SOI (Silicon-On-Insulator) wafersAṣoju ohun elo semikondokito amọja ti o nfihan Layer ohun alumọni tinrin-pupọ ti a ṣẹda ni ori Layer oxide insulating. Ẹya ounjẹ ipanu alailẹgbẹ yii n pese awọn imudara iṣẹ ṣiṣe pataki fun awọn ẹrọ semikondokito.
Iṣagbekalẹ:
Layer ẹrọ (Silikoni ti o ga):
Sisanra lati ọpọlọpọ awọn nanometers si awọn micrometers, ṣiṣe bi Layer ti nṣiṣe lọwọ fun iṣelọpọ transistor.
Layer Oxide ti a sin (BOX):
Layer idabobo silikoni oloro (0.05-15μm nipọn) ti itanna ya sọtọ Layer ẹrọ lati sobusitireti.
Ipilẹ Sobusitireti:
Ohun alumọni olopobobo (100-500μm nipọn) n pese atilẹyin ẹrọ.
Gẹgẹbi imọ-ẹrọ ilana igbaradi, awọn ipa ọna ilana akọkọ ti awọn ohun alumọni ohun alumọni SOI ni a le pin si bi: SIMOX (imọ-ẹrọ ipinya abẹrẹ atẹgun), BESOI (imọ-ẹrọ tinrin ifunmọ), ati Smart Cut (imọ-ẹrọ idinku oye).
SIMOX (imọ-ẹrọ ipinya abẹrẹ atẹgun) jẹ ilana kan ti o ni itasi awọn ions atẹgun ti o ni agbara-giga sinu awọn wafer silikoni lati ṣe fẹlẹfẹlẹ ti a fi sinu silikoni oloro, eyiti o wa labẹ itusilẹ iwọn otutu giga lati tun awọn abawọn lattice ṣe. Awọn mojuto ni taara ion atẹgun abẹrẹ lati dagba sin Layer atẹgun.
BESOI (Imọ-ẹrọ Tinrin Isopọmọra) pẹlu isọpọ awọn wafer ohun alumọni meji ati lẹhinna tinrin ọkan ninu wọn nipasẹ lilọ ẹrọ ati etching kemikali lati ṣe agbekalẹ eto SOI kan. Awọn mojuto da ni imora ati thinning.
Smart Cut (Imọ-ẹrọ Exfoliation ti oye) ṣe agbekalẹ Layer exfoliation nipasẹ abẹrẹ ion hydrogen. Lẹhin isọpọ, itọju ooru ni a ṣe lati yọkuro wafer ohun alumọni lẹgbẹẹ Layer ion hydrogen, ti o ṣẹda Layer ohun alumọni tinrin-pupọ. Awọn mojuto ni hydrogen abẹrẹ idinku.
Lọwọlọwọ, imọ-ẹrọ miiran wa ti a mọ si SIMBOND (imọ-ẹrọ isunmọ abẹrẹ atẹgun), eyiti o ni idagbasoke nipasẹ Xinao. Ni otitọ, o jẹ ipa ọna ti o ṣajọpọ ipinya abẹrẹ atẹgun ati awọn imọ-ẹrọ imora. Ni ipa ọna imọ-ẹrọ yii, abẹrẹ atẹgun ti a fun ni a lo bi ipele idena tinrin, ati pe Layer atẹgun ti a sin gangan jẹ Layer ifoyina gbona. Nitorinaa, nigbakanna o ṣe ilọsiwaju awọn igbelewọn bii isokan ti ohun alumọni oke ati didara ti Layer atẹgun ti a sin.
Awọn wiwọn ohun alumọni SOI ti a ṣelọpọ nipasẹ awọn ipa ọna imọ-ẹrọ oriṣiriṣi ni awọn aye ṣiṣe oriṣiriṣi ati pe o dara fun awọn oju iṣẹlẹ ohun elo oriṣiriṣi.
Atẹle naa jẹ tabili akojọpọ ti awọn anfani iṣẹ ṣiṣe ti SOI wafers silikoni, ni idapo pẹlu awọn ẹya imọ-ẹrọ wọn ati awọn oju iṣẹlẹ ohun elo gangan. Ti a ṣe afiwe pẹlu ohun alumọni olopobobo ibile, SOI ni awọn anfani pataki ni iwọntunwọnsi iyara ati agbara agbara. (PS: Iṣe ti 22nm FD-SOI sunmọ ti FinFET, ati pe iye owo dinku nipasẹ 30%).
| Anfani Performance | Ilana Imọ-ẹrọ | Ifihan pato | Awọn oju iṣẹlẹ Ohun elo Aṣoju |
| Kekere Parasitic Agbara | Layer insulating (BOX) awọn bulọọki idiyele sisopọ laarin ẹrọ ati sobusitireti | Iyara iyipada pọ nipasẹ 15% -30%, agbara agbara dinku nipasẹ 20% -50% | 5G RF, Awọn eerun ibaraẹnisọrọ igbohunsafẹfẹ-giga |
| Idinku jijo Lọwọlọwọ | Insulating Layer suppresses jijo lọwọlọwọ ototo | Iṣipopada lọwọlọwọ dinku nipasẹ>90%, igbesi aye batiri ti o gbooro sii | Awọn ẹrọ IoT, Awọn ẹrọ itanna Wearable |
| Imudara Radiation Lile | Insulating Layer ohun amorindun Ìtọjú-induced idiyele ikojọpọ | Ifarada Radiation dara si 3-5x, dinku awọn idamu iṣẹlẹ-ọkan | Spacecraft, iparun ile ise ẹrọ |
| Iṣakoso Ipa ikanni Kukuru | Layer ohun alumọni tinrin dinku kikọlu aaye ina laarin sisan ati orisun | Iduroṣinṣin foliteji ala ala, iṣapeye ite subthreshold | Awọn eerun igi kannaa oju ipade (<14nm) |
| Imudara Gbona Management | Insulating Layer din gbona ifọnọhan idapọ | 30% kere si ikojọpọ ooru, 15-25°C iwọn otutu iṣiṣẹ kekere | 3D ICs, Automotive Electronics |
| Imudara Igbohunsafẹfẹ giga | Agbara parasitic ti o dinku ati ilọsiwaju gbigbe ti ngbe | 20% idaduro kekere, ṣe atilẹyin> 30GHz sisẹ ifihan agbara | mmWave ibaraẹnisọrọ, Satellite comm awọn eerun igi |
| Irọrun Oniru pọ si | Ko si doping daradara ti a beere, ṣe atilẹyin abosi sẹhin | 13% -20% awọn igbesẹ ilana diẹ, 40% iwuwo isọpọ ti o ga julọ | Adalu-ifihan agbara ICs, Sensosi |
| Latch-soke ajesara | Insulating Layer ya sọtọ parasitic PN ipade | Ibalẹ-ilọkuro lọwọlọwọ pọ si>100mA | Awọn ẹrọ agbara-giga |
Lati ṣe akopọ, awọn anfani akọkọ ti SOI ni: o nṣiṣẹ ni iyara ati pe o ni agbara-daradara diẹ sii.
Nitori awọn abuda iṣẹ ṣiṣe ti SOI, o ni awọn ohun elo jakejado ni awọn aaye ti o nilo iṣẹ igbohunsafẹfẹ to dara julọ ati iṣẹ agbara agbara.
Gẹgẹbi a ti han ni isalẹ, ti o da lori ipin ti awọn aaye ohun elo ti o baamu si SOI, o le rii pe RF ati awọn ẹrọ agbara ni akọọlẹ fun opo julọ ti ọja SOI.
| Aaye Ohun elo | Market Pin |
| RF-SOI (Igbohunsafẹfẹ Redio) | 45% |
| Agbara SOI | 30% |
| FD-SOI (Parẹ Ni kikun) | 15% |
| Opitika SOI | 8% |
| Sensọ SOI | 2% |
Pẹlu idagba ti awọn ọja bii ibaraẹnisọrọ alagbeka ati awakọ adase, awọn wafers silikoni SOI tun nireti lati ṣetọju oṣuwọn idagbasoke kan.
XKH, gẹgẹbi olupilẹṣẹ oludari ni Silicon-On-Insulator (SOI) imọ-ẹrọ wafer, n pese awọn solusan SOI okeerẹ lati R&D si iṣelọpọ iwọn didun lilo awọn ilana iṣelọpọ ile-iṣẹ. Portfolio pipe wa pẹlu 200mm / 300mm SOI wafers leta ti RF-SOI, Power-SOI ati FD-SOI iyatọ, pẹlu stringent iṣakoso didara aridaju aitasera išẹ (iṣọkan sisanra laarin ± 1.5%). A nfun awọn solusan ti a ṣe adani pẹlu sisanra Layer ti a fi sinu oxide (BOX) ti o wa lati 50nm si 1.5μm ati orisirisi awọn pato resistivity lati pade awọn ibeere kan pato. Lilo awọn ọdun 15 ti imọ-ẹrọ imọ-ẹrọ ati pq ipese agbaye ti o lagbara, a ni igbẹkẹle pese awọn ohun elo sobusitireti SOI ti o ga-giga si awọn aṣelọpọ semikondokito oke-oke ni kariaye, ṣiṣe awọn imotuntun gige gige-eti ni awọn ibaraẹnisọrọ 5G, ẹrọ itanna, ati awọn ohun elo oye atọwọda.
XKH's SOI wafers:
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹrin Ọjọ 24-2025