4H-N/6H-N SiC Wafer Research production Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
Ìlànà ìpìlẹ̀ silicon carbide (SiC) oníwọ̀n 6 inches
| Ipele | Odo MPD odo | Ìṣẹ̀dá | Ipele Iwadi | Ipele Dídán |
| Iwọn opin | 150.0mm±0.25mm | |||
| Sisanra | 4H-N | 350um±25um | ||
| 4H-SI | 500um±25um | |||
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Lórí àsìkò: <0001>±0.5°fún 4H-SI | |||
| Ilé Àkọ́bẹ̀rẹ̀ | {10-10}±5.0° | |||
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 47.5mm±2.5mm | |||
| Ìyọkúrò etí | 3mm | |||
| TTV/Tọpa/Wọpa | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| Agbara resistance 4H-N 4H-SI | 0.015~0.028Ω!cm | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| Ríru | Rólándì ≤1nm CMP Ró≤0.5nm | |||
| #Awọn ìfọ́ nipasẹ ina kikankikan giga | Kò sí | 1 laaye, ≤2mm | Gígùn àpapọ̀ ≤10mm, gígùn kan ṣoṣo ≤2mm | |
| *Awọn awo Hex nipasẹ ina kikankikan giga | Agbegbe apapọ ≤1% | Agbegbe apapọ ≤ 2% | Agbegbe apapọ ≤ 5% | |
| *Awọn agbegbe Polytype nipasẹ ina kikankikan giga | Kò sí | Agbegbe apapọ ≤ 2% | Agbegbe apapọ ≤ 5% | |
| *&Yíyán pẹ̀lú ìmọ́lẹ̀ líle gíga | Àwọn ìfọ́mọ́ mẹ́ta sí 1 x ìwọ̀n ìbúgbà wafer | Àwọn ìfọ́ 5 sí 1 x ìwọ̀n ìbúgbà wafer gígùn àpapọ̀ | Àwọn ìfọ́ 5 sí 1 x ìwọ̀n ìbúgbà wafer gígùn àpapọ̀ | |
| Ẹ̀kún etí | Kò sí | 3 ti a gba laaye, ≤0.5mm ọkọọkan | 5 ni a gba laaye, ≤1mm ọkọọkan | |
| Ibajẹ nipasẹ imọlẹ kikankikan giga | Kò sí
| |||
Títà àti Iṣẹ́ Oníbàárà
Rira Awọn Ohun elo
Ẹ̀ka ríra àwọn ohun èlò ló ń kó gbogbo ohun èlò tí a nílò láti ṣe ọjà rẹ jọ. Àkójọ gbogbo àwọn ọjà àti ohun èlò, títí kan ìwádìí kẹ́míkà àti ti ara, ló wà fún gbogbo ìgbà.
Dídára
Lakoko ati lẹhin iṣelọpọ tabi ẹrọ awọn ọja rẹ, ẹka iṣakoso didara ni ipa ninu rii daju pe gbogbo awọn ohun elo ati awọn ifarada pade tabi kọja alaye rẹ.
Iṣẹ́
A ni igberaga lati ni awọn oṣiṣẹ imọ-ẹrọ tita pẹlu awọn iriri ti o ju ọdun marun lọ ninu ile-iṣẹ semiconductor. Wọn ni ikẹkọ lati dahun awọn ibeere imọ-ẹrọ ati lati pese awọn idiyele akoko fun awọn aini rẹ.
A wa ni ẹgbẹ rẹ nigbakugba ti o ba ni iṣoro, a si yanju rẹ laarin awọn wakati 10.
Àwòrán Àlàyé
