Ingot SiC 2inchi Dia50.8mmx10mmt 4H-N monocrystal

Imọ-ẹrọ Idagbasoke SiC Crystal

Àwọn ànímọ́ SiC mú kí ó ṣòro láti gbin àwọn kirisita kan ṣoṣo. Èyí jẹ́ nítorí pé kò sí ìpele omi pẹ̀lú ìpíndọ́gba stoichiometric ti Si : C = 1 : 1 ní ìfúnpọ̀ afẹ́fẹ́, kò sì ṣeé ṣe láti gbin SiC nípasẹ̀ àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè tí ó dàgbà jù, bíi ọ̀nà ìyàwòrán tààrà àti ọ̀nà ìfàgùn tí ń jábọ́, èyí tí ó jẹ́ àwọn ìpìlẹ̀ pàtàkì ti ilé iṣẹ́ semiconductor. Ní ti ìmọ̀, a lè rí ojutuu pẹ̀lú ìpíndọ́gba stoichiometric ti Si : C = 1 : 1 nígbà tí ìfúnpọ̀ bá ju 10E5atm lọ àti tí ìwọ̀n otútù bá ga ju 3200℃ lọ. Lọ́wọ́lọ́wọ́, àwọn ọ̀nà pàtàkì pẹ̀lú ọ̀nà PVT, ọ̀nà ìpele omi, àti ọ̀nà ìfipamọ́ kẹ́míkà vapor-phase gíga.

Àwọn wafers àti kirisita SiC tí a ń pèsè ni a sábà máa ń gbìn nípasẹ̀ ọkọ̀ afẹ́fẹ́ ti ara (PVT), àti ìṣáájú kúkúrú sí PVT nìyí:

Ọ̀nà ìrìnnà afẹ́fẹ́ ara (PVT) bẹ̀rẹ̀ láti inú ọ̀nà ìfàsẹ́yìn gáàsì-ìpele tí Lely ṣe ní ọdún 1955, níbi tí a gbé lulú SiC sínú páìpù graphite kan tí a sì gbóná rẹ̀ dé iwọ̀n otútù gíga láti jẹ́ kí lulú SiC bàjẹ́ kí ó sì rọ̀, lẹ́yìn náà ni a ó tutù graphite náà, a ó sì kó àwọn èròjà gáàsì-ìpele ti lulú SiC náà sínú rẹ̀ tí a ó sì sọ di kristali SiC ní àyíká páìpù graphite náà. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé ọ̀nà yìí ṣòro láti rí àwọn kirisita SiC tí ó tóbi tí ó sì ṣòro láti ṣàkóso, ó fún àwọn olùwádìí ní ìmọ̀ràn lẹ́yìn náà.

YM Tairov àti àwọn ẹlẹgbẹ́ rẹ̀ ní Rọ́síà gbé èrò nípa kírísítà irúgbìn kalẹ̀ lórí ìpìlẹ̀ yìí, èyí tí ó yanjú ìṣòro ìrísí kírísítà tí a kò lè ṣàkóso àti ipò nucleation ti àwọn kírísítà SiC. Àwọn olùwádìí tí ó tẹ̀lé e tẹ̀síwájú láti mú sunwọ̀n síi, wọ́n sì ṣe àgbékalẹ̀ ọ̀nà ìyípadà físíìlì (PVT) tí a ń lò ní ilé iṣẹ́ lónìí.

Gẹ́gẹ́ bí ọ̀nà ìdàgbàsókè kírísítà SiC àkọ́kọ́, PVT ni ọ̀nà ìdàgbàsókè tó gbajúmọ̀ jùlọ lọ́wọ́lọ́wọ́ fún àwọn kírísítà SiC. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ọ̀nà mìíràn, ọ̀nà yìí ní àwọn ohun tí a nílò fún ohun èlò ìdàgbàsókè díẹ̀, ìlànà ìdàgbàsókè tó rọrùn, agbára ìdarí tó lágbára, ìdàgbàsókè àti ìwádìí pípéye, ó sì ti di ti ilé-iṣẹ́.