12 inch SiC Substrate N Iru Nla Iwọn nla Awọn ohun elo RF Iṣẹ giga

12 inch SiC Substrate N Iru N Iwọn Nla Awọn ohun elo RF Iṣẹ-ṣiṣe giga Aworan ti a fihan

Àpèjúwe Kúkúrú:

Sọ́sítíkì SiC 12-inch dúró fún ìlọsíwájú tuntun nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ ohun èlò semiconductor, tó ń fúnni ní àǹfààní ìyípadà fún ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn ohun èlò ìgbohùngbà gíga. Gẹ́gẹ́ bí ìrísí wafer silicon carbide tó tóbi jùlọ ní ilé iṣẹ́ náà, Sọ́sítíkì SiC 12-inch náà ń jẹ́ kí àwọn ètò ọrọ̀ ajé tí kò tíì wáyé rí wà ní ìwọ̀n tó pọ̀, nígbà tó ń pa àwọn àǹfààní tó wà nínú ohun èlò náà mọ́ ti àwọn ànímọ́ bandgap tó gbòòrò àti àwọn ànímọ́ ooru tó yàtọ̀. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn wafer SiC 6-inch tàbí kékeré, sọ́ọ̀sítíkì 12-inch náà ń fúnni ní agbègbè tó ju 300% lọ tí a lè lò fún wafer kọ̀ọ̀kan, èyí tó ń mú kí èso kú pọ̀ sí i gidigidi, tó sì ń dín iye owó iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ agbára kù. Ìyípadà ìwọ̀n yìí ń ṣe àfihàn ìtàn ìdàgbàsókè àwọn wafer silicon, níbi tí ìbísí iwọ̀n kọ̀ọ̀kan ti mú kí ìdínkù iye owó àti àtúnṣe iṣẹ́ pọ̀ sí i. Ìgbésẹ̀ ooru tó ga jùlọ ti SiC 12-inch (tó fẹ́rẹ̀ẹ́ tó 3× ti silicon) àti agbára pápá ìfọ́ tó ga gidigidi mú kí ó ṣe pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ 800V tó ń bọ̀, níbi tó ti ń jẹ́ kí àwọn modulu agbára tó pọ̀ sí i àti tó munadoko pọ̀ sí i. Nínú ètò 5G, iyàrá ìkún elekitironi gíga ti ohun èlò náà ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ RF ṣiṣẹ́ ní àwọn ìgbà tí ó ga pẹ̀lú àwọn àdánù tó kéré sí i. Ibamu ti substrate naa pẹlu awọn ohun elo iṣelọpọ silikoni ti a ṣe atunṣe tun ṣe iranlọwọ fun gbigba irọrun nipasẹ awọn fab ti o wa tẹlẹ, botilẹjẹpe mimu pataki jẹ pataki nitori lile lile SiC (9.5 Mohs). Bi iwọn iṣelọpọ ṣe n pọ si, a nireti pe substrate SiC inṣi 12 yoo di boṣewa ile-iṣẹ fun awọn ohun elo agbara giga, ti n ṣe awakọ imotuntun kọja awọn eto iyipada ọkọ ayọkẹlẹ, agbara isọdọtun, ati awọn eto iyipada agbara ile-iṣẹ.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Ìlànà Ìsàlẹ̀ Silikoni Carbide (SiC) 12 inches
Ipele		Iṣelọpọ ZeroMPD Ipele (Ipele Z)	Iṣelọpọ Boṣewa Ipele (Ipele P)		Ipele Dídán (Ìpele D)
Iwọn opin		3 0 0 mm ~ 1305mm
Sisanra	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Ìtọ́sọ́nà Wafer		Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <1120 >±0.5° fún 4H-N, Ní ìsàlẹ̀: <0001>±0.5° fún 4H-SI
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Àìfaradà	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́		{10-10} ±5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́	4H-N	Kò sí
	4H-SI	Notch
Ìyọkúrò Etí		3 mm
LTV/TTV/Tọfà/Wọpa		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Ríru		Pólándì Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí			Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm, gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm Agbegbe apapọ ≤0.1% Agbegbe apapọ≤3% Agbegbe apapọ ≤3% Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer
Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2mm fífẹ̀ àti jíjìn			7 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan
Ìyọkúrò skru okùn (TSD)		≤500 cm-2		Kò sí
(BPD) Ìyípòpadà ọkọ̀ òfurufú ìsàlẹ̀		≤1000 cm-2		Kò sí
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga		Kò sí
Àkójọ		Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo
Àwọn Àkíyèsí:
1 Ààlà àbùkù kan gbogbo ojú ilẹ̀ wafer àyàfi agbègbè ìyàsọ́tọ̀ etí. 2 O yẹ ki a ṣayẹwo awọn ọra naa lori oju Si nikan. 3 Dátà ìyọkúrò náà wá láti inú àwọn wafers KOH tí a fi ewé kọ nìkan.

Àwọn Ohun Pàtàkì

1. Àǹfààní Ìwọ̀n Ńlá: Sọ́bìtì SiC 12-inch (sọ́bìtì silicon carbide 12-inch) ní agbègbè kan ṣoṣo tó tóbi jù, èyí tó ń jẹ́ kí a lè ṣe àwọn ṣẹ́ẹ̀pù púpọ̀ sí i fún wafer kọ̀ọ̀kan, èyí sì ń dín iye owó iṣẹ́ ṣíṣe kù àti pé ó ń mú kí èso pọ̀ sí i.
2. Ohun èlò ìṣe gíga: Àìfaradà ooru gíga àti agbára pápá ìfọ́mọ́ra gíga ti silicon carbide mú kí substrate 12-inch jẹ́ ohun tó dára fún àwọn ohun èlò ìfọ́mọ́ra gíga àti ìgbòkègbodò gíga, bí àwọn inverters EV àti àwọn ètò agbára kíákíá.
3. Ibamu Iṣẹ́: Láìka líle àti ìpèníjà ìṣiṣẹ́ SiC sí, ohun èlò SiC oníwọ̀n 12-inch náà ń ṣe àṣeyọrí àwọn àbùkù ojú ilẹ̀ tí ó lọ sílẹ̀ nípasẹ̀ àwọn ọ̀nà ìgé àti dídán tí a ṣe àtúnṣe, èyí sì ń mú kí ìṣẹ́jáde ẹ̀rọ sunwọ̀n sí i.
4. Ìṣàkóso Ooru Tó Ga Jùlọ: Pẹ̀lú agbára ìgbóná tó dára ju ti àwọn ohun èlò tí a fi silicon ṣe lọ, substrate 12-inch náà ń kojú ìtújáde ooru nínú àwọn ẹ̀rọ alágbára gíga, èyí sì ń mú kí ìgbà tí ẹ̀rọ náà bá pẹ́ sí i.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

1. Àwọn Ọkọ̀ Iná Mànàmáná: Ẹ̀rọ SiC oníwọ̀n 12-inch (ẹ̀rọ silicon carbide oníwọ̀n 12-inch) jẹ́ apá pàtàkì nínú àwọn ètò ìwakọ̀ iná mànàmáná ìran tó ń bọ̀, èyí tó ń mú kí àwọn ẹ̀rọ inverters tó lágbára máa ṣiṣẹ́ dáadáa, tó sì ń dín àkókò gbígbà agbára kù.

2. Awọn Ibudo Ipilẹ 5G: Awọn ipilẹ SiC ti o tobi pupọ ṣe atilẹyin fun awọn ẹrọ RF igbohunsafẹfẹ giga, ni pipese awọn ibeere ti awọn ibudo ipilẹ 5G fun agbara giga ati pipadanu kekere.

3. Àwọn Ipèsè Agbára Ilé-iṣẹ́: Nínú àwọn inverters oorun àti àwọn grids smart, substrate 12-inch le fara da voltages gíga nígbàtí ó ń dín àdánù agbára kù.

4. Awọn ẹrọ itanna onibara: Awọn ṣaja iyara ojo iwaju ati awọn ipese agbara ile-iṣẹ data le gba awọn substrate SiC 12-inch lati ṣaṣeyọri iwọn kekere ati ṣiṣe ti o ga julọ.

Awọn iṣẹ XKH

A ṣe amọja ni awọn iṣẹ iṣiṣẹ akanṣe ti a ṣe adani fun awọn substrates SiC inch 12 (awọn substrates silicon carbide inch 12), pẹlu:
1. Ṣíṣe àtúnṣe àti dídán: Ìṣiṣẹ́ substrate tí ó ní ìbàjẹ́ díẹ̀, tí ó ní ìpele gíga tí a ṣe ní ìbámu pẹ̀lú àwọn ohun tí àwọn oníbàárà nílò, tí ó sì ń rí i dájú pé ẹ̀rọ náà ń ṣiṣẹ́ dáadáa.
2. Atilẹyin fun idagbasoke Epitaxial: Awọn iṣẹ wafer epitaxial ti o ga julọ lati mu iṣelọpọ chip yara.
3. Ṣíṣe àgbékalẹ̀ ìpele kékeré: Ṣe àtìlẹ́yìn fún ìfọwọ́sowọ́pọ̀ àti ìdàgbàsókè fún àwọn ilé ìwádìí àti àwọn ilé-iṣẹ́, èyí sì ń dín àkókò ìdàgbàsókè kù.
4. Ìmọ̀ràn nípa ìmọ̀ ẹ̀rọ: Àwọn ojútùú láti oríṣiríṣi ọ̀nà láti yan ohun èlò sí ọ̀nà tí ó dára jùlọ, tí ó ń ran àwọn oníbàárà lọ́wọ́ láti borí àwọn ìpèníjà ṣíṣe SiC.
Yálà fún ìṣẹ̀dá púpọ̀ tàbí àtúnṣe pàtàkì, iṣẹ́ substrate SiC 12-inch wa bá àìní iṣẹ́ rẹ mu, èyí sì ń fún àwọn ìlọsíwájú ìmọ̀ ẹ̀rọ lágbára.