Wafer onípele 3in 76.2mm 4H-Semi SiC 4 wafer Silicon Carbide Àwọn wafer SiC oní-ẹ̀gàn-ẹ̀gàn

Wafer onígun mẹ́ta 76.2mm 4H-Semi SiC onígun mẹ́rin mẹ́jọ ...

Àpèjúwe Kúkúrú:

Wafer SiC kristali kan ti o ga julọ (Silicon Carbide) si ile-iṣẹ itanna ati optoelectronic. Wafer SiC inchi 3 jẹ ohun elo semiconductor iran ti nbọ, awọn wafer silicon-carbide semi-insulating ti iwọn ila opin 3-inch. Awọn wafers naa ni a ṣe fun iṣelọpọ awọn ẹrọ agbara, RF ati awọn ẹrọ optoelectronic.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ìsọfúnni Ọjà

Àwọn wafers onípele 3-inch 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate jẹ́ ohun èlò semiconductor tí a sábà máa ń lò. 4H fi hàn pé ìrísí crystal tetrahexahedral ni. Semi-insulation túmọ̀ sí pé substrate náà ní àwọn ànímọ́ resistance gíga àti pé a lè ya sọ́tọ̀ díẹ̀ kúrò nínú ìṣàn lọ́wọ́lọ́wọ́.

Irú àwọn wafer substrate bẹ́ẹ̀ ní àwọn ànímọ́ wọ̀nyí: agbára ìgbóná gíga, pípadánù ìfàsẹ́yìn kékeré, agbára ìgbóná gíga gíga, àti ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ àti kẹ́míkà tó dára. Nítorí pé silicon carbide ní àlàfo agbára tó gbòòrò, ó sì lè fara da ooru gíga àti àwọn ipò iná mànàmáná gíga, a ń lo àwọn wafer semi-insulated 4H-SiC nínú àwọn ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn ẹ̀rọ igbohunsafẹfẹ redio (RF).

Àwọn ohun èlò pàtàkì tí a fi ń lo àwọn wafers oní-insulated 4H-SiC ni:

1--Ilé-iṣẹ́ ẹ̀rọ itanna: A le lo awọn wafers 4H-SiC lati ṣe awọn ẹrọ iyipada agbara gẹgẹbi MOSFETs (Awọn transistors Field Effect Metal Oxide Semiconductor), IGBTs (Awọn transistors Gate Bipolar Insulated) ati awọn diodes Schottky. Awọn ẹrọ wọnyi ni awọn adanu conduction ati iyipada kekere ni awọn agbegbe foliteji giga ati awọn agbegbe iwọn otutu giga ati pe o funni ni ṣiṣe ati igbẹkẹle giga.

2--Àwọn Ẹ̀rọ Ìgbohùngbà Redio (RF): A lè lo àwọn wafers oní-ìdáná 4H-SiC láti ṣe àwọn amplifiers agbára gíga, àwọn amplifiers agbára gíga, àwọn resistor chip, àwọn àlẹ̀mọ́, àti àwọn ẹ̀rọ mìíràn. Silicon carbide ní iṣẹ́ ìgbohùngbà gíga tó dára jù àti ìdúróṣinṣin ooru nítorí ìwọ̀n ìṣàn electron tó tóbi jù àti agbára ìdarí ooru tó ga jù.

3--Àwọn ẹ̀rọ Optoelectronic: A lè lo àwọn wafers oní-ìdáná 4H-SiC láti ṣe àwọn diode laser alágbára gíga, àwọn ohun tí ń ṣe àwárí ìmọ́lẹ̀ UV àti àwọn iyika tí a ti sopọ̀ mọ́ optoelectronic.

Ní ti ìtọ́sọ́nà ọjà, ìbéèrè fún àwọn wafers onípele-insulated 4H-SiC ń pọ̀ sí i pẹ̀lú àwọn ẹ̀ka itanna power, RF àti optoelectronics tó ń pọ̀ sí i. Èyí jẹ́ nítorí pé silicon carbide ní onírúurú ìlò, títí bí agbára ṣíṣe, ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, agbára àtúnṣe àti ìbánisọ̀rọ̀. Ní ọjọ́ iwájú, ọjà fún wafers onípele-insulated 4H-SiC ṣì ní ìrètí púpọ̀, a sì retí pé yóò rọ́pò àwọn ohun èlò silicon ìbílẹ̀ ní onírúurú ìlò.