A le ṣe àtúnṣe irú SiC Inṣi 12. Iwọn opin 300mm. Sisanra 750μm. Iru 4H-N le jẹ́ àtúnṣe.

Àwọ̀ SiC Inṣi 12 Ìwọ̀n Ìwọ̀n 300mm Sísanra 750μm 4H-N Irú rẹ̀ ni a lè ṣe àtúnṣe Àwòrán tí a fi hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ní àkókò pàtàkì kan nínú ìyípadà ilé iṣẹ́ semiconductor sí àwọn ojútùú tó gbéṣẹ́ jù àti tó rọrùn, ìfarahàn substrate SiC inṣi 12 (substrate silicon carbide inṣi 12) ti yí ojú ilẹ̀ padà pátápátá. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ìlànà ìbílẹ̀ 6-inch àti 8-inch, àǹfààní ńlá ti substrate inṣi 12 náà mú kí iye àwọn eerun tí a ń ṣe fún wafer kọ̀ọ̀kan pọ̀ sí i ní ìlọ́po mẹ́rin. Ní àfikún, iye owó ẹyọkan ti substrate SiC inṣi 12 dínkù sí 35-40% ní ìfiwéra pẹ̀lú substrate inṣi 8 ti ìbílẹ̀, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún gbígbà àwọn ọjà ìkẹyìn káàkiri.
Nípa lílo ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdàgbàsókè ọkọ̀ afẹ́fẹ́ wa, a ti ṣàṣeyọrí ìṣàkóso tó ga jùlọ lórí ìwọ̀n ìyípadà nínú àwọn kirisita oníwọ̀n 12-inch, èyí sì ń pèsè ìpìlẹ̀ ohun èlò tó tayọ fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ tó ń bọ̀. Ìlọsíwájú yìí ṣe pàtàkì gan-an láàárín àìtó àwọn ègé kéékèèké kárí ayé lọ́wọ́lọ́wọ́.

Àwọn ẹ̀rọ agbára pàtàkì nínú àwọn ohun èlò ojoojúmọ́—bíi àwọn ibùdó gbigba agbára kíákíá EV àti àwọn ibùdó ìpìlẹ̀ 5G—ń gba substrate ńlá yìí sí i. Pàápàá jùlọ ní àwọn àyíká ìṣiṣẹ́ líle, voltage gíga, àti àwọn àyíká ìṣiṣẹ́ líle mìíràn, substrate SiC 12-inch fi ìdúróṣinṣin tí ó ga ju àwọn ohun èlò tí a fi silicon ṣe lọ hàn.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Ìlànà Ìsàlẹ̀ Silikoni Carbide (SiC) 12 inches
Ipele		Iṣelọpọ ZeroMPD Ipele (Ipele Z)	Iṣelọpọ Boṣewa Ipele (Ipele P)		Ipele Dídán (Ìpele D)
Iwọn opin		3 0 0 mm ~ 1305mm
Sisanra	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Ìtọ́sọ́nà Wafer		Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <1120 >±0.5° fún 4H-N, Ní ìsàlẹ̀: <0001>±0.5° fún 4H-SI
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Àìfaradà	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́		{10-10} ±5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́	4H-N	Kò sí
	4H-SI	Notch
Ìyọkúrò Etí		3 mm
LTV/TTV/Tọfà/Wọpa		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Ríru		Pólándì Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí			Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm, gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm Agbegbe apapọ ≤0.1% Agbegbe apapọ≤3% Agbegbe apapọ ≤3% Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer
Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2mm fífẹ̀ àti jíjìn			7 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan
Ìyọkúrò skru okùn (TSD)		≤500 cm-2		Kò sí
(BPD) Ìyípòpadà ọkọ̀ òfurufú ìsàlẹ̀		≤1000 cm-2		Kò sí
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga		Kò sí
Àkójọ		Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo
Àwọn Àkíyèsí:
1 Ààlà àbùkù kan gbogbo ojú ilẹ̀ wafer àyàfi agbègbè ìyàsọ́tọ̀ etí. 2 O yẹ ki a ṣayẹwo awọn ọra naa lori oju Si nikan. 3 Dátà ìyọkúrò náà wá láti inú àwọn wafers KOH tí a fi ewé kọ nìkan.

Àwọn Ohun Pàtàkì

1. Agbára Ìṣẹ̀dá àti Àwọn Àǹfààní Owó: Ìṣẹ̀dá àpapọ̀ ti substrate SiC 12-inch (substrate silicon carbide 12-inch) sàmì sí àkókò tuntun nínú iṣẹ́ semiconductor. Iye àwọn chips tí a lè rí láti inú wafer kan dé ìlọ́po 2.25 ju ti substrate 8-inch lọ, èyí tí ó ń fa ìlọsókè ní tààrà nínú iṣẹ́ ṣíṣe. Èsì àwọn oníbàárà fihàn pé lílo substrate 12-inch ti dín iye owó iṣẹ́ module power wọn kù sí 28%, èyí sì ń ṣẹ̀dá àǹfààní ìdíje pàtàkì nínú ọjà tí ó ń jà gidigidi.
2. Àwọn Ànímọ́ Tí Ó Tayọ̀: Súbìtì SiC 12-inch jogún gbogbo àǹfààní ohun èlò silicon carbide - agbára ìgbóná rẹ̀ jẹ́ ìlọ́po mẹ́ta ti silicon, nígbàtí agbára pápá ìfọ́ rẹ̀ dé ìlọ́po mẹ́wàá ti silicon. Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí mú kí àwọn ẹ̀rọ tí a gbé ka orí àwọn ohun èlò 12-inch lè ṣiṣẹ́ dáadáa ní àyíká igbóná gíga tí ó ju 200°C lọ, èyí tí ó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò bí ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná.
3. Ìmọ̀-ẹ̀rọ Ìtọ́jú Ojú: A ti ṣe àgbékalẹ̀ ìlànà ìyọ́mọ́ kẹ́míkà tuntun (CMP) pàtó fún àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 12-inch, tí ó sì ń ṣe àṣeyọrí dídán ojú ilẹ̀ atomiki (Ra<0.15nm). Ìṣẹ̀lẹ̀ yìí yanjú ìpèníjà kárí ayé ti ìtọ́jú ojú ilẹ̀ silicon carbide wafer oníwọ̀n 100-100, ó sì ń mú àwọn ìdènà kúrò fún ìdàgbàsókè epitaxial tó ga jùlọ.
4. Iṣẹ́ Ìṣàkóso Ooru: Nínú àwọn ohun èlò tó wúlò, àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 12-inch fi agbára ìtújáde ooru tó yanilẹ́nu hàn. Àwọn ìwádìí fihàn pé lábẹ́ agbára kan náà, àwọn ohun èlò tó ń lo àwọn ohun èlò oníwọ̀n 12-inch ń ṣiṣẹ́ ní ìwọ̀n otútù 40-50°C sí ìsàlẹ̀ ju àwọn ohun èlò tó dá lórí silicon lọ, èyí sì ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà pẹ́ sí i ní àkókò tó yẹ.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

1. Eto Ayika Ọkọ Agbára Tuntun: Substrate SiC inṣi 12 (substrate silicon carbide inṣi 12) n yi eto agbara ọkọ ina pada. Lati awọn ṣaja inu ọkọ (OBC) si awọn inverters awakọ akọkọ ati awọn eto iṣakoso batiri, awọn ilọsiwaju ṣiṣe ti awọn substrate inṣi 12 mu pọ si ibiti ọkọ ayọkẹlẹ wa nipasẹ 5-8%. Awọn ijabọ lati ọdọ oluṣe ọkọ ayọkẹlẹ olokiki kan fihan pe lilo awọn substrate inṣi 12 wa dinku pipadanu agbara ninu eto gbigba agbara iyara wọn nipasẹ 62%.
2. Ẹ̀ka Agbára Tí A Lè Ṣètúnṣe: Nínú àwọn ibùdó agbára fọ́tòvoltaic, àwọn inverters tí a gbé ka orí àwọn substrates SiC 12-inch kìí ṣe pé wọ́n ní àwọn ohun tí ó kéré sí i nìkan, wọ́n tún ń ṣe àṣeyọrí ìyípadà tí ó ju 99% lọ. Pàápàá jùlọ nínú àwọn ipò ìran tí a pín káàkiri, ìṣiṣẹ́ gíga yìí túmọ̀ sí ìfipamọ́ ọdọọdún ti ẹgbẹẹgbẹ̀rún yuan nínú àdánù iná mànàmáná fún àwọn olùṣiṣẹ́.
3. Àdáṣe Iṣẹ́-aládàáṣe: Àwọn olùyípadà ìgbàkúgbà tí wọ́n ń lo àwọn ohun èlò ìṣàtúnṣe 12-inch fi iṣẹ́ tó dára hàn nínú àwọn roboti ilé-iṣẹ́, àwọn irinṣẹ́ ẹ̀rọ CNC, àti àwọn ohun èlò míràn. Àwọn ànímọ́ ìyípadà ìgbàkúgbà gíga wọn mú kí iyàrá ìdáhùn mọ́tò pọ̀ sí i ní 30% nígbàtí wọ́n ń dín ìdènà elektrónìkì kù sí ìdá mẹ́ta àwọn ojútùú ìbílẹ̀.
4. Ìṣẹ̀dá Ẹ̀rọ Ìmọ́lẹ̀ Oníbàárà: Àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìgbàlódé tí ó ń gba agbára kíákíá fóònù alágbéka ti bẹ̀rẹ̀ sí í lo àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 12. A ṣe àkíyèsí pé àwọn ọjà tí ó ń gba agbára kíákíá tí ó ju 65W lọ yóò yípadà pátápátá sí àwọn ohun èlò silicon carbide, pẹ̀lú àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ 12-inch tí ó ń yọrí sí yíyàn tí ó dára jùlọ fún iṣẹ́-ṣíṣe iye owó.

Awọn Iṣẹ Aṣaṣe XKH fun Substrate SiC 12-inch

Láti bá àwọn ohun pàtàkì mu fún àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 12-inch (àwọn ohun èlò silicon carbide oníwọ̀n 12-inch), XKH ń fúnni ní ìrànlọ́wọ́ iṣẹ́ tó péye:
1. Ṣíṣe àtúnṣe sísanra:
A n pese awọn ohun elo substrate 12-inch ni awọn alaye sisanra oriṣiriṣi pẹlu 725μm lati pade awọn iwulo ohun elo oriṣiriṣi.
2. Ìfojúsùn Doping:
Iṣẹ́-ẹ̀rọ wa ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú conductivity pẹ̀lú àwọn substrates irú n àti p, pẹ̀lú ìṣàkóso resistance tó péye ní ìwọ̀n 0.01-0.02Ω·cm.
3. Awọn Iṣẹ Idanwo:
Pẹlu gbogbo ohun elo idanwo ipele wafer, a pese awọn ijabọ ayẹwo ni kikun.
XKH mọ̀ pé oníbàárà kọ̀ọ̀kan ní àwọn ohun tí ó yẹ kí ó jẹ́ àrà ọ̀tọ̀ fún àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 12-inch. Nítorí náà, a ń fúnni ní àwọn àpẹẹrẹ ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ìṣòwò tí ó rọrùn láti pèsè àwọn ìdáhùn tí ó dára jùlọ, yálà fún:
· Àwọn àpẹẹrẹ ìwádìí àti ìdàgbàsókè
· Awọn rira iṣelọpọ iwọn didun
Awọn iṣẹ akanṣe wa rii daju pe a le pade awọn iwulo imọ-ẹrọ ati iṣelọpọ pato rẹ fun awọn substrates SiC inch 12.