SiC Seramiki Tray Ipari Ipa Wafer Mimu Awọn ohun elo Aṣa Ṣe

Apejuwe kukuru:

Awọn ohun-ini aṣoju	Awọn ẹya	Awọn iye
Ilana		FCC β ipele
Iṣalaye	Ida (%)	111 ti o fẹ
Olopobobo iwuwo	g/cm³	3.21
Lile	Vickers líle	2500
Agbara Ooru	J·kg⁻¹·K⁻¹	640
Imugboroosi igbona 100–600°C (212–1112°F)	10⁻·K⁻¹	4.5
Modulu odo	GPA (tẹ 4pt, 1300°C)	430
Iwọn ọkà	μm	2 ~ 10
Sublimation otutu	°C	2700
Agbara Flexural	MPa (RT 4-ojuami)	415
Gbona elekitiriki	(W/mK)	300

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Awọn ẹya ara ẹrọ

SiC seramiki & Awọn ohun elo Aṣa Aṣa Alumina Alumina

Silicon Carbide (SiC) Awọn ohun elo Aṣa Aṣa seramiki

Awọn paati aṣa seramiki Silicon Carbide (SiC) jẹ awọn ohun elo seramiki ile-iṣẹ ti o ga julọ olokiki fun wọn.líle ti o ga pupọ, iduroṣinṣin igbona ti o dara julọ, ailagbara ipata iyasọtọ, ati adaṣe igbona giga. Silicon Carbide (SiC) awọn paati aṣa seramiki jẹ ki o ṣetọju iduroṣinṣin igbekale niawọn agbegbe iwọn otutu ti o ga nigba ti o koju ijagbara lati awọn acids ti o lagbara, alkalis, ati awọn irin didà. Awọn ohun elo SiC ti ṣelọpọ nipasẹ awọn ilana biiaibikita sintering, ifaseyin sintering, tabi gbona-tẹ sinteringati pe o le ṣe adani si awọn apẹrẹ eka, pẹlu awọn oruka edidi ẹrọ, awọn apa ọwọ ọpa, awọn nozzles, awọn ọpọn ileru, awọn ọkọ oju omi wafer, ati awọn awo-ara ti o ni sooro.

Alumina seramiki Custom irinše

Alumina (Al₂O₃) awọn paati aṣa seramiki tẹnumọga idabobo, ti o dara darí agbara, ati yiya resistance. Ti a sọtọ nipasẹ awọn onidi mimọ (fun apẹẹrẹ, 95%, 99%), Alumina (Al₂O₃) awọn paati aṣa seramiki pẹlu ẹrọ ṣiṣe deede gba wọn laaye lati ṣe adaṣe sinu awọn insulators, bearings, awọn irinṣẹ gige, ati awọn aranmo iṣoogun. Alumina seramiki ti wa ni nipataki ti ṣelọpọ nipasẹgbígbẹ titẹ, abẹrẹ igbáti, tabi isostatic titẹ sii lakọkọ, pẹlu awọn ipele didan si ipari digi kan.

XKH ṣe amọja ni R&D ati iṣelọpọ aṣa tisilikoni carbide (SiC) ati alumina (Al₂O₃) awọn ohun elo amọ. Awọn ọja seramiki SiC ṣe idojukọ iwọn otutu giga, aṣọ-giga, ati awọn agbegbe ibajẹ, ti o bo awọn ohun elo semikondokito (fun apẹẹrẹ, awọn ọkọ oju omi wafer, awọn paadi cantilever, awọn tubes ileru) ati awọn paati aaye gbona ati awọn edidi giga-giga fun awọn apa agbara titun. Awọn ọja seramiki Alumina tẹnumọ idabobo, lilẹ, ati awọn ohun-ini biomedical, pẹlu awọn sobusitireti itanna, awọn oruka edidi ẹrọ, ati awọn aranmo iṣoogun. Lilo awọn imọ-ẹrọ biiTitẹ isostatic, ṣiṣatunṣe titẹ ti ko ni titẹ, ati ẹrọ titọ, a pese awọn iṣeduro ti a ṣe adani ti o ga julọ fun awọn ile-iṣẹ pẹlu awọn semiconductors, photovoltaics, aerospace, medical, and chemical processing, aridaju awọn ẹya ara ẹrọ pade awọn ibeere ti o lagbara fun titọ, gigun, ati igbẹkẹle ni awọn ipo ti o pọju.

SiC Seramiki Awọn Chucks Iṣẹ-ṣiṣe & Awọn Disiki Lilọ CMP

SiC seramiki Vacuum Chucks

Silicon Carbide (SiC) Seramiki Vacuum Chucks jẹ awọn irinṣẹ adsorption ti o ga-giga ti a ṣelọpọ lati awọn ohun elo seramiki silikoni ohun elo giga (SiC). Wọn jẹ apẹrẹ pataki fun awọn ohun elo ti o nbeere mimọ ati iduroṣinṣin to gaju, gẹgẹbi semikondokito, fọtovoltaic, ati awọn ile-iṣẹ iṣelọpọ deede. Awọn anfani akọkọ wọn pẹlu: dada didan ipele-digi (ti iṣakoso fifẹ laarin 0.3 – 0.5 μm), lile-giga giga ati alafisọdipupọ kekere ti imugboroosi gbona (idaniloju apẹrẹ nano-ipele ati iduroṣinṣin ipo), ẹya iwuwo fẹẹrẹ pupọ (ti o ṣe pataki idinku iṣipopada inertia, resistance lile 9). ti o jinna ju igbesi aye ti awọn chucks irin) . Awọn ohun-ini wọnyi jẹ ki iṣiṣẹ iduroṣinṣin ṣiṣẹ ni awọn agbegbe pẹlu yiyan giga ati awọn iwọn kekere, ipata to lagbara, ati mimu iyara to gaju, ni ilọsiwaju imudara ikore iṣelọpọ ati ṣiṣe iṣelọpọ fun awọn paati deede bi awọn wafers ati awọn eroja opiti.

Silicon Carbide (SiC) Bump Vacuum Chuck fun metology ati ayewo

Ti a ṣe apẹrẹ fun awọn ilana ayewo abawọn wafer, ohun elo adsorption pipe-giga yii jẹ iṣelọpọ lati ohun elo seramiki silikoni carbide (SiC). Eto ijalu dada alailẹgbẹ rẹ pese agbara adsorption igbale ti o lagbara lakoko ti o dinku agbegbe olubasọrọ pẹlu wafer, nitorinaa idilọwọ ibajẹ tabi ibajẹ si dada wafer ati aridaju iduroṣinṣin ati deede lakoko ayewo. Chuck naa ṣe ẹya fifẹ ailẹgbẹ (0.3-0.5 μm) ati oju didan didan, ni idapo pẹlu iwuwo ina-ina ati lile giga lati rii daju iduroṣinṣin lakoko gbigbe iyara giga. Olusọdipúpọ kekere ti o kere pupọ ti imugboroja igbona ṣe iṣeduro iduroṣinṣin onisẹpo labẹ awọn iyipada iwọn otutu, lakoko ti atako yiya ti o tayọ fa igbesi aye iṣẹ gbooro. Ọja naa ṣe atilẹyin isọdi ni 6, 8, ati 12-inch ni pato lati pade awọn iwulo ayewo ti awọn titobi wafer oriṣiriṣi.

Yipada Chip Bonding Chuck

Chuck isọpọ chirún isipade jẹ paati mojuto ninu awọn ilana isọpọ chip flip-chip, ti a ṣe ni pataki fun awọn wafers adsorbing ni deede lati rii daju iduroṣinṣin lakoko iyara giga, awọn iṣẹ isunmọ pipe-giga. O ṣe ẹya dada didan digi (ipin / parallelism ≤1 μm) ati awọn grooves ikanni gaasi deede lati ṣaṣeyọri ipa adsorption igbale aṣọ, idilọwọ gbigbe wafer tabi ibajẹ. Gidigidi giga rẹ ati olusọdipúpọ kekere-kekere ti imugboroosi gbona (sunmọ si ohun elo ohun alumọni) rii daju iduroṣinṣin iwọn ni awọn agbegbe isunmọ iwọn otutu, lakoko ti ohun elo iwuwo giga (fun apẹẹrẹ, ohun alumọni silikoni tabi awọn ohun elo amọ) ni imunadoko ni idiwọ gaasi permeation, mimu igbẹkẹle igbale igba pipẹ. Awọn abuda wọnyi ni apapọ ṣe atilẹyin išedede isọpọ ipele micron ati imudara ikore iṣakojọpọ ërún ni pataki.

SiC imora Chuck

Isopọmọ ohun alumọni carbide (SiC) jẹ imuduro mojuto ni awọn ilana isunmọ chirún, ti a ṣe apẹrẹ pataki fun adsorbing ni deede ati aabo awọn wafers, ni idaniloju iṣẹ iduroṣinṣin-iduroṣinṣin labẹ iwọn otutu giga ati awọn ipo isunmọ titẹ giga. Ti a ṣelọpọ lati seramiki ohun alumọni carbide iwuwo giga (porosity <0.1%), o ṣaṣeyọri pinpin ipa adsorption aṣọ ile (iyapa <5%) nipasẹ didan digi ipele nanometer-igi (igi roughness Ra <0.1 μm) ati konge gaasi ikanni grooves (pore diamita): 5-50 dina aibikita dada bibajẹ, 5-50 Olusọdipúpọ-kekere rẹ ti imugboroosi gbona (4.5 × 10⁻⁶ / ℃) ni pẹkipẹki ti awọn wafers ohun alumọni, ti o dinku oju-iwe ijakadi wahala gbona. Ni idapọ pẹlu lile giga (modules rirọ> 400 GPa) ati ≤1 μm flatness/parallelism, o ṣe iṣeduro deede titete isọpọ. Ti a lo jakejado ni iṣakojọpọ semikondokito, akopọ 3D, ati isọpọ Chiplet, o ṣe atilẹyin awọn ohun elo iṣelọpọ opin-giga ti o nilo konge nanoscale ati iduroṣinṣin gbona.

Disiki Lilọ CMP

Disiki lilọ CMP jẹ paati pataki ti ohun elo didan ẹrọ kemikali (CMP), ti a ṣe ni pataki lati mu ni aabo ati mu awọn wafers duro lakoko didan didan iyara giga, ti o mu ki eto eto agbaye ni ipele nanometer ṣiṣẹ. Ti a ṣe lati lile-giga, awọn ohun elo iwuwo giga (fun apẹẹrẹ, awọn ohun elo ohun alumọni silikoni tabi awọn ohun elo pataki), o ṣe idaniloju adsorption igbale aṣọ ile nipasẹ awọn grooves ikanni gaasi ti a ṣe adaṣe deede. Ilẹ didan digi rẹ (ipin / parallelism ≤3 μm) ṣe iṣeduro olubasọrọ ti ko ni wahala pẹlu awọn wafers, lakoko ti o jẹ alafidipọ kekere-kekere ti imugboroosi gbona (ti o baamu si ohun alumọni) ati awọn ikanni itutu agbaiye ti inu ṣe imunadoko abuku igbona. Ni ibamu pẹlu 12-inch (750 mm diamita) wafers, disiki naa n mu imọ-ẹrọ isunmọ kaakiri kaakiri, lati rii daju isọpọ ailopin ati igbẹkẹle igba pipẹ ti awọn ẹya multilayer labẹ awọn iwọn otutu giga ati awọn igara, ni ilọsiwaju isokan ilana CMP ni pataki ati ikore.

Ti adani orisirisi SiC Seramiki Awọn ẹya ara Ifihan

Silicon Carbide (SiC) Square digi

Silicon Carbide (SiC) Square Mirror jẹ paati opiti pipe ti o gaju ti a ṣelọpọ lati seramiki ohun alumọni carbide to ti ni ilọsiwaju, apẹrẹ pataki fun ohun elo iṣelọpọ semikondokito giga-giga gẹgẹbi awọn ẹrọ lithography. O ṣaṣeyọri iwuwo ina-ina ati lile giga (modules rirọ> 400 GPa) nipasẹ apẹrẹ igbekalẹ iwuwo iwuwo fẹẹrẹ (fun apẹẹrẹ, oyin oyin ẹhin ẹhin), lakoko ti o jẹ alapin imugboroja igbona kekere pupọ (≈4.5 × 10⁻⁻ / ℃ iduroṣinṣin labẹ iwọn otutu) Dada digi naa, lẹhin didan konge, de ≤1 μm flatness / afiwera, ati idiwọ yiya iyalẹnu rẹ (Mohs hardness 9.5) gbooro igbesi aye iṣẹ. O ti wa ni lilo pupọ ni awọn ile-iṣẹ ẹrọ lithography, awọn olufihan laser, ati awọn telescopes aaye nibiti konge giga-giga ati iduroṣinṣin ṣe pataki.

Silicon Carbide (SiC) Awọn Itọsọna Lilefoofo afẹfẹ

Silicon Carbide (SiC) Awọn Itọsọna Lilefoofo afẹfẹ lo imọ-ẹrọ gbigbe aerostatic ti kii ṣe olubasọrọ, nibiti gaasi fisinuirindigbindigbin ṣe agbekalẹ fiimu afẹfẹ ipele micron kan (ni deede 3-20μm) lati ṣaṣeyọri irọra ati iṣipopada didan ti ko ni gbigbọn. Wọn funni ni išedede išipopada nanometric (titun aye atunwi titi di ± 75nm) ati konge jiometirika sub-micron (itọra ± 0.1-0.5μm, flatness ≤1μm), ṣiṣẹ nipasẹ iṣakoso esi-lupu pipade pẹlu awọn iwọn grating konge tabi awọn interferometers laser. Ohun elo seramiki ohun alumọni carbide mojuto (awọn aṣayan pẹlu Coresic® SP / Marvel Sic jara) pese lile-giga giga ( modulus rirọ> 400 GPa), olùsọdipúpọ igbona igbona kekere-kekere (4.0 – 4.5 × 10⁻⁶/K, ohun alumọni ti o baamu), ati (iwuwo 1%). Apẹrẹ iwuwo fẹẹrẹ rẹ (iwuwo 3.1g / cm³, keji nikan si aluminiomu) dinku inertia išipopada, lakoko ti aibikita yiya iyasọtọ (Mohs hardness 9.5) ati iduroṣinṣin igbona rii daju igbẹkẹle igba pipẹ labẹ iyara giga (1m / s) ati awọn ipo isare giga (4G). Awọn itọsọna wọnyi jẹ lilo pupọ ni semikondokito lithography, ayewo wafer, ati ẹrọ konge olekenka.

Ohun alumọni Carbide (SiC) Agbelebu-Beams

Silicon Carbide (SiC) Cross-Beams jẹ awọn paati išipopada mojuto ti a ṣe apẹrẹ fun ohun elo semikondokito ati awọn ohun elo ile-iṣẹ giga-giga, ni akọkọ ti n ṣiṣẹ lati gbe awọn ipele wafer ati ṣe itọsọna wọn pẹlu awọn itọpa pato fun iyara giga, išipopada pipe-giga. Lilo seramiki ohun alumọni carbide iṣẹ giga (awọn aṣayan pẹlu Coresic® SP tabi Oniyalenu Sic jara) ati apẹrẹ igbekalẹ iwuwo fẹẹrẹ, wọn ṣaṣeyọri iwuwo ina ultra pẹlu lile giga (modules rirọ> 400 GPa), pẹlu alasọditi kekere-kekere ti imugboroja igbona ati (≈ 4.5. iwuwo (porosity <0.1%), aridaju iduroṣinṣin nanometric (flatness/parallelism ≤1μm) labẹ awọn aapọn gbona ati ẹrọ. Awọn ohun-ini iṣọpọ wọn ṣe atilẹyin iyara giga ati awọn iṣẹ isare giga (fun apẹẹrẹ, 1m/s, 4G), jẹ ki wọn jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ lithography, awọn ọna ṣiṣe ayẹwo wafer, ati iṣelọpọ deede, imudara išedede iṣipopada pataki ati imudara esi esi.

Ohun elo išipopada Silicon Carbide (SiC).

Awọn ohun elo iṣipopada Silicon Carbide (SiC) jẹ awọn ẹya pataki ti a ṣe apẹrẹ fun awọn eto iṣipopada semikondokito giga-giga, lilo awọn ohun elo SiC iwuwo giga (fun apẹẹrẹ, Coresic® SP tabi Marvel Sic jara, porosity <0.1%) ati apẹrẹ igbekalẹ iwuwo fẹẹrẹ lati ṣaṣeyọri iwuwo ina ultra-pipa pẹlu imuduro giga 0. Pẹlu olùsọdipúpọ kekere-kekere ti imugboroosi gbona (≈4.5 × 10⁻⁶ / ℃), wọn rii daju iduroṣinṣin nanometric (flatness / parallelism ≤1μm) labẹ awọn iyipada gbona. Awọn ohun-ini iṣọpọ wọnyi ṣe atilẹyin iyara giga ati awọn iṣẹ isare giga (fun apẹẹrẹ, 1m/s, 4G), ṣiṣe wọn jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ lithography, awọn ọna ṣiṣe ayẹwo wafer, ati iṣelọpọ deede, imudara išedede iṣipopada pataki ati ṣiṣe esi ti o ni agbara.

Ohun alumọni Carbide (SiC) Optical Path Awo

Silicon Carbide (SiC) Plate Path Optical jẹ ipilẹ ipilẹ ipilẹ ti a ṣe apẹrẹ fun awọn ọna opopona-meji ninu ohun elo ayewo wafer. Ti a ṣelọpọ lati seramiki ohun alumọni carbide iṣẹ giga, o ṣaṣeyọri iwuwo fẹẹrẹ (iwuwo ≈3.1 g / cm³) ati lile giga (modules rirọ> 400 GPa) nipasẹ apẹrẹ igbekalẹ iwuwo fẹẹrẹ, lakoko ti o n ṣe afihan iye-kekere ti imugboroja igbona. (≈4.5×10⁻⁶/℃) ati iwuwo giga (porosity <0.1%), ni idaniloju iduroṣinṣin nanometric (flatness/parallelism ≤0.02mm) labẹ igbona ati awọn iyipada ẹrọ. Pẹlu iwọn ti o pọju nla (900 × 900mm) ati iṣẹ ṣiṣe okeerẹ alailẹgbẹ, o pese ipilẹ iṣagbesori iduroṣinṣin igba pipẹ fun awọn eto opiti, imudara išedede ayewo ati igbẹkẹle ni pataki. O ti wa ni lilo pupọ ni metrology semikondokito, titete opiti, ati awọn eto aworan pipe-giga.

Lẹẹdi + Tantalum Carbide Ti a bo Itọsọna Oruka

Iwọn Itọnisọna Ti a bo Graphite + Tantalum Carbide jẹ paati to ṣe pataki ti a ṣe apẹrẹ pataki fun ohun elo idagbasoke kristali ẹyọkan (SiC). Iṣẹ akọkọ rẹ ni lati taara taara ṣiṣan gaasi iwọn otutu giga, ni idaniloju isokan ati iduroṣinṣin ti iwọn otutu ati awọn aaye sisan laarin iyẹwu ifaseyin. Ti a ṣelọpọ lati inu sobusitireti lẹẹdi mimọ-giga (mimọ> 99.99%) ti a bo pẹlu ipele ti tantalum carbide (TaC) ti o wa ni ipamọ CVD (akoonu aimọ ti a bo <5 ppm), o ṣe afihan ifarapa igbona ti o tayọ (≈120 W / m·K) ati inira iwọn otutu to gaju 2200°C), ni imunadoko ni idilọwọ ibajẹ eefin ohun alumọni ati didipa itankale aimọ. Iṣọkan giga ti a bo (iyapa <3%, agbegbe agbegbe ni kikun) ṣe idaniloju itọnisọna gaasi deede ati igbẹkẹle iṣẹ igba pipẹ, ni ilọsiwaju didara ati ikore ti idagbasoke kristali ẹyọkan SiC.

Ohun alumọni Carbide (SiC) ileru Tube Áljẹbrà

Ohun alumọni Carbide (SiC) Inaro Furnace Tube

Silicon Carbide (SiC) tube Furnace inaro jẹ paati pataki ti a ṣe apẹrẹ fun ohun elo ile-iṣẹ iwọn otutu giga, ni akọkọ ti n ṣiṣẹ bi tube aabo ita lati rii daju pinpin igbona aṣọ kan laarin ileru labẹ oju-aye afẹfẹ, pẹlu iwọn otutu iṣiṣẹ aṣoju ti o to 1200 ° C. Ti a ṣelọpọ nipasẹ imọ-ẹrọ iṣelọpọ ti iṣelọpọ ti 3D, o ṣe ẹya ipilẹ akoonu aimọ ohun elo <300 ppm, ati pe o le ni ipese pẹlu yiyan ohun alumọni ohun alumọni CVD kan (awọn idoti ibori <5 ppm). Apapọ adaṣe igbona giga (≈20 W / m · K) ati iduroṣinṣin mọnamọna gbona (atako awọn gradients gbona> 800 ° C), o jẹ lilo pupọ ni awọn ilana iwọn otutu giga gẹgẹbi itọju ooru semikondokito, ohun elo photovoltaic sintering, ati iṣelọpọ seramiki deede, iṣelọpọ aṣọ igba pipẹ ati igbẹkẹle gigun.

Ohun alumọni Carbide (SiC) Horizontal Furnace Tube

Silicon Carbide (SiC) tube Furnace Furnace jẹ paati mojuto ti a ṣe apẹrẹ fun awọn ilana iwọn otutu ti o ga, ti n ṣiṣẹ bi tube ilana ti n ṣiṣẹ ni awọn oju-aye ti o ni atẹgun (gaasi ifaseyin), nitrogen (gaasi aabo), ati itọpa hydrogen kiloraidi, pẹlu iwọn otutu iṣẹ aṣoju ti o to 1250 ° C. Ti a ṣelọpọ nipasẹ imọ-ẹrọ iṣelọpọ ti iṣelọpọ ti 3D, o ṣe ẹya ipilẹ akoonu aimọ ohun elo <300 ppm, ati pe o le ni ipese pẹlu yiyan ohun alumọni ohun alumọni CVD kan (awọn idoti ibori <5 ppm). Apapọ adaṣe igbona giga (≈20 W / m · K) ati iduroṣinṣin mọnamọna gbona (atako awọn gradients gbona> 800 ° C), o jẹ apẹrẹ fun ibeere awọn ohun elo semikondokito bii ifoyina, kaakiri, ati ifisilẹ fiimu tinrin, aridaju iduroṣinṣin igbekalẹ ati iduroṣinṣin ipo-mimọ, awọn ipo mimọ-igba pipẹ.

SiC seramiki orita Arms Ifihan

Semikondokito Manufacturing

Ninu iṣelọpọ wafer semikondokito, awọn apa orita seramiki SiC jẹ lilo akọkọ fun gbigbe ati ipo awọn wafers, ti o wọpọ ni:

Ohun elo Ṣiṣe Wafer: Bii awọn kasẹti wafer ati awọn ọkọ oju-omi ilana, eyiti o ṣiṣẹ ni iduroṣinṣin ni iwọn otutu giga ati awọn agbegbe ilana ibajẹ.
Awọn ẹrọ Lithography: Ti a lo ni awọn paati deede bi awọn ipele, awọn itọsọna, ati awọn apa roboti, nibiti lile giga wọn ati abuku igbona kekere ṣe idaniloju išedede išipopada ipele nanometer.
Awọn ilana Etching ati Itankale: Ṣiṣẹ bi awọn atẹ ti ICP etching ati awọn paati fun awọn ilana itankale semikondokito, mimọ wọn giga ati resistance ipata ṣe idiwọ ibajẹ ninu awọn iyẹwu ilana.

Automation ise ati Robotik

Awọn apa orita seramiki SiC jẹ awọn paati pataki ni awọn roboti ile-iṣẹ giga ati ohun elo adaṣe:

Awọn Ipa Ipari Robotic: Ti a lo fun mimu, apejọ, ati awọn iṣẹ ṣiṣe deede. Awọn ohun-ini iwuwo fẹẹrẹ wọn (iwuwo ~ 3.21 g / cm³) mu iyara robot pọ si ati ṣiṣe, lakoko ti lile giga wọn (lile Vickers ~ 2500) ṣe idaniloju idiwọ yiya iyasọtọ.
Awọn laini iṣelọpọ adaṣe: Ninu awọn oju iṣẹlẹ ti o nilo igbohunsafẹfẹ giga, mimu to gaju (fun apẹẹrẹ, awọn ile itaja e-commerce, ibi ipamọ ile-iṣẹ), awọn apa orita SiC ṣe iṣeduro iṣẹ iduroṣinṣin igba pipẹ.

Aerospace ati New Energy

Ni awọn agbegbe ti o ni iwọn, awọn apa orita seramiki SiC ṣe amojuto resistance iwọn otutu giga wọn, resistance ipata, ati resistance mọnamọna gbona:

Aerospace: Ti a lo ninu awọn paati pataki ti ọkọ ofurufu ati awọn drones, nibiti iwuwo fẹẹrẹ wọn ati awọn ohun-ini agbara giga ṣe iranlọwọ lati dinku iwuwo ati imudara iṣẹ.
Agbara Tuntun: Ti a lo ni awọn ohun elo iṣelọpọ fun ile-iṣẹ fọtovoltaic (fun apẹẹrẹ, awọn ileru itọka) ati bi awọn paati igbekale pipe ni iṣelọpọ batiri lithium-ion.

Iṣaṣe iṣelọpọ ile-iwọn otutu-giga

Awọn apa orita seramiki SiC le duro awọn iwọn otutu ti o kọja 1600°C, ṣiṣe wọn dara fun:

Metallurgy, Awọn ohun elo amọ, ati Awọn ile-iṣẹ Gilasi: Ti a lo ninu awọn olufọwọyi ni iwọn otutu giga, awọn awo onipin, ati awọn awo titari.
Agbara iparun: Nitori idiwọ itọnju wọn, wọn dara fun awọn paati kan ninu awọn reactors iparun.

Awọn ohun elo iṣoogun

Ni aaye iṣoogun, awọn apa orita seramiki SiC jẹ lilo akọkọ fun:

Awọn Roboti Iṣoogun ati Awọn Ohun elo Iṣẹ-abẹ: Ti o niyelori fun ibaramu biocompatibility wọn, resistance ipata, ati iduroṣinṣin ni awọn agbegbe sterilization.

SiC Coating Akopọ

Iboju SiC jẹ ipon ati wiwọ-sooro ohun alumọni carbide Layer ti a pese sile nipasẹ ilana Isọsọ Vapor Kemikali (CVD). Ibora yii ṣe ipa pataki ninu awọn ilana epitaxial semikondokito nitori idiwọ ipata giga rẹ, iduroṣinṣin igbona ti o dara julọ, ati adaṣe igbona ti o tayọ (ti o wa lati 120-300 W / m · K). Lilo imọ-ẹrọ CVD to ti ni ilọsiwaju, a fi aṣọ SiC tinrin kan sori sobusitireti lẹẹdi, ni aridaju mimọ giga ti a bo ati iduroṣinṣin igbekalẹ.

Pẹlupẹlu, awọn gbigbe ti a bo SiC ṣe afihan agbara ẹrọ iyasọtọ ati igbesi aye iṣẹ gigun. Wọn jẹ iṣẹ-ṣiṣe lati koju awọn iwọn otutu giga (ti o lagbara lati ṣiṣẹ gigun ju 1600 ° C) ati awọn ipo kemikali lile ti o jẹ aṣoju ti awọn ilana iṣelọpọ semikondokito. Eyi jẹ ki wọn jẹ yiyan pipe fun awọn wafers epitaxial GaN, ni pataki ni igbohunsafẹfẹ giga-giga ati awọn ohun elo agbara-giga gẹgẹbi awọn ibudo ipilẹ 5G ati awọn ampilifaya iwaju-opin RF.

Data ti SiC Coating

Awọn ohun-ini aṣoju	Awọn ẹya	Awọn iye
Ilana		FCC β ipele
Iṣalaye	Ida (%)	111 ti o fẹ
Olopobobo iwuwo	g/cm³	3.21
Lile	Vickers líle	2500
Agbara Ooru	J·k-1 · K-1	640
Imugboroosi igbona 100–600°C (212–1112°F)	10-6K-1	4.5
Modulu ọdọ	Gpa (4pt tẹ, 1300℃)	430
Iwọn ọkà	μm	2 ~ 10
Sublimation otutu	℃	2700
Agbara Felexural	MPa (RT 4-ojuami)	415
Gbona elekitiriki	(W/mK)	300

Ohun alumọni Carbide seramiki igbekale Parts Akopọ

Ohun alumọni Carbide seramiki igbekale Awọn ẹya ara

Awọn paati igbekale seramiki ohun alumọni carbide ni a gba lati awọn patikulu carbide silikoni ti a so pọ nipasẹ sisọpọ. Wọn ti wa ni lilo pupọ ni ọkọ ayọkẹlẹ, ẹrọ, kemikali, semikondokito, imọ-ẹrọ aaye, microelectronics, ati awọn apa agbara, ti n ṣe ipa pataki ni ọpọlọpọ awọn ohun elo laarin awọn ile-iṣẹ wọnyi. Nitori awọn ohun-ini iyasọtọ wọn, awọn ohun elo igbekale seramiki ohun alumọni carbide ti di ohun elo pipe fun awọn ipo lile ti o kan iwọn otutu giga, titẹ giga, ipata, ati wọ, jiṣẹ iṣẹ igbẹkẹle ati gigun ni awọn agbegbe iṣẹ ṣiṣe nija.

Awọn paati wọnyi jẹ olokiki fun adaṣe igbona ti o tayọ wọn, eyiti o ṣe irọrun gbigbe ooru daradara ni ọpọlọpọ awọn ohun elo iwọn otutu giga. Iduro mọnamọna igbona atorunwa ti awọn ohun elo ohun alumọni carbide jẹ ki wọn koju awọn iyipada iwọn otutu iyara laisi fifọ tabi ikuna, ni idaniloju igbẹkẹle igba pipẹ ni awọn agbegbe igbona ti o ni agbara.

Agbara ifoyina innate ti awọn ohun elo igbekale seramiki ohun alumọni carbide jẹ ki wọn dara fun lilo ni awọn ipo ti o farahan si awọn iwọn otutu giga ati awọn agbegbe oxidative, ni idaniloju iṣẹ ṣiṣe iduroṣinṣin ati igbẹkẹle.

SiC Seal Parts Akopọ

Awọn edidi SiC jẹ yiyan ti o dara julọ fun awọn agbegbe lile (gẹgẹbi iwọn otutu giga, titẹ giga, media ipata, ati yiya iyara giga) nitori líle wọn ti o yatọ, yiya resistance, resistance iwọn otutu giga (lamu awọn iwọn otutu to 1600 ° C tabi paapaa 2000 ° C), ati resistance ipata. Iṣeduro igbona giga wọn jẹ ki itusilẹ ooru to munadoko, lakoko ti o jẹ alasọdipúpọ kekere wọn ati awọn ohun-ini lubricating ti ara ẹni siwaju sii rii daju igbẹkẹle lilẹ ati igbesi aye iṣẹ pipẹ labẹ awọn ipo iṣẹ to gaju. Awọn abuda wọnyi jẹ ki awọn edidi SiC ti a lo ni lilo pupọ ni awọn ile-iṣẹ bii petrochemicals, iwakusa, iṣelọpọ semikondokito, itọju omi idọti, ati agbara, idinku awọn idiyele itọju ni pataki, idinku akoko idinku, ati imudara iṣẹ ṣiṣe ati ailewu ohun elo.

SiC seramiki farahan Brief

Awọn awo seramiki Silicon Carbide (SiC) jẹ olokiki fun lile lile wọn (Mohs líle to 9.5, keji nikan si diamond), iṣiṣẹ igbona ti o dara julọ (julọ pupọ julọ awọn ohun elo amọ fun iṣakoso ooru to munadoko), ati ailagbara kemikali iyalẹnu ati ailagbara mọnamọna gbona (lamu awọn acids lagbara, awọn acids otutu ati iyara). Awọn ohun-ini wọnyi ṣe idaniloju iduroṣinṣin igbekale ati iṣẹ igbẹkẹle ni awọn agbegbe to gaju (fun apẹẹrẹ, iwọn otutu giga, abrasion, ati ipata), lakoko ti o fa igbesi aye iṣẹ ati idinku awọn iwulo itọju.

Awọn awo seramiki SiC jẹ lilo pupọ ni awọn aaye iṣẹ ṣiṣe giga:

• Awọn irinṣẹ Abrasives ati Lilọ: Lilo lile lile-giga fun iṣelọpọ awọn kẹkẹ lilọ ati awọn irinṣẹ didan, imudara pipe ati agbara ni awọn agbegbe abrasive.

• Awọn ohun elo Refractory: Ṣiṣẹ bi awọn ohun elo ileru ati awọn paati kiln, mimu iduroṣinṣin loke 1600 ° C lati mu imudara igbona ṣiṣẹ ati dinku awọn idiyele itọju.

• Ile-iṣẹ Semiconductor: Ṣiṣe bi awọn sobusitireti fun awọn ẹrọ itanna ti o ni agbara giga (fun apẹẹrẹ, awọn diodes agbara ati awọn amplifiers RF), n ṣe atilẹyin awọn iṣẹ agbara-giga ati iwọn otutu lati ṣe alekun igbẹkẹle ati ṣiṣe agbara.

• Simẹnti ati Simẹnti: Rirọpo awọn ohun elo ibile ni iṣelọpọ irin lati rii daju gbigbe gbigbe ooru daradara ati idena ipata kemikali, imudara didara irin-irin ati ṣiṣe-iye owo.

SiC Wafer Boat Áljẹbrà

Awọn ọkọ oju omi seramiki XKH SiC ṣe ifijiṣẹ iduroṣinṣin igbona giga, inertness kemikali, imọ-ẹrọ konge, ati ṣiṣe eto-ọrọ, pese ojutu ti ngbe iṣẹ giga fun iṣelọpọ semikondokito. Wọn ṣe alekun aabo mimu wafer ni pataki, mimọ, ati ṣiṣe iṣelọpọ, ṣiṣe wọn ni awọn paati pataki ni iṣelọpọ wafer ilọsiwaju.

Awọn abuda awọn ọkọ oju omi seramiki SiC:

Iduroṣinṣin Gbona Iyatọ & Agbara Imọ-ẹrọ: Ti a ṣe lati seramiki silikoni carbide (SiC), o duro de awọn iwọn otutu ti o kọja 1600 ° C lakoko ti o n ṣetọju iduroṣinṣin igbekalẹ labẹ gigun kẹkẹ gbona gbona. Imugboroosi igbona kekere rẹ dinku abuku ati fifọ, aridaju pipe ati ailewu wafer lakoko mimu.

• Iwa mimọ giga & Resistance Kemikali: Ti o ni SiC mimọ-giga-giga, o ṣe afihan resistance to lagbara si awọn acids, alkalis, ati awọn pilasima ibajẹ. Ilẹ inert ṣe idilọwọ ibajẹ ati ion leaching, ṣe aabo mimọ wafer ati imudara ikore ẹrọ.

• Imọ-iṣe deede & Isọdi: Ti ṣelọpọ labẹ awọn ifarada ti o muna lati ṣe atilẹyin ọpọlọpọ awọn iwọn wafer (fun apẹẹrẹ, 100mm si 300mm), ti o funni ni filati ti o ga julọ, awọn iwọn Iho aṣọ, ati aabo eti. Awọn aṣa isọdi ni ibamu si awọn ohun elo adaṣe ati awọn ibeere ọpa kan pato.

• Igbesi aye gigun & Iye-ṣiṣe: Ti a fiwera si awọn ohun elo ibile (fun apẹẹrẹ, quartz, alumina), seramiki SiC n pese agbara ẹrọ ti o ga julọ, fifọ fifọ, ati resistance mọnamọna ti o gbona, ti o pọju igbesi aye iṣẹ, idinku awọn iyipada iyipada, ati idinku iye owo lapapọ ti nini lakoko ti o nmu iṣelọpọ iṣelọpọ pọ si.

Awọn ohun elo ọkọ oju omi seramiki SiC:

Awọn ọkọ oju omi seramiki SiC jẹ lilo pupọ ni awọn ilana semikondokito iwaju-ipari, pẹlu:

• Awọn ilana iṣipopada: Bii LPCVD (Iwadi Ọru Kemikali-Kekere) ati PECVD (Imudara Ooru Kemikali ti Plasma).

• Awọn itọju otutu-giga: Pẹlu ifoyina gbona, annealing, itankale, ati ion gbin.

• Awọn ilana Itọpa ati Itọpa: Mimọ wafer ati awọn ipele mimu kemikali.

Ni ibamu pẹlu mejeeji ti oju aye ati awọn agbegbe ilana igbale,

wọn jẹ apẹrẹ fun awọn fabs ti n wa lati dinku awọn ewu ibajẹ ati ilọsiwaju ṣiṣe iṣelọpọ.

Awọn paramita ti SiC Wafer Boat:

Imọ-ini
Atọka	Ẹyọ	Iye
Orukọ ohun elo		Ifesi Sintered Silicon Carbide	Pressureless Sintered Silicon Carbide	Ohun alumọni Carbide ti a tunṣe
Tiwqn		RBSiC	SSiC	R-SiC
Olopobobo iwuwo	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Agbara Flexural	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Agbara titẹ	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Lile	Knoop	2700	2800	/
Kikan Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Gbona Conductivity	W/mk	95	120	23
olùsọdipúpọ ti Gbona Imugboroosi	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Ooru pato	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Iwọn otutu ti o pọju ni afẹfẹ	℃	1200	1500	1600
Modulu rirọ	Gpa	360	410	240

SiC Ceramics Orisirisi Aṣa irinše Ifihan

SiC seramiki Membrane

SiC seramiki awọ ara jẹ ojutu isọdi ti ilọsiwaju ti a ṣe lati inu ohun alumọni ohun alumọni mimọ, ti o ni ifihan ẹya-ara ti o lagbara mẹta-ila (alapalẹ atilẹyin, Layer iyipada, ati awọ ara iyapa) ti a ṣe nipasẹ awọn ilana isunmọ iwọn otutu giga. Apẹrẹ yii ṣe idaniloju agbara ẹrọ alailẹgbẹ, pinpin iwọn pore deede, ati agbara to dayato. O tayọ ni awọn ohun elo ile-iṣẹ oniruuru nipasẹ yiya sọtọ daradara, fifokansi, ati awọn omi mimu di mimọ. Awọn lilo bọtini pẹlu omi ati itọju omi idọti (yiyọ awọn ipilẹ ti o daduro, awọn kokoro arun, ati awọn idoti Organic), ṣiṣe ounjẹ ati ohun mimu (ṣalaye ati awọn oje ifọkansi, ifunwara, ati awọn olomi fermented), elegbogi ati awọn iṣẹ imọ-ẹrọ (iwẹwẹ biofluids ati awọn agbedemeji), iṣelọpọ kemikali (sisẹ awọn fifa ibajẹ ati awọn ayase), ati yiyọ omi ati gaasi ti a ṣejade.

SiC Pipes

Awọn tubes SiC (silicon carbide) jẹ awọn ohun elo seramiki ti o ga julọ ti a ṣe apẹrẹ fun awọn eto ileru semikondokito, ti a ṣelọpọ lati inu ohun alumọni ohun alumọni didara-mimọ giga nipasẹ awọn imuposi sintering ilọsiwaju. Wọn ṣe afihan adaṣe igbona ti o tayọ, iduroṣinṣin iwọn otutu (laarin 1600 ° C), ati resistance ipata kemikali. Olusọdipúpọ imugboroja igbona kekere wọn ati agbara ẹrọ giga ṣe idaniloju iduroṣinṣin iwọn labẹ gigun kẹkẹ igbona giga, ni imunadoko idinku abuku aapọn gbona ati yiya. Awọn tubes SiC dara fun awọn ileru itankale, awọn ileru ifoyina, ati awọn ọna ṣiṣe LPCVD/PECVD, muu pinpin iwọn otutu aṣọ ati awọn ipo ilana iduroṣinṣin lati dinku awọn abawọn wafer ati ilọsiwaju isokan-fiimu tinrin. Ni afikun, ipon, ọna ti ko ni la kọja ati ailagbara kemikali ti SiC koju ogbara lati awọn gaasi ifaseyin bii atẹgun, hydrogen, ati amonia, gigun igbesi aye iṣẹ ati aridaju mimọ ilana. Awọn tubes SiC le ṣe adani ni iwọn ati sisanra ogiri, pẹlu ẹrọ ṣiṣe deede ti n ṣaṣeyọri awọn ipele inu inu dan ati ifọkansi giga lati ṣe atilẹyin ṣiṣan laminar ati awọn profaili iwọn otutu iwọntunwọnsi. Ipara didan tabi awọn aṣayan ibora siwaju dinku iran patiku ati imudara ipata resistance, pade awọn ibeere okun ti iṣelọpọ semikondokito fun pipe ati igbẹkẹle.

SiC seramiki Cantilever Paddle

Apẹrẹ monolithic ti awọn abẹfẹlẹ cantilever SiC ṣe pataki ni imudara agbara ẹrọ ati isokan gbona lakoko imukuro awọn isẹpo ati awọn aaye ailagbara ti o wọpọ ni awọn ohun elo akojọpọ. Ilẹ wọn jẹ pipe-didan si ipari digi-isunmọ, idinku iran patikulu ati ipade awọn ajohunše yara mimọ. Awọn inertia kemikali inertia ti SiC ṣe idilọwọ ijade, ipata, ati ibajẹ ilana ni awọn agbegbe ifaseyin (fun apẹẹrẹ, atẹgun, nya si), aridaju iduroṣinṣin ati igbẹkẹle ninu awọn ilana itankale / ifoyina. Pelu gigun kẹkẹ igbona iyara, SiC n ṣetọju iduroṣinṣin igbekalẹ, gigun igbesi aye iṣẹ ati idinku akoko itọju. Iseda iwuwo fẹẹrẹ ti SiC ngbanilaaye esi igbona yiyara, iyara alapapo / awọn oṣuwọn itutu ati imudara iṣelọpọ ati ṣiṣe agbara. Awọn abẹfẹlẹ wọnyi wa ni awọn iwọn isọdi (ibaramu pẹlu 100mm si 300mm + wafers) ati ni ibamu si ọpọlọpọ awọn aṣa ileru, jiṣẹ iṣẹ ṣiṣe deede ni mejeeji iwaju-iwaju ati awọn ilana semikondokito-ipari.

Alumina Vacuum Chuck Ifihan

Awọn chucks igbale Al₂O₃ jẹ awọn irinṣẹ pataki ni iṣelọpọ semikondokito, n pese atilẹyin iduroṣinṣin ati kongẹ kọja awọn ilana lọpọlọpọ:• Tinrin: Nfunni atilẹyin aṣọ nigba tinrin wafer, aridaju idinku sobusitireti titọ-giga lati jẹki itujade ooru chirún ati iṣẹ ẹrọ.
Dicing: Pese adsorption to ni aabo lakoko dicing wafer, idinku awọn eewu ibajẹ ati idaniloju awọn gige mimọ fun awọn eerun kọọkan.
Ninu: Dandan rẹ, dada adsorption aṣọ ile jẹ ki yiyọ idoti ti o munadoko laisi ibajẹ awọn wafers lakoko awọn ilana mimọ.
Gbigbe: Pese atilẹyin igbẹkẹle ati aabo lakoko mimu wafer ati gbigbe, idinku awọn eewu ti ibajẹ ati ibajẹ.

Awọn abuda bọtini Al₂O₃ Vacuum Chuck:

1.Uniform Micro-Porous Seramiki Technology
• Lilo awọn nano-lulú lati ṣẹda boṣeyẹ pin ati awọn pores ti o ni asopọ, ti o mu ki porosity ti o ga julọ ati ipilẹ ipon ti iṣọkan fun atilẹyin wafer ti o ni ibamu ati ti o gbẹkẹle.

2.Exceptional Material Properties
-Ti a ṣe lati ultra-pure 99.99% alumina (Al₂O₃), o ṣafihan:
Awọn ohun-ini Ooru: Idaabobo ooru giga ati adaṣe igbona ti o dara julọ, o dara fun awọn agbegbe semikondokito iwọn otutu giga.
• Awọn ohun-ini ẹrọ: Agbara giga ati lile rii daju agbara, wọ resistance, ati igbesi aye iṣẹ pipẹ.
Awọn anfani afikun : Idabobo itanna ti o ga julọ ati idabobo ipata, ti o ni ibamu si awọn ipo iṣelọpọ oniruuru.

3. Fifẹ ti o ga julọ ati Iparapọ• Ṣe idaniloju kongẹ ati mimu wafer iduroṣinṣin pẹlu fifẹ giga ati parallelism, idinku awọn eewu ibajẹ ati idaniloju awọn abajade sisẹ deede. Permeability afẹfẹ ti o dara ati agbara adsorption aṣọ siwaju mu igbẹkẹle iṣiṣẹ pọ si.

Al₂O₃ vacuum Chuck ṣepọ imọ-ẹrọ micro-porous to ti ni ilọsiwaju, awọn ohun-ini ohun elo alailẹgbẹ, ati konge giga lati ṣe atilẹyin awọn ilana semikondokito to ṣe pataki, ni idaniloju ṣiṣe, igbẹkẹle, ati iṣakoso ibajẹ kọja tinrin, dicing, mimọ, ati awọn ipele gbigbe.

Alumina Robot Arm & Alumina Ceramic End Effector Brief

Alumina (Al₂O₃) awọn apa roboti seramiki jẹ awọn paati pataki fun mimu wafer ni iṣelọpọ semikondokito. Wọn kan si awọn wafer taara ati pe wọn ṣe iduro fun gbigbe deede ati ipo ni awọn agbegbe ti o nbeere gẹgẹbi igbale tabi awọn ipo iwọn otutu giga. Iye pataki wọn wa ni idaniloju aabo wafer, idilọwọ ibajẹ, ati imudara iṣẹ ṣiṣe ohun elo ati ikore nipasẹ awọn ohun-ini ohun elo alailẹgbẹ.

a-typical-wafer-transfer-robot_230226_副本

Iwọn ẹya-ara	Apejuwe alaye
Awọn ohun-ini ẹrọ	Alumina mimọ-giga (fun apẹẹrẹ,> 99%) pese líle giga (lile Mohs to 9) ati agbara irọrun (to 250-500 MPa)
Itanna idabobo	Atako iwọn otutu ti yara to 10¹⁵ Ω·cm ati agbara idabobo ti 15 kV/mm ṣe idiwọ itusilẹ elekitirosi ni imunadoko (ESD), aabo awọn wafers ifura lati kikọlu itanna ati ibajẹ.
Iduroṣinṣin gbona	Ojuami yo bi giga bi 2050°C ngbanilaaye lati koju awọn ilana iwọn otutu giga (fun apẹẹrẹ, RTA, CVD) ni iṣelọpọ semikondokito. Olusọdipúpọ igbona igbona kekere dinku ijagun ati ṣetọju iduroṣinṣin iwọn labẹ ooru.
Kemikali inertness	Inert si pupọ julọ awọn acids, alkalis, awọn gaasi ilana, ati awọn aṣoju mimọ, idilọwọ ibajẹ patiku tabi itusilẹ ion irin. Eyi ṣe idaniloju agbegbe iṣelọpọ olekenka-mimọ ati yago fun idoti dada wafer.
Awọn anfani miiran	Imọ-ẹrọ processing ti ogbo nfunni ni iye owo ti o ga julọ; roboto le jẹ konge-didan si kekere roughness, siwaju atehinwa particulate iran ewu.

Awọn apa roboti seramiki alumina ni lilo akọkọ ni awọn ilana iṣelọpọ semikondokito iwaju-ipari, pẹlu:

Mimu Wafer ati Ipo: Ni aabo ati gbigbe ni deede ati awọn wafers ipo (fun apẹẹrẹ, 100mm si 300mm+ awọn iwọn) ni igbale tabi awọn agbegbe gaasi inert mimọ-giga, idinku ibajẹ ati awọn ewu ibajẹ.

• Awọn ilana Igi-giga: Iru bii annealing gbigbona iyara (RTA), ifasilẹ eefin ti kemikali (CVD), ati pilasima etching, nibiti wọn ti ṣetọju iduroṣinṣin labẹ awọn iwọn otutu giga, ṣiṣe aridaju aitasera ilana ati ikore.

• Awọn ọna mimu Wafer Aifọwọyi: Ijọpọ sinu awọn roboti mimu wafer bi awọn ipa ipari lati ṣe adaṣe gbigbe wafer laarin ohun elo, imudara iṣelọpọ iṣelọpọ.

Ipari

XKH ṣe amọja ni R&D ati iṣelọpọ ti ohun alumọni carbide (SiC) ti adani (SiC) ati alumina (Al₂O₃) awọn paati seramiki, pẹlu awọn apa roboti, awọn paddle cantilever, chucks vacuum, awọn ọkọ oju omi wafer, awọn tubes ileru, ati awọn ẹya iṣẹ ṣiṣe giga miiran, ṣiṣe awọn semiconductors, agbara titun, afẹfẹ afẹfẹ, ati awọn temperature giga. A faramọ iṣelọpọ konge, iṣakoso didara ti o muna, ati ĭdàsĭlẹ imọ-ẹrọ, mimu awọn ilana isọdọtun ti ilọsiwaju (fun apẹẹrẹ, sintering ti ko ni titẹ, ipadanu esi) ati awọn imuposi ẹrọ konge (fun apẹẹrẹ, lilọ CNC, didan) lati rii daju pe ailagbara iwọn otutu giga, agbara ẹrọ, inertness kemikali, ati deede iwọn. A ṣe atilẹyin isọdi ti o da lori awọn iyaworan, fifunni awọn solusan ti a ṣe deede fun awọn iwọn, awọn apẹrẹ, awọn ipari dada, ati awọn onipò ohun elo lati pade awọn ibeere alabara kan pato. A ṣe ileri lati pese awọn ohun elo seramiki ti o gbẹkẹle ati lilo daradara fun iṣelọpọ giga-giga agbaye, imudara iṣẹ ṣiṣe ohun elo ati ṣiṣe iṣelọpọ fun awọn alabara wa.

Ti tẹlẹ: Diamond Waya Olona-Wire High-Speed High-konge sisale golifu Ige Machine

Itele: Ologbele-idabobo ohun alumọni Carbide (SiC) Sobusitireti High-nw Fun Ar gilaasi