SIC substrate silicon carbide prime grade diameter 300mm titobi nla 4H-N O dara fun itujade ooru ẹrọ agbara giga
Àwọn ànímọ́ ọjà
1. Ìwọ̀n ìgbóná gíga: ìwọ̀n ìgbóná ti silikoni carbide ju ìgbà mẹ́ta lọ ti silikoni, èyí tí ó yẹ fún ìtújáde ooru ẹ̀rọ agbára gíga.
2. Agbára pápá ìfọ́lẹ̀ gíga: Agbára pápá ìfọ́lẹ̀ jẹ́ ìlọ́po mẹ́wàá ti silikoni, ó yẹ fún àwọn ohun èlò ìfúnpá gíga.
3. Ìwọ̀n ìpele tó gbòòrò: Ìwọ̀n ìpele náà jẹ́ 3.26eV (4H-SiC), ó sì yẹ fún àwọn ohun èlò ìgbóná gíga àti ìpele tó gbòòrò.
4. Líle gíga: Líle Mohs jẹ́ 9.2, èkejì sí diamond, ìdènà yíyàtọ̀ àti agbára ẹ̀rọ tó dára.
5. Iduroṣinṣin kemikali: resistance ipata to lagbara, iṣẹ ṣiṣe to duro ni iwọn otutu giga ati ayika ti o nira.
6. Ìwọ̀n tóbi: 12 inch (300mm) substrate, mu kí iṣẹ́ ṣíṣe sunwọn síi, dín iye owó ẹ̀rọ kù.
7. Iwọn abawọn kekere: imọ-ẹrọ idagbasoke kristali kan ti o ga julọ lati rii daju pe iwuwo abawọn kekere ati iduroṣinṣin giga.
Itọsọna ohun elo akọkọ ti ọja
1. Awọn ẹrọ itanna agbara:
Mosfets: A lo ninu awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, awọn awakọ mọto ile-iṣẹ ati awọn iyipada agbara.
Àwọn Díódì: bíi àwọn Díódì Schottky (SBD), tí a lò fún àtúnṣe àti yíyí àwọn ohun èlò agbára padà.
2. Àwọn ẹ̀rọ Rf:
Amplifier agbara Rf: a lo ninu awọn ibudo ipilẹ ibaraẹnisọrọ 5G ati awọn ibaraẹnisọrọ satẹlaiti.
Àwọn ẹ̀rọ máíkrówéfù: Ó yẹ fún àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ radar àti àwọn ẹ̀rọ ìbánisọ̀rọ̀ aláìlókùn.
3. Àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ agbára tuntun:
Awọn eto awakọ ina: awọn oludari mọto ati awọn inverters fun awọn ọkọ ina.
Opo gbigba agbara: Modulu agbara fun awọn ohun elo gbigba agbara iyara.
4. Awọn ohun elo ile-iṣẹ:
Ẹ̀rọ amúlétutù folti gíga: fún ìṣàkóso mọ́tò ilé iṣẹ́ àti ìṣàkóso agbára.
Àkójọpọ̀ ọlọ́gbọ́n: Fún àwọn àyípadà ẹ̀rọ itanna HVDC àti agbára.
5. Ọ̀nà Afẹ́fẹ́:
Awọn ẹrọ itanna iwọn otutu giga: o dara fun awọn agbegbe iwọn otutu giga ti awọn ohun elo afẹfẹ.
6. Ẹ̀ka ìwádìí:
Iwadi semiconductor bandgap jakejado: fun idagbasoke awọn ohun elo semiconductor tuntun ati awọn ẹrọ.
Sẹ́bìtì silikoni carbide oníwọ̀n 12-inch jẹ́ irú ohun èlò semiconductor tó ní agbára gíga pẹ̀lú àwọn ànímọ́ tó dára bíi agbára ooru tó ga, agbára pápá tó bàjẹ́ gíga àti àlàfo ìpele tó gbòòrò. A ń lò ó fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn ẹ̀rọ igbohunsafẹfẹ redio, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ agbára tuntun, ìṣàkóso ilé iṣẹ́ àti afẹ́fẹ́, ó sì jẹ́ ohun èlò pàtàkì láti gbé ìdàgbàsókè ìran tuntun ti àwọn ẹ̀rọ itanna tó gbéṣẹ́ àti agbára gíga lárugẹ.
Bó tilẹ̀ jẹ́ pé àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ silicon carbide kò ní àwọn ohun èlò tààrà nínú àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ oníbàárà bíi àwọn gíláàsì AR, agbára wọn nínú ìṣàkóso agbára tó gbéṣẹ́ àti àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ tó kéré sí i lè ṣètìlẹ́yìn fún àwọn ọ̀nà ìpèsè agbára tó fúyẹ́, tó sì ní agbára gíga fún àwọn ohun èlò AR/VR ọjọ́ iwájú. Lọ́wọ́lọ́wọ́, ìdàgbàsókè pàtàkì ti ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ silicon carbide wà ní àwọn ẹ̀ka ilé iṣẹ́ bíi àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ agbára tuntun, ètò ìbánisọ̀rọ̀ àti adaṣiṣẹ ilé iṣẹ́, ó sì ń gbé ilé iṣẹ́ semiconductor lárugẹ láti dàgbàsókè ní ọ̀nà tó gbéṣẹ́ jù àti tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé lọ.
XKH ti pinnu lati pese awọn substrates SIC 12 "ti o ga julọ pẹlu atilẹyin imọ-ẹrọ pipe ati awọn iṣẹ, pẹlu:
1. Iṣelọpọ ti a ṣe adani: Ni ibamu si awọn aini alabara lati pese resistance ti o yatọ, iṣalaye gara ati substrate itọju dada.
2. Ṣíṣe àtúnṣe sí iṣẹ́ náà: Pèsè ìrànlọ́wọ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ fún ìdàgbàsókè epitaxial, ṣíṣe ẹ̀rọ àti àwọn ìlànà míràn láti mú iṣẹ́ ọjà sunwọ̀n síi.
3. Idanwo ati iwe eri: Pese wiwa abawọn ti o muna ati iwe eri didara lati rii daju pe ohun elo naa ba awọn ipele ile-iṣẹ mu.
4. Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ R&D: Papọ̀ ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ẹ̀rọ tuntun silicon carbide pẹ̀lú àwọn oníbàárà láti gbé ìṣẹ̀dá tuntun lórí ìmọ̀ ẹ̀rọ lárugẹ.
Àtẹ ìṣàfihàn dátà
| Ìlànà Sẹ́ẹ̀tì Silicon Carbide (SiC) 1 2 inches | |||||
| Ipele | Iṣelọpọ ZeroMPD Ipele (Ipele Z) | Iṣelọpọ Boṣewa Ipele (Ipele P) | Ipele Dídán (Ìpele D) | ||
| Iwọn opin | 30 0 mm ~ 305mm | ||||
| Sisanra | 4H-N | 750μm±15 μm | 750μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750μm±15 μm | 750μm±25 μm | |||
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí <1120 >±0.5° fún 4H-N, Ní ìsàlẹ̀: <0001>±0.5° fún 4H-SI | ||||
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | 4H-N | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤25cm-2 | |
| 4H-SI | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤25cm-2 | ||
| Àìfaradà | 4H-N | 0.015~0.024 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | {10-10} ±5.0° | ||||
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 4H-N | Kò sí | |||
| 4H-SI | Notch | ||||
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Tọfà/Wọpa | ≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
| Ríru | Pólándì Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí Agbegbe apapọ ≤0.05% Kò sí | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm, gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm Agbegbe apapọ ≤0.1% Agbegbe apapọ≤3% Agbegbe apapọ ≤3% Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |||
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2mm fífẹ̀ àti jíjìn | 7 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan | |||
| Ìyọkúrò skru okùn (TSD) | ≤500 cm-2 | Kò sí | |||
| (BPD) Ìyípòpadà ọkọ̀ òfurufú ìsàlẹ̀ | ≤1000 cm-2 | Kò sí | |||
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | Kò sí | ||||
| Àkójọ | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo | ||||
| Àwọn Àkíyèsí: | |||||
| 1 Ààlà àbùkù kan gbogbo ojú ilẹ̀ wafer àyàfi agbègbè ìyàsọ́tọ̀ etí. 2 O yẹ ki a ṣayẹwo awọn ọra naa lori oju Si nikan. 3 Dátà ìyọkúrò náà wá láti inú àwọn wafers KOH tí a fi ewé kọ nìkan. | |||||
XKH yóò tẹ̀síwájú láti náwó sí ìwádìí àti ìdàgbàsókè láti gbé ìdàgbàsókè àwọn ohun èlò oníná 12-inch silicon carbide lárugẹ ní ìwọ̀n ńlá, àwọn àbùkù kékeré àti ìdúróṣinṣin gíga, nígbà tí XKH ń ṣe àwárí àwọn ohun èlò rẹ̀ ní àwọn agbègbè tuntun bíi ẹ̀rọ itanna oníbàárà (bíi àwọn modulu agbára fún àwọn ẹ̀rọ AR/VR) àti ìṣiṣẹ́ quantum. Nípa dídín owó kù àti mímú agbára pọ̀ sí i, XKH yóò mú àṣeyọrí wá sí ilé iṣẹ́ semiconductor.
Àwòrán Àlàyé









