gíga 4H-SiC (4H-HPSI): ìdènà ≥10⁹ Ω·cm

      • Iru N-6H-SiC (6H-N)

      • Àwọn mìíràn: 3C-SiC, irú P, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.

  8. SiCWaferÀkójọ àti Gbigbe Ọjà

    • Fi sinu awọn apoti wafer ti o mọ, ti ko ni eruku.

    • Fi iwọn ila opin, sisanra, iru polytype, ipele resistance, ati nọmba ipele ṣe ami si apoti kọọkan.

      Àwọn ìṣẹ́po SiC

2. Q: Kini awọn anfani pataki ti awọn wafer SiC lori awọn wafer silikoni?


A: Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn wafers silicon, àwọn wafers SiC ń ṣiṣẹ́:

  • Iṣẹ́ folti tó ga jù(>1,200 V) pẹlu resistance to kere ju.

  • Iduroṣinṣin iwọn otutu ti o ga julọ(>300 °C) àti ìṣàkóṣo ooru tó dára síi.

  • Awọn iyara iyipada yiyarapẹlu awọn adanu iyipada kekere, idinku itutu ipele eto ati iwọn ninu awọn iyipada agbara.

4. Q: Àwọn àbùkù wo ló sábà máa ń ní ipa lórí ìṣẹ́ àti iṣẹ́ SiC wafer?


A: Àwọn àbùkù pàtàkì nínú àwọn wafer SiC ni àwọn micropipes, basal plane dislocations (BPDs), àti surcatching dada. Àwọn micropipes lè fa ìkùnà ẹ̀rọ búburú; àwọn BPDs ń pọ̀ sí i lórí-ìdènà bí àkókò ti ń lọ; àti surcaping dada ń yọrí sí ìfọ́ wafer tàbí ìdàgbàsókè epitaxial tí kò dára. Nítorí náà, àyẹ̀wò líle koko àti ìdínkù àbùkù ṣe pàtàkì láti mú kí ìṣẹ̀dá wafer SiC pọ̀ sí i.

Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹfà-30-2025
Tẹ enter lati wa tabi ESC lati ti