Wafer 4H-SiC 12-Inch fún àwọn gíláàsì AR

Àpò ìfọṣọ 4H-SiC 12-Inch fún àwọn gíláàsì AR Àwòrán tí a fi hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

ÀwọnSẹ́bìtì onígun mẹ́jìlá 12 tí ó ń lo ẹ̀rọ amúlétutù 4H-SiC (silikoni carbide)jẹ́ wafer semiconductor onígun mẹ́rẹ̀ẹ̀rin tó tóbi púpọ̀ tí a ṣe àgbékalẹ̀ fún ìran tó ń bọ̀folti giga, agbara giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati iwọn otutu gigaṢíṣe iṣẹ́ ẹ̀rọ itanna agbára. Lílo àwọn àǹfààní pàtàkì ti SiC—bíiaaye ina mọnamọna pataki giga, iyara gbigbe elekitironi ti o kun fun agbara giga, agbara igbona giga, àtiiduroṣinṣin kemikali to dara julọ— a gbé ohun èlò yìí kalẹ̀ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìpìlẹ̀ fún àwọn ìpèsè ẹ̀rọ agbára tó ti ní ìlọsíwájú àti àwọn ohun èlò ìfọṣọ onípele ńlá tó ń jáde.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àwòrán Àlàyé

Àkótán Àkótán

Lati koju awọn ibeere gbogbo ile-iṣẹ funidinku iye owo ati ilọsiwaju iṣelọpọ, iyipada lati inu ohun gbogboSiC 6–8 inches to SiC 12-inchÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ ni a mọ̀ sí ipa ọ̀nà pàtàkì. Wafer oníwọ̀n 12-inch kan ń pese agbègbè tí ó tóbi ju àwọn ìrísí kékeré lọ, èyí tí ó ń jẹ́ kí ìṣẹ̀dá kú tó ga jùlọ fún wafer kọ̀ọ̀kan, tí ó ń mú kí lílo wafer dára sí i, àti ìdínkù ìpíndọ́gba àlàfo etí—nípa bẹ́ẹ̀ ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìṣàtúnṣe iye owó iṣẹ́ gbogbogbòò jákèjádò ẹ̀wọ̀n ìpèsè.

Ipa ọna idagbasoke kristali ati ṣiṣe wafer

A ṣe àgbékalẹ̀ 4H-SiC onígun 12 yìí nípasẹ̀ ìbòrí ẹ̀wọ̀n iṣẹ́ pípé kanìdàgbàsókè irúgbìn, ìdàgbàsókè kirisita kan ṣoṣo, ìfọ́mọ́, fífẹ́ díẹ̀díẹ̀, àti dídán, ni atẹle awọn ilana iṣelọpọ semiconductor boṣewa:

Ìmúgbòòrò irúgbìn nípasẹ̀ Physical Vapor Transport (PVT):
12-inch kanKírísítà irúgbìn 4H-SiCA gba nipasẹ imugboroosi iwọn ila opin nipa lilo ọna PVT, ti o mu ki idagbasoke atẹle ti awọn boules 4H-SiC conductive 12-inch.
Ìdàgbàsókè ti kirisita onírin 4H-SiC kanṣoṣo:
Olùdarín⁺ 4H-SiCA le ṣe àṣeyọrí ìdàgbàsókè kanṣoṣo nípa fífi nitrogen sínú àyíká ìdàgbàsókè láti pèsè ìtọ́jú onífúnni tí a ṣàkóso.
Iṣẹ́ ìṣẹ̀dá wafer (ìṣiṣẹ́ semiconductor boṣewa):
Lẹ́yìn tí a bá ti ṣe àkójọpọ̀ àwọn ohun èlò ìṣẹ́po, a máa ń ṣe àwọn ohun èlò ìṣẹ́pogígé lésà, tele mifífẹ́ díẹ̀díẹ̀, dídán (pẹ̀lú ìparí ipele CMP), àti mímú mọ́.
Awọn sisanra ti o wa ninu substrate jẹ560 μm.

A ṣe àgbékalẹ̀ ọ̀nà ìṣọ̀kan yìí láti ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè tó dúró ṣinṣin ní ìwọ̀n ìlà-oòrùn tó tóbi púpọ̀ nígbàtí a ń pa ìwà títọ́ kirisita mọ́ àti àwọn ohun-ìní iná mànàmáná tó dúró ṣinṣin mọ́.

Láti rí i dájú pé a ṣe àyẹ̀wò dídára tó péye, a máa ń lo àpapọ̀ àwọn irinṣẹ́ ìṣètò, opitika, iná mànàmáná, àti àbùkù:

Raman spectroscopy (àwòrán agbègbè):ìfìdí múlẹ̀ ìṣọ̀kan onírúurú lórí ìbòrí wafer náà
Onímọ̀krósíkì ojú tí a ti ṣe aládàáṣe pátápátá (ìṣe àwòrán wafer):ìwádìí àti ìṣàyẹ̀wò ìṣirò ti àwọn micropipes
Ìlànà ìdènà àìfọwọ́kàn (àwòrán wafer):Pínpín ìdènà ìdènà lórí ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ibi ìwọ̀n
Ìyàtọ̀ X-ray tó ní ìpele gíga (HRXRD):iṣiro ti didara kirisita nipasẹ awọn wiwọn titọka titan
Ayẹwo ìyípadà (lẹ́yìn yíyan ìfọ́nrán):ìṣàyẹ̀wò ìwọ̀n ìyípadà àti ìrísí (pẹ̀lú ìtẹnumọ́ lórí ìtúpalẹ̀ àwọn skru)

wafer sic 10

Àwọn Àbájáde Iṣẹ́ Pàtàkì (Aṣojú)

Àwọn àbájáde ìṣàfihàn fihàn pé substrate 4H-SiC onígun 12-inch tó ní ìdàpọ̀ tó lágbára ń fi agbára ohun èlò tó lágbára hàn lórí àwọn pàrámítà pàtàkì:

(1) Ìmọ́tótó àti ìṣọ̀kan onírúurú

Àwọn ìfihàn àwòrán agbègbè RamanIbora iru polytype 4H-SiC 100%kọja ilẹ-ilẹ naa.
A kò rí ìfikún àwọn polytypes mìíràn (fún àpẹẹrẹ, 6H tàbí 15R), èyí tí ó fi hàn pé ìṣàkóso polytype tó dára jùlọ ní ìwọ̀n 12-inch.

(2) Ìwọ̀n pípẹ́ micropaipu (MPD)

Ìṣàfihàn onímọ̀-ẹ̀rọ-ìwọ̀n-wafer fi hàn péiwuwo paipu kekere < 0.01 cm⁻², tí ó ń ṣàfihàn bí ẹ̀ka àbùkù ẹ̀rọ yìí ṣe ń dínkù dáadáa.

(3) Ìdènà iná mànàmáná àti ìṣọ̀kan rẹ̀

Àwòrán ìdènà àìfọwọ́kàn (ìwọ̀n ojú-ìwọ̀n 361) fihàn:
- Iwọn resistance:20.5–23.6 mΩ·cm
- Ifarabalẹ apapọ:22.8 mΩ·cm
- Àìbáramu:< 2%
  Àwọn àbájáde wọ̀nyí fi hàn pé ó dára láti fi àwọn èròjà oníṣẹ́-abẹ ṣe àtúnṣe àti pé ó dára láti fi àwọn èròjà oníṣẹ́-abẹ ṣe àtúnṣe.

(4) Didara kirisita (HRXRD)

Àwọn ìwọ̀n ìtẹ̀sí HRXRD lórí(004) àtúnṣe, tí a mú níawọn aaye marunní ìtọ́sọ́nà iwọn ila opin wafer, fihàn:
- Àwọn òkè kan ṣoṣo, tí ó fẹ́rẹ̀ẹ́ dọ́gba láìsí ìwà tó ga jùlọ, èyí tó ń fi hàn pé kò sí àwọn àmì ààlà ọkà tó wà ní igun kékeré.
- Àròpín FWHM:20.8 arcsec (″), tí ó ń fi hàn pé ó ní ìdárayá kirisita gíga.

(5) Ìwọ̀n ìtúpalẹ̀ skru (TSD)

Lẹ́yìn yíyan ìfọ́mọ́ra àti àyẹ̀wò aládàáṣe,iwuwo tituka dabarua wọn ní2 cm⁻², tí ó fi hàn pé TSD kékeré ní ìwọ̀n 12-inch.

Ìparí láti inú àwọn àbájáde tí a mẹ́nu kàn lókè yìí:
Substrate naa fihanìwẹ̀nùmọ́ onírúurú 4H tó dára gan-an, ìwọ̀n micropipe tó kéré gan-an, ìdúróṣinṣin àti ìdúróṣinṣin tó rọrùn, dídára kristali tó lágbára, àti ìwọ̀n ìyípadà skru kékeré, ti o ṣe atilẹyin fun ibamu rẹ fun iṣelọpọ ẹrọ ilọsiwaju.

Iye ati Awọn Anfani Ọja

Mu iṣilọ iṣelọpọ SiC inch 12 ṣiṣẹ
Pese ipilẹ substrate didara giga ti o baamu pẹlu itọsọna ile-iṣẹ si iṣelọpọ wafer SiC inch 12.
Ìwọ̀n àbùkù kékeré fún ìdàgbàsókè àti ìgbẹ́kẹ̀lé ẹ̀rọ tí a mú sunwọ̀n síi
Ìwọ̀n micropaipu kékeré tó kéré gan-an àti ìwọ̀n ìyípadà skru kékeré ń dín àwọn ọ̀nà ìpàdánù ìyọrísí búburú àti parametric kù.
Iṣọkan itanna to dara julọ fun iduroṣinṣin ilana
Pínpín ìdènà líle ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè sí ìṣọ̀kan ẹ̀rọ wafer-sí-wafer àti ìṣọ̀kan ẹ̀rọ wafer láàárín.
Didara kirisita giga ti o ṣe atilẹyin fun epitaxy ati sisẹ ẹrọ
Àwọn àbájáde HRXRD àti àìsí àwọn àmì ìbúwọ́lé ààlà ọkà onígun kékeré fi hàn pé ohun èlò náà dára fún ìdàgbàsókè epitaxial àti ṣíṣe ẹ̀rọ náà.

Àwọn Ohun Èlò Àfojúsùn

Sẹ́bìtì 4H-SiC onígun 12-inch náà wúlò fún:

Awọn ẹrọ agbara SiC:MOSFETs, àwọn diode ìdènà Schottky (SBD), àti àwọn ètò tó jọra
Awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina:àwọn inverters traction main, àwọn chargers inú ọkọ̀ (OBC), àti àwọn converters DC-DC
Agbára àti àkójọpọ̀ tó ṣeé ṣe:awọn inverters photovoltaic, awọn eto ipamọ agbara, ati awọn modulu grid ọlọgbọn
Awọn ẹrọ itanna agbara ile-iṣẹ:awọn ipese agbara ti o munadoko giga, awọn awakọ mọto, ati awọn iyipada foliteji giga
Awọn ibeere wafer agbegbe nla ti n jade:Iṣakojọpọ to ti ni ilọsiwaju ati awọn ipo iṣelọpọ semiconductor miiran ti o ni ibamu pẹlu 12-inch

Awọn ibeere ti a beere nigbagbogbo – Substrate 4H-SiC onirin 12-Inch

I. Iru substrate SiC wo ni ọja yii?

A:
Ọjà yìí jẹ́Ìdarí onígun mẹ́jìlá (n⁺-type) 4H-SiC onígun mẹ́rìnlá, tí a gbìn nípasẹ̀ ọ̀nà Physical Vapor Transport (PVT) tí a sì ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ nípa lílo àwọn ọ̀nà ìwafẹ́ semiconductor boṣewa.

Ibeere 2. Kilode ti a fi yan 4H-SiC gege bi polytype?

A:
4H-SiC n pese apapo ti o dara julọgbigbe elekitironi giga, bandgap gbooro, aaye fifọ giga, ati agbara itusilẹ ooruláàrín àwọn polytypes SiC tó báramu ní ti ìṣòwò. Ó jẹ́ polytype tó gbajúmọ̀ jùlọ tí a lò fúnawọn ẹrọ SiC giga-folti ati agbara giga, bíi MOSFETs àti Schottky diodes.

Ìbéèrè 3. Àwọn àǹfààní wo ló wà nínú gbígbé láti àwọn ohun èlò SiC tó ní ìwọ̀n 8-inch sí 12-inch?

A:
Wafer SiC 12-inch kan pese:

Ni patakiagbegbe ilẹ ti o tobi julọ ti o le lo
Ijade die ti o ga julọ fun wafer kan
Ipin pipadanu eti-isalẹ
Ìbámu tí a mú dara síi pẹ̀lúAwọn laini iṣelọpọ semiconductor 12-inch to ti ni ilọsiwaju

Àwọn kókó wọ̀nyí ló ń ṣe àfikún taara síiye owo kekere fun ẹrọ kanati ṣiṣe iṣelọpọ ti o ga julọ.

Nipa re

XKH jẹ́ amọ̀jọ̀gbọ́n nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga, ìṣẹ̀dá, àti títà àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì optíkì pàtàkì àti àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì tuntun. Àwọn ọjà wa ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna optíkì, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, àti àwọn ológun. A ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ Sapphire optíkì, àwọn ìbòrí lẹ́ǹsì fóònù alágbéká, àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ sémíkà, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, àti àwọn wafers crystal semiconductor. Pẹ̀lú ìmọ̀ tó ní ìmọ̀ àti àwọn ohun èlò tó ti pẹ́, a tayọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò tí kì í ṣe déédé, a ń gbìyànjú láti jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga tó ń lo ohun èlò optoelectronic.