Awọn anfani tiNipasẹ Gilasi Nipasẹ (TGV)ati Nipasẹ awọn ilana Silicon Via (TSV) lori TGV jẹ nipataki:
(1) o tayọ ga-igbohunsafẹfẹ itanna abuda. Ohun elo gilasi jẹ ohun elo insulator, igbagbogbo dielectric jẹ nipa 1/3 ti ohun elo ohun elo silikoni, ati pe ifosiwewe isonu jẹ awọn aṣẹ titobi 2-3 ti o kere ju ti ohun elo ohun alumọni, eyiti o jẹ ki isonu sobusitireti ati awọn ipa parasitic dinku pupọ. ati ki o idaniloju awọn iyege ti awọn zqwq ifihan agbara;
(2)tobi iwọn ati olekenka-tinrin gilasi sobusitiretirọrun lati gba. Corning, Asahi ati SCHOTT ati awọn olupese gilasi miiran le pese iwọn nla (> 2m × 2m) ati gilasi panẹli ultra-tin (<50µm) ati awọn ohun elo gilasi rọra-tinrin.
3) Iye owo kekere. Anfaani lati iraye si irọrun si gilasi nronu ultra-tin-nla, ati pe ko nilo ifisilẹ ti awọn ipele idabobo, idiyele iṣelọpọ ti awo ohun ti nmu badọgba gilasi jẹ nikan nipa 1/8 ti awo ohun ti nmu badọgba ti o da lori ohun alumọni;
4) Ilana ti o rọrun. Ko si ye lati beebe ohun idabobo Layer lori sobusitireti dada ati awọn akojọpọ odi ti TGV, ko si si thinning wa ni ti beere ni olekenka-tinrin ohun ti nmu badọgba awo;
(5) Iduroṣinṣin ẹrọ ti o lagbara. Paapaa nigbati sisanra ti awo ohun ti nmu badọgba kere ju 100µm, oju-iwe ogun naa tun kere;
(6) Awọn ohun elo jakejado, jẹ imọ-ẹrọ interconnect gigun gigun ti n yọ jade ti a lo ni aaye ti apoti ipele wafer, lati ṣaṣeyọri aaye kuru ju laarin wafer-wafer, ipolowo ti o kere julọ ti interconnect pese ọna imọ-ẹrọ tuntun, pẹlu itanna to dara julọ. , thermal, awọn ohun-ini ẹrọ, ni chirún RF, awọn sensọ MEMS giga-giga, isọpọ eto iwuwo giga ati awọn agbegbe miiran pẹlu awọn anfani alailẹgbẹ, jẹ iran atẹle ti 5G, 6G chiff-igbohunsafẹfẹ giga 3D O jẹ ọkan ninu awọn yiyan akọkọ fun Iṣakojọpọ 3D ti iran-tẹle 5G ati awọn eerun igbohunsafẹfẹ giga-giga 6G.
Awọn ilana imudọgba ti TGV ni akọkọ pẹlu sandblasting, ultrasonic liluho, tutu etching, jin ifaseyin ion etching, photosensitive etching, lesa etching, lesa-induced ijinle etching, ati fojusi idoto iho Ibiyi.
Iwadi aipẹ ati awọn abajade idagbasoke fihan pe imọ-ẹrọ le mura silẹ nipasẹ awọn iho ati awọn iho afọju 5: 1 pẹlu ijinle si ipin iwọn ti 20: 1, ati pe o ni ẹda ti o dara. Lesa induced jin etching, eyi ti àbábọrẹ ni kekere dada roughness, ni julọ iwadi ọna ni bayi. Bi o han ni Figure 1, nibẹ ni o wa kedere dojuijako ni ayika arinrin lesa liluho, nigba ti agbegbe ati ẹgbẹ Odi ti lesa-induced jin etching ni o mọ ki o dan.
Awọn processing ilana tiTGVinterposer ti han ni Figure 2. Awọn ìwò eni ni lati lu ihò lori gilasi sobusitireti akọkọ, ati ki o idogo idankan Layer ati irugbin Layer lori ẹgbẹ odi ati dada. Layer idankan ṣe idiwọ itankale Cu si sobusitireti gilasi, lakoko ti o pọ si ifaramọ ti awọn meji, nitorinaa, ninu awọn iwadii kan tun rii pe ipele idena ko wulo. Lẹhinna Cu ti wa ni ipamọ nipasẹ itanna eletiriki, lẹhinna annealed, ati pe Layer Cu ti yọ kuro nipasẹ CMP. Níkẹyìn, awọn RDL rewiring Layer pese sile nipa PVD ti a bo lithography, ati passivation Layer ti wa ni akoso lẹhin ti awọn lẹ pọ.
(a) Igbaradi ti wafer, (b) Ibiyi ti TGV, (c) ni ilopo-apa electroplating - iwadi oro ti bàbà, (d) annealing ati CMP kemikali-darí polishing, yiyọ ti dada Ejò Layer, (e) PVD bo ati lithography , (f) placement ti RDL rewiring Layer, (g) degluing ati Cu/Ti etching, (h) Ibiyi ti passivation Layer.
Lati ṣe akopọ,gilasi nipasẹ iho (TGV)Awọn ifojusọna ohun elo gbooro, ati ọja inu ile lọwọlọwọ wa ni ipele ti nyara, lati ohun elo si apẹrẹ ọja ati iwadii ati oṣuwọn idagbasoke idagbasoke ga ju apapọ agbaye lọ.
Ti irufin ba wa, kan si paarẹ
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Keje-16-2024