SiC ohun alumọni carbideẹrọ ntokasi si awọn ẹrọ ṣe ti silikoni carbide bi awọn aise ohun elo.
Ni ibamu si awọn ti o yatọ resistance-ini, o ti wa ni pin si conductive ohun alumọni carbide agbara awọn ẹrọ atiologbele-idabo ohun alumọni carbideAwọn ẹrọ RF.
Awọn fọọmu ẹrọ akọkọ ati awọn ohun elo ti ohun alumọni carbide
Awọn anfani akọkọ ti SiC loriSi awọn ohun eloni:
SiC ni aafo iye ni igba 3 ti Si, eyiti o le dinku jijo ati mu ifarada iwọn otutu pọ si.
SiC ni awọn akoko 10 agbara aaye fifọ fifọ ti Si, o le mu iwuwo lọwọlọwọ pọ si, igbohunsafẹfẹ iṣiṣẹ, duro agbara foliteji ati dinku pipadanu on-pipa, diẹ dara fun awọn ohun elo folti giga.
SiC ni ẹẹmeji iyara fifẹ saturation elekitironi ti Si, nitorinaa o le ṣiṣẹ ni igbohunsafẹfẹ giga julọ.
SiC ni awọn akoko 3 imudara igbona ti Si, iṣẹ ṣiṣe itusilẹ ooru to dara julọ, le ṣe atilẹyin iwuwo agbara giga ati dinku awọn ibeere ifasilẹ ooru, ṣiṣe ẹrọ naa fẹẹrẹfẹ.
sobusitireti conductive
Sobusitireti amuṣiṣẹ: Nipa yiyọ ọpọlọpọ awọn idoti ninu gara, paapaa aijinile ipele impurities, lati ṣaṣeyọri ifaramọ giga ti inu ti gara.
Aṣeṣeohun alumọni carbide sobusitiretiSiC wafer
Ẹrọ agbara ohun alumọni ohun alumọni ohun elo jẹ nipasẹ idagba ti ohun alumọni carbide epitaxial Layer lori sobusitireti conductive, iwe ohun alumọni carbide epitaxial ti wa ni ilọsiwaju siwaju, pẹlu iṣelọpọ ti Schottky diodes, MOSFET, IGBT, ati bẹbẹ lọ, ti a lo ni akọkọ ninu awọn ọkọ ina, agbara fọtovoltaic. iran, iṣinipopada irin-ajo, ile-iṣẹ data, gbigba agbara ati awọn amayederun miiran. Awọn anfani iṣẹ jẹ bi atẹle:
Imudara ga titẹ abuda. Agbara aaye ina mọnamọna ti ohun alumọni carbide jẹ diẹ sii ju awọn akoko 10 ti ohun alumọni, eyiti o jẹ ki resistance titẹ giga ti awọn ohun elo ohun alumọni ohun alumọni pataki ti o ga ju ti awọn ẹrọ ohun alumọni deede.
Dara ga otutu abuda. Ohun alumọni carbide ni o ni kan ti o ga gbona iba ina elekitiriki ju ohun alumọni, eyi ti o mu ki awọn ẹrọ ooru wọbia rọrun ati opin awọn ọna otutu ti o ga. Idaabobo otutu giga le ja si ilosoke pataki ninu iwuwo agbara, lakoko ti o dinku awọn ibeere lori eto itutu agbaiye, ki ebute naa le jẹ iwuwo diẹ sii ati kekere.
Lilo agbara kekere. ① Silikoni carbide ẹrọ ni o ni gidigidi kekere on-resistance ati kekere lori-pipadanu; (2) Awọn jijo lọwọlọwọ ti ohun alumọni carbide awọn ẹrọ ti wa ni significantly dinku ju ti ohun alumọni ẹrọ, nitorina atehinwa agbara pipadanu; ③ Ko si iṣẹlẹ ti o wa lọwọlọwọ ni ilana piparẹ ti awọn ohun elo ohun alumọni ohun alumọni, ati pe pipadanu yi pada jẹ kekere, eyiti o mu ilọsiwaju iyipada pupọ ti awọn ohun elo to wulo.
Ologbele-idabo SiC sobusitireti
Sobusitireti SiC ologbele-idaabobo: N doping ni a lo lati ṣakoso ni deede ni deede atako atako ti awọn ọja eleto nipa iwọn ibatan ibaramu laarin ifọkansi doping nitrogen, oṣuwọn idagbasoke ati resistivity gara.
Ga ti nw ologbele-idabobo sobusitireti ohun elo
Awọn ohun elo RF ti o da lori ohun alumọni-erogba ti o ni idabobo ni a ṣe siwaju nipasẹ dagba gallium nitride epitaxial Layer lori sobusitireti ohun alumọni carbide ologbele-idabo lati mura ohun alumọni nitride epitaxial dì, pẹlu HEMT ati awọn ẹrọ gallium nitride RF miiran, ni akọkọ ti a lo ninu awọn ibaraẹnisọrọ 5G, awọn ibaraẹnisọrọ ọkọ, olugbeja ohun elo, data gbigbe, Aerospace.
Oṣuwọn fiseete elekitironi ti o ni kikun ti ohun alumọni carbide ati awọn ohun elo gallium nitride jẹ 2.0 ati awọn akoko 2.5 ti ohun alumọni ni atele, nitorinaa igbohunsafẹfẹ iṣẹ ti ohun alumọni carbide ati awọn ẹrọ gallium nitride tobi ju ti awọn ẹrọ ohun alumọni ibile lọ. Bibẹẹkọ, ohun elo gallium nitride ni aila-nfani ti resistance ooru ti ko dara, lakoko ti ohun alumọni silikoni ni resistance ooru to dara ati imunadoko igbona, eyiti o le ṣe fun ailagbara ooru ti ko dara ti awọn ẹrọ gallium nitride, nitorinaa ile-iṣẹ gba ohun alumọni ohun alumọni ologbele-idabo bi sobusitireti. , ati gan epitaxial Layer ti dagba lori sobusitireti carbide silikoni lati ṣe awọn ẹrọ RF.
Ti irufin ba wa, kan si paarẹ
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Keje-16-2024