Àwọn Wafer Epitaxial 4H-SiC fún Àwọn MOSFET Fólítìńlá Gíga Jùlọ (100–500 μm, 6 inches)
Àwòrán Àlàyé
Àkótán Ọjà
Ìdàgbàsókè kíákíá ti àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn ẹ̀rọ ìmọ́-ẹ̀rọ olóye, àwọn ètò agbára tí a lè sọ di tuntun, àti àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́ alágbára gíga ti dá àìní kíákíá fún àwọn ẹ̀rọ semikondokito tí ó lè mú àwọn voltage gíga, agbára tí ó ga jù, àti iṣẹ́-ṣíṣe tí ó pọ̀ sí i. Láàárín àwọn semikondokito onípele-pupọ,silikoni carbide (SiC)ó tayọ̀ fún ìwọ̀n ìpele rẹ̀ tó gbòòrò, agbára ìgbóná ooru tó ga, àti agbára pápá iná mànàmáná tó ga jùlọ.
TiwaÀwọn ìṣẹ́po epitaxial 4H-SiCa ṣe àtúnṣe rẹ̀ ní pàtó fúnAwọn ohun elo MOSFET foliteji giga-gigaPẹ̀lú àwọn ìpele epitaxial tí ó wà láti100 μm sí 500 μm on Àwọn ìpìlẹ̀ tó ní ìyẹ́ 6-inch (150 mm)Àwọn wafer wọ̀nyí ń fi àwọn agbègbè ìfàsẹ́yìn tí a nílò fún àwọn ẹ̀rọ kV hàn nígbà tí wọ́n ń pa dídára kristali àti ìtẹ̀síwájú rẹ̀ mọ́. Àwọn ìwọ̀n ìwúwo déédé ní 100 μm, 200 μm, àti 300 μm, pẹ̀lú àtúnṣe tí ó wà.
Sisanra Awọn Ipele Epitaxial
Ipele epitaxial ṣe ipa pataki ninu ṣiṣe ipinnu iṣẹ MOSFET, paapaa iwọntunwọnsi laarinfóltéèjì ìfọ́àtilórí-àtakò.
-
100–200 μm: A ṣe iṣapeye fun awọn MOSFET folti alabọde-si-giga, ti o funni ni iwọntunwọnsi to dara julọ ti ṣiṣe adaṣe ati agbara idena.
-
200–500 μm: O dara fun awọn ẹrọ foliteji giga-giga (10 kV+), ti o fun laaye awọn agbegbe gbigbe gigun fun awọn abuda fifọ to lagbara.
Jákèjádò gbogbo ibi tí a wà,A ṣakoso iṣọkan sisanra laarin ±2%, tí ó ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin láti inú wafer sí wafer àti ìpele kan sí òmíràn. Ìyípadà yìí ń jẹ́ kí àwọn apẹ̀ẹrẹ ṣe àtúnṣe iṣẹ́ ẹ̀rọ fún àwọn ìpele foliteji tí wọ́n fẹ́ ṣe àfojúsùn wọn nígbàtí wọ́n ń ṣe àtúnṣe nínú iṣẹ́ púpọ̀.
Ilana Iṣelọpọ
A fi ṣe àwọn wafer wa pẹ̀lúCVD ti ìgbàlódé (Kẹ́míkà Vapor Deposition) epitaxy, èyí tí ó ń jẹ́ kí a lè ṣàkóso dídára ìfúnpọ̀, ìfúnpọ̀ oògùn àti dídára kirisita, kódà fún àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ tí ó nípọn gan-an.
-
CVD Epitaxy– Àwọn atẹ́gùn tó mọ́ tónítóní àti àwọn ipò tó dára jù mú kí àwọn ilẹ̀ tó mọ́ tónítóní àti àwọn ìwọ̀n àbùkù tó kéré síi wà.
-
Ìdàgbàsókè Fẹlẹfẹlẹ Tí Ó Nípọn– Awọn ilana ilana ti ara ẹni gba aaye lati nipọn epitaxial titi di500 μmpẹ̀lú ìṣọ̀kan tó dára jùlọ.
-
Ìṣàkóso Ìtọ́jú Doping– Atunse ifọkansi laarin1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, pẹlu iṣọkan ti o dara ju ±5%.
-
Igbaradi dada– Àwọn wafers ń fara hànÌmúdàgba CMPàti àyẹ̀wò tó lágbára, tó ń rí i dájú pé ó bá àwọn ìlànà tó ti wà ní ìpele tó ga jù mu bíi ìdènà ẹnu ọ̀nà, fọ́tòlítífọ́tò, àti ìṣẹ̀dá irin mu.
Àwọn Àǹfààní Pàtàkì
-
Agbara Fólẹ́ẹ̀tì Gíga Jùlọ– Àwọn ìpele epitaxial tí ó nípọn (100–500 μm) ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn àpẹẹrẹ MOSFET kilasi kV.
-
Didara Crystal Alailẹgbẹ– Ìyọkúrò díẹ̀ àti àwọn ìwúwo àbùkù basal plane ń mú kí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé, wọ́n sì ń dín ìjìnnà kù.
-
Àwọn Sẹ́ẹ̀tì Ńlá 6-Inch– Atilẹyin fun iṣelọpọ iwọn didun giga, idinku idiyele fun ẹrọ kan, ati ibamu to dara julọ.
-
Àwọn Ohun-ìní Ooru Tó Ga Jùlọ– Agbara gbigbona giga ati iwọn ila opin jakejado mu ki iṣẹ ṣiṣe daradara ni agbara giga ati iwọn otutu.
-
Awọn Ipele Aṣeṣe– Sisanra, doping, itọsọna, ati ipari dada le ṣe deede si awọn ibeere kan pato.
Àwọn Ìlànà Pàtàkì Tó Wọ́pọ̀
| Pílámẹ́rà | Ìlànà ìpele |
|---|---|
| Irú ìyíkámọ́ | Iru-N (Ti a fi Nitrogen ṣe) |
| Àìfaradà | Èyíkéyìí |
| Igun ti o wa ni ita Axis | 4° ± 0.5° (sí [11-20]) |
| Ìtọ́sọ́nà Kírísítà | (0001) Ojú Si-Si |
| Sisanra | 200–300 μm (a le ṣe àtúnṣe 100–500 μm) |
| Ipari oju ilẹ | Iwaju: CMP didan (epi-ready) Pada: ti a fi okùn tabi didan |
| TV | ≤ 10 μm |
| Ọrun/Ìgbálẹ̀ | ≤ 20 μm |
Àwọn Agbègbè Ìlò
Àwọn wafer epitaxial 4H-SiC yẹ fúnMOSFETs ninu awọn eto foliteji giga-giga, pẹlu:
-
Awọn inverters traction ọkọ ayọkẹlẹ ina ati awọn modulu gbigba agbara folti giga
-
Ẹ̀rọ gbigbe àti pínpínkiri àkójọ ọgbọ́n
-
Awọn inverters agbara isọdọtun (oorun, afẹfẹ, ibi ipamọ)
-
Awọn ipese ile-iṣẹ agbara giga & awọn eto iyipada
Awọn ibeere ti a maa n beere nigbagbogbo
Q1: Iru conductivity wo ni?
A1: Iru-N, ti a fi nitrogen kun — boṣewa ile-iṣẹ fun MOSFETs ati awọn ẹrọ agbara miiran.
Q2: Awọn sisanra epitaxial wo ni o wa?
A2: 100–500 μm, pẹ̀lú àwọn àṣàyàn boṣewa ní 100 μm, 200 μm, àti 300 μm. Àwọn ìwúwo àṣà wà lórí ìbéèrè.
Q3: Kí ni ìtọ́sọ́nà wafer àti igun tí kò ní ìpele kankan?
A3: (0001) Ojú Si-side, pẹ̀lú 4° ± 0.5° ní ìta-ààlà sí ìtọ́sọ́nà [11-20].
Nipa re
XKH jẹ́ amọ̀jọ̀gbọ́n nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga, ìṣẹ̀dá, àti títà àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì optíkì pàtàkì àti àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì tuntun. Àwọn ọjà wa ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna optíkì, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, àti àwọn ológun. A ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ Sapphire optíkì, àwọn ìbòrí lẹ́ǹsì fóònù alágbéká, àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ sémíkà, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, àti àwọn wafers crystal semiconductor. Pẹ̀lú ìmọ̀ tó ní ìmọ̀ àti àwọn ohun èlò tó ti pẹ́, a tayọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò tí kì í ṣe déédé, a ń gbìyànjú láti jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga tó ń lo ohun èlò optoelectronic.
