SiC silikoni carbideẹ̀rọ náà tọ́ka sí ẹ̀rọ tí a fi silicon carbide ṣe gẹ́gẹ́ bí ohun èlò aise.
Gẹ́gẹ́ bí àwọn ohun-ìní resistance tó yàtọ̀ síra, a pín in sí àwọn ẹ̀rọ agbára silikoni carbide oníwà-bí-ẹlẹ́sẹ̀-ń-ṣe àtisilikoni carbide ologbele-idaaboboAwọn ẹrọ RF.
Awọn fọọmu ẹrọ akọkọ ati awọn ohun elo ti silikoni carbide
Awọn anfani akọkọ ti SiC loriAwọn ohun elo Sini:
SiC ní àlàfo ìpele mẹ́ta ti Si, èyí tí ó lè dín ìjìn omi kù kí ó sì mú kí ìgbóná ara pọ̀ sí i.
SiC ní ìlọ́po mẹ́wàá agbára pápá ìfọ́ ti Si, ó lè mú kí ìwọ̀n ìsinsìnyí sunwọ̀n síi, ó lè mú kí ìṣiṣẹ́ ìgbàkúgbà ṣiṣẹ́ sunwọ̀n síi, ó lè kojú agbára fóltéèjì àti dín àdánù tí ń lọ lọ́wọ́ kù, ó sì dára jù fún àwọn ohun èlò fóltéèjì gíga.
SiC ní ilọ́po méjì iyàrá ìtújáde ìṣàn elekitironi ti Si, nitorinaa o le ṣiṣẹ ni igbohunsafẹfẹ giga.
SiC ní ìlọ́po mẹ́ta ìgbóná ooru ti Si, iṣẹ́ ìgbóná ooru tó dára jù, ó lè ṣe àtìlẹ́yìn fún agbára gíga àti dín àwọn ìbéèrè ìgbóná ooru kù, èyí tó mú kí ẹ̀rọ náà fúyẹ́.
Sẹ́bìtì amúṣiṣẹ́
Ohun èlò ìdarí: Nípa yíyọ onírúurú àìmọ́ kúrò nínú kristali náà, pàápàá jùlọ àwọn àìmọ́ tí kò jinlẹ̀, láti ṣe àṣeyọrí resistance gíga ti kristali náà.
Olùdaríohun èlò ìpìlẹ̀ silikoni carbideWafer SiC
Ẹ̀rọ agbára carbide silicon conductive jẹ́ nípasẹ̀ ìdàgbàsókè ti ìpele epitaxial silicon carbide lórí substrate conductive, a tún ṣe àtúnṣe ìwé epitaxial silicon carbide, títí kan ìṣelọ́pọ́ Schottky diodes, MOSFET, IGBT, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, tí a sábà máa ń lò nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, ìṣẹ̀dá agbára photovoltaic, ìrìn ọkọ̀ ojú irin, ibi ìpamọ́ data, gbigba agbára àti àwọn ètò ìṣiṣẹ́ míràn. Àwọn àǹfààní iṣẹ́ náà ni wọ̀nyí:
Àwọn ànímọ́ ìfúnpá gíga tí a mú sunwọ̀n síi. Agbára pápá iná mànàmáná tí silicon carbide ń bàjẹ́ ju ti silicon lọ ní ìlọ́po mẹ́wàá, èyí tí ó mú kí agbára ìfúnpá gíga ti àwọn ẹ̀rọ silicon carbide ga ju ti àwọn ẹ̀rọ silicon tí ó dọ́gba lọ.
Àwọn ànímọ́ ìgbóná gíga tó dára jù. Silicon carbide ní agbára ìgbóná tó ga ju silicon lọ, èyí tó mú kí ìtújáde ooru ẹ̀rọ rọrùn àti ìdínkù ìwọ̀n otútù iṣẹ́ ga. Ìdènà ooru tó ga lè fa ìbísí agbára tó pọ̀ sí i, nígbàtí ó ń dín àwọn ohun tí a nílò lórí ẹ̀rọ ìtútù kù, kí ẹ̀rọ náà lè fúyẹ́ díẹ̀ sí i, kí ó sì jẹ́ kí ó rọrùn díẹ̀.
Lilo agbara ti o kere si. ① Ẹrọ silikoni carbide ni resistance on-low pupọ ati pipadanu on-low kekere; (2) Isun jijo ti awọn ẹrọ silikoni carbide dinku pupọ ju ti awọn ẹrọ silikoni lọ, nitorinaa dinku pipadanu agbara; ③ Ko si iṣẹlẹ ti o nwaye lọwọlọwọ ninu ilana pipa ti awọn ẹrọ silikoni carbide, ati pipadanu iyipada kere, eyiti o mu igbohunsafẹfẹ iyipada ti awọn ohun elo to wulo dara si pupọ.
Sẹ́ẹ̀tì SiC aláádánù: A lo N doping láti ṣàkóso resistance àwọn ọjà conductive lọ́nà tó péye nípa ṣíṣe àtúnṣe ìbáṣepọ̀ tó báramu láàárín ìṣọ̀kan nitrogen doping, oṣuwọn ìdàgbàsókè àti resistance kristal.
Ohun elo ipilẹ ologbele-idabobo giga ti o ga julọ
Àwọn ẹ̀rọ RF tí ó ní èròjà carbon oní-ìdáná ni a tún ṣe nípa gbígbin gallium nitride epitaxial Layer lórí ohun èlò silicon carbide semi-insulated láti pèsè ìwé epitaxial silicon nitride, pẹ̀lú HEMT àti àwọn ẹ̀rọ RF gallium nitride mìíràn, tí a sábà máa ń lò nínú ìbánisọ̀rọ̀ 5G, ìbánisọ̀rọ̀ ọkọ̀, àwọn ohun èlò ààbò, ìgbéjáde dátà, àti afẹ́fẹ́.
Ìwọ̀n ìyípadà elekitironi tí ó kún fún ohun èlò silicon carbide àti gallium nitride jẹ́ ìlọ́po 2.0 àti 2.5 ti silicon lẹ́sẹẹsẹ, nítorí náà ìgbà tí àwọn ohun èlò silicon carbide àti gallium nitride ń ṣiṣẹ́ pọ̀ ju ti àwọn ohun èlò silicon ìbílẹ̀ lọ. Síbẹ̀síbẹ̀, ohun èlò gallium nitride ní àléébù àìlègbára ooru tí kò dára, nígbà tí silicon carbide ní ìdènà ooru tí ó dára àti ìdènà ooru, èyí tí ó lè ṣe àtúnṣe àìlègbára ooru tí kò dára ti àwọn ohun èlò gallium nitride, nítorí náà ilé iṣẹ́ náà ń gba silicon carbide semi-insulated gẹ́gẹ́ bí substrate, a sì ń gbin gan epitaxial Layer lórí silicon carbide substrate láti ṣe àwọn ohun èlò RF.
Tí ìrúfin bá wà, pa ẹni tí o bá kàn sí wa rẹ́
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Keje-16-2024