Àwọn ìṣẹ́po SOI (Silicon-On-Insulator)ṣe àfihàn ohun èlò semiconductor pàtàkì kan tí ó ní ìpele silikoni tín-tín tí a ṣe lórí ìpele oxide tí ó ní ìdènà. Ìpele sandwich aláìlẹ́gbẹ́ yìí ń fún àwọn ẹ̀rọ semiconductor ní àwọn àfikún iṣẹ́ pàtàkì.
Àkójọpọ̀ Ìṣètò:
Fọ́tò Ẹ̀rọ (Sílíkónì Tóbi Jùlọ):
Sisanra lati ọpọlọpọ awọn nanometers si awọn micrometers, ti o n ṣiṣẹ bi fẹlẹfẹlẹ ti nṣiṣe lọwọ fun iṣelọpọ transistor.
Fẹ́ẹ̀lì Oxide tí a sin (Àpótí):
Fíìlì ìdábòbò sílíkọ́nì díósíọ̀mù (nípọn 0.05-15μm) tí ó ya ìpele ẹ̀rọ náà sọ́tọ̀ kúrò nínú ohun èlò náà.
Àpẹ̀rẹ̀ Ìpìlẹ̀:
Silikoni olopobobo (nipọn 100-500μm) ti o pese atilẹyin ẹrọ.
Gẹ́gẹ́ bí ìmọ̀ ẹ̀rọ ìpèsè, a lè pín àwọn ọ̀nà ìṣiṣẹ́ pàtàkì ti SOI silicon wafers sílíkónì síbí: SIMOX (ìmọ̀ ẹ̀rọ ìyàsọ́tọ̀ abẹ́rẹ́ oxygen), BESOI (ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdènà), àti Smart Cut (ìmọ̀ ẹ̀rọ ìyọrísí olóye).
SIMOX (ìmọ̀-ẹ̀rọ ìyàsọ́tọ̀ abẹ́rẹ́ oxygen) jẹ́ ọ̀nà kan tí ó ní nínú fífi àwọn ion atẹ́gùn alágbára gíga sínú àwọn wafer silicon láti ṣẹ̀dá fẹlẹfẹlẹ silicon dioxide tí a fi sínú rẹ̀, èyí tí a ó wá fi sínú atẹ́gùn ooru gíga láti tún àwọn àbùkù lattice ṣe. Abẹ́rẹ́ atẹ́gùn ion taara ni abẹ́rẹ́ atẹ́gùn ion láti ṣẹ̀dá atẹ́gùn tí a bò mọ́lẹ̀.
BESOI (ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdènà ìdènà) ní í ṣe pẹ̀lú dídìpọ̀ àwọn wafers silicon méjì pọ̀, lẹ́yìn náà dídín ọ̀kan nínú wọn nípa lílo ẹ̀rọ àti fífi kẹ́míkà ṣe ìkọ́ láti ṣe ìṣètò SOI. Apá inú rẹ̀ wà nínú ìsopọ̀ àti títẹ̀.
Smart Cut (ìmọ̀ ẹ̀rọ ìfọ́mọ́ra ọlọ́gbọ́n) máa ń ṣe àgbékalẹ̀ ìfọ́mọ́ra nípasẹ̀ abẹ́rẹ́ hydrogen ion. Lẹ́yìn ìsopọ̀, a máa ń ṣe ìtọ́jú ooru láti yọ wafer silicon kúrò ní ẹ̀gbẹ́ ìpele hydrogen ion, èyí tí yóò sì di ìpele silicon tín-tín. Agbára ìfọ́mọ́ra hydrogen ni a fi ń yọ hydrogen injection kúrò.
Lọ́wọ́lọ́wọ́, ìmọ̀ ẹ̀rọ mìíràn wà tí a mọ̀ sí SIMBOND (ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdènà abẹ́rẹ́ oxygen), èyí tí Xinao ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀. Ní gidi, ó jẹ́ ipa ọ̀nà tí ó so ìyasọtọ̀ abẹ́rẹ́ oxygen àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdèpọ̀ pọ̀. Nínú ipa ọ̀nà ìmọ̀ ẹ̀rọ yìí, a ń lo abẹ́rẹ́ oxygen gẹ́gẹ́ bí ìpele ìdènà tí ó fẹ́ẹ́rẹ́, àti pé abẹ́rẹ́ oxygen gidi tí a bò jẹ́ ìpele ìdènà ooru. Nítorí náà, ó ń mú kí àwọn pàrámítà sunwọ̀n síi ní àkókò kan náà bíi ìbáramu ti silicon òkè àti dídára abẹ́rẹ́ oxygen tí a bò mọ́lẹ̀.
Àwọn wafers silikoni SOI tí a ṣe nípasẹ̀ àwọn ipa ọ̀nà ìmọ̀-ẹ̀rọ tó yàtọ̀ síra ní àwọn ìlànà iṣẹ́ tó yàtọ̀ síra, wọ́n sì yẹ fún àwọn ipò ìlò tó yàtọ̀ síra.
Àtẹ àkópọ̀ àwọn àǹfààní iṣẹ́ pàtàkì ti àwọn wafers silicon SOI, tí a so pọ̀ mọ́ àwọn ànímọ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ wọn àti àwọn ipò ìlò gidi. Ní ìfiwéra pẹ̀lú silikoni onípele ìbílẹ̀, SOI ní àwọn àǹfààní pàtàkì nínú ìwọ́ntúnwọ̀nsì iyàrá àti lílo agbára. (PS: Iṣẹ́ FD-SOI 22nm sún mọ́ ti FinFET, a sì dín iye owó rẹ̀ kù ní 30%.)
| Anfani Iṣẹ́ | Ilana Imọ-ẹrọ | Ìfihàn Pàtàkì | Àwọn Ìṣẹ̀lẹ̀ Ohun Èlò Tó Wọ́pọ̀ |
| Agbára Parasitic Kekere | Ipele idabobo (BOX) awọn bulọọki gbigba agbara asopọ laarin ẹrọ ati substrate | Iyara iyipada pọ si nipasẹ 15%-30%, lilo agbara dinku nipasẹ 20%-50% | 5G RF, Awọn eerun ibaraẹnisọrọ igbohunsafẹfẹ giga |
| Dínkù sí ìjìnlẹ̀ omi | Ipele idabobo n dẹkun awọn ipa ọna jijo lọwọlọwọ | Ina jijo dinku nipasẹ >90%, igbesi aye batiri ti o gbooro sii | Awọn ẹrọ IoT, Awọn ẹrọ itanna ti a le wọ |
| Líle Ìtànṣán Tí A Mú Dára Sí I | Àwọn ìdìpọ̀ ìpele ìdábòbò tí ìtànṣán ń fà ń dí ìkójọpọ̀ agbára ìṣàn-ẹ̀rọ | Ìfaradà ìtànṣán dara si ni igba mẹta si marun, idinku awọn iṣoro iṣẹlẹ kanṣoṣo | Ọkọ̀ òfurufú, ohun èlò ilé iṣẹ́ iparun |
| Iṣakoso Ipa Ikanni Kukuru | Fẹlẹfẹlẹ silikoni tinrin dinku idilọwọ aaye ina laarin isan omi ati orisun | Iduroṣinṣin folti ala ti o dara si, ite isalẹ ala ti o dara julọ | Àwọn ìṣùpọ̀ ìlò nódù tó ti ní ìlọsíwájú (<14nm) |
| Ìṣàkóso Ooru Tí A Lè Dára Sí I | Ipele idabobo dinku asopọ gbigbe ooru | Ìkójọ ooru tó dínkù sí 30%, ìgbóná iṣiṣẹ́ tó dínkù sí 15-25°C | Àwọn IC 3D, Ẹ̀rọ itanna ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ |
| Ṣíṣe àtúnṣe Ìgbohùngbà Gíga | Agbára parasitic dínkù àti ìṣíkiri ọkọ̀ tó ń gbé e lọ sí i | Ìdádúró díẹ̀ sí 20%, ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ ìfiranṣẹ́ àmì 30GHz | Ìbánisọ̀rọ̀ mmWave, Àwọn ègé ìjíròrò Satẹlaiti |
| Alekun Iyipada Oniru | Ko nilo doping daradara, o ṣe atilẹyin fun ilodi si ẹhin | Awọn igbesẹ ilana ti o dinku 13%-20%, iwuwo isọdọkan ti o ga julọ 40% | Àwọn ICs onípele-àmì, Àwọn Sensọ |
| Ààbò Ìdènà | Àwọn ìsopọ̀ PN parasitic ti ya sọtọ fẹlẹfẹlẹ ìdènà | Ààlà ìṣiṣẹ́ latch-up ti pọ̀ sí >100mA | Awọn ẹrọ agbara folti giga |
Láti ṣàkópọ̀, àwọn àǹfààní pàtàkì ti SOI ni: ó ń ṣiṣẹ́ kíákíá ó sì ń lo agbára púpọ̀ sí i.
Nítorí àwọn ànímọ́ iṣẹ́ SOI wọ̀nyí, ó ní àwọn ohun èlò tó gbòòrò ní àwọn pápá tó nílò iṣẹ́ ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ tó dára àti iṣẹ́ agbára.
Gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní ìsàlẹ̀ yìí, ní ìbámu pẹ̀lú ìpín àwọn pápá ìlò tí ó bá SOI mu, a lè rí i pé RF àti àwọn ẹ̀rọ agbára ló ṣe pàtàkì jùlọ nínú ọjà SOI.
| Pápá Ohun Èlò | Pínpín Ọjà |
| RF-SOI (Ìgbàgbogbo Rédíò) | 45% |
| Agbara SOI | 30% |
| FD-SOI (Ó ti parẹ́ pátápátá) | 15% |
| SOI opitika | 8% |
| Sẹ́ńsọ̀ SOI | 2% |
Pẹ̀lú ìdàgbàsókè àwọn ọjà bíi ìbánisọ̀rọ̀ alágbèéká àti ìwakọ̀ ara ẹni, a retí pé àwọn wafers silicon SOI yóò máa ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè kan.
XKH, gẹ́gẹ́ bí olùdásílẹ̀ tuntun nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ wafer Silicon-On-Insulator (SOI), ń pèsè àwọn ìdáhùn SOI tó péye láti inú ìmọ̀ àti ìṣẹ̀dá tó pọ̀ sí i nípa lílo àwọn ìlànà iṣẹ́ tó gbajúmọ̀ jùlọ ní ilé iṣẹ́. Àkójọpọ̀ wa pẹ̀lú àwọn wafer SOI 200mm/300mm tó wà lórí àwọn RF-SOI, Power-SOI àti FD-SOI, pẹ̀lú ìṣàkóso dídára tó lágbára tó ń rí i dájú pé iṣẹ́ wọn kò ní bàjẹ́ (ìwọ̀n tó wà láàárín ±1.5%). A ń pèsè àwọn ìdáhùn tó ní ìwọ̀n oxide (BOX) tó wà láti 50nm sí 1.5μm àti onírúurú ìpele tó lè mú kí wọ́n ní àwọn ìbéèrè pàtó. Nípa lílo ọdún mẹ́ẹ̀ẹ́dógún ti ìmọ̀ ẹ̀rọ àti ẹ̀wọ̀n ìpèsè kárí ayé tó lágbára, a ń pèsè àwọn ohun èlò SOI tó dára fún àwọn olùpèsè semiconductor tó ga jùlọ kárí ayé, èyí tó ń mú kí àwọn ìṣẹ̀dá tuntun nínú ìbánisọ̀rọ̀ 5G, ẹ̀rọ itanna ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, àti àwọn ohun èlò ìmọ̀ nípa àtọwọ́dá wà.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹrin-24-2025






