4inch 6inch 8inch SiC Crystal Growth Furnace fún Ìlànà CVD
Ilana Iṣiṣẹ
Ìlànà pàtàkì ti ètò CVD wa ní í ṣe pẹ̀lú ìbàjẹ́ ooru ti àwọn gaasi tí ó ní silikoni (fún àpẹẹrẹ, SiH4) àti àwọn gaasi tí ó ní erogba (fún àpẹẹrẹ, C3H8) ní àwọn iwọ̀n otútù gíga (nígbà gbogbo 1500-2000°C), tí ó ń gbé àwọn kirisita SiC kan sí orí àwọn ohun èlò ìṣàn nípasẹ̀ àwọn ìṣesí kẹ́míkà ìpele gaasi. Ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí dára jùlọ fún ṣíṣe àwọn kirisita kan ṣoṣo tí ó ní ìwẹ̀nùmọ́ gíga (>99.9995%) 4H/6H-SiC kan ṣoṣo pẹ̀lú ìwọ̀n àbùkù kékeré (<1000/cm²), tí ó ń bá àwọn ohun èlò tí ó le koko mu fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn ẹ̀rọ RF. Nípasẹ̀ ìṣàkóso pípéye ti ìṣètò gaasi, ìwọ̀n ìṣàn àti ìyípadà iwọ̀n otútù, ètò náà ń jẹ́ kí ìlànà pípéye ti irú ìṣàn agbára kirisita (Irú N/P) àti ìdènà.
Awọn Iru Eto ati Awọn Pilasi Imọ-ẹrọ
| Irú Ètò | Iwọn otutu ibiti o wa | Àwọn Ohun Pàtàkì | Àwọn ohun èlò ìlò |
| CVD Igba otutu giga | 1500-2300°C | Gíráfítì ìgbóná ìfàmọ́ra, ±5°C ìṣọ̀kan ìwọ̀n otútù | Ìdàgbàsókè kírísítà SiC púpọ̀ |
| CVD Gbona-Fíìmù | 800-1400°C | Alagbase okun Tungsten, oṣuwọn ifipamọ 10-50μm/h | Epitaxi ti o nipọn SiC |
| VPE CVD | 1200-1800°C | Iṣakoso iwọn otutu agbegbe pupọ, > 80% lilo gaasi | Iṣẹ́dá epi-wafer tó pọ̀ gan-an |
| PECVD | 400-800°C | A ti mu pilasima pọ si, oṣuwọn ifipamọ 1-10μm/h | Awọn fiimu tinrin SiC ti o ni iwọn otutu kekere |
Awọn Abuda Imọ-ẹrọ Pataki
1. Ètò Ìṣàkóso Òtútù Tó Tẹ̀síwájú
Ilé ìgbóná náà ní ètò ìgbóná tó ní agbára láti mú kí ìwọ̀n otútù tó 2300°C dúró dé 2300°C pẹ̀lú ìṣọ̀kan ±1°C jákèjádò gbogbo yàrá ìdàgbàsókè. A ṣe àṣeyọrí ìṣàkóso ooru tó péye yìí nípasẹ̀:
Àwọn agbègbè ìgbóná tí a ń ṣàkóso ní òmìnira méjìlá.
Ìṣàyẹ̀wò thermocouple tó pọ̀ jù (Irú C W-Re).
Awọn alugoridimu atunṣe profaili ooru akoko gidi.
Àwọn ògiri yàrá tí a fi omi tutù ṣe fún ìdarí ìpele ooru.
2. Ìfijiṣẹ́ Gáàsì àti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Ìdàpọ̀
Eto pinpin gaasi wa ti ara ẹni rii daju pe o dara julọ lati dapọ ohun elo iṣaaju ati ifijiṣẹ deede:
Àwọn olùdarí ìṣàn ibi-ìwọ̀n pẹ̀lú ìṣedéédé ±0.05sccm.
Onírúurú abẹ́rẹ́ gaasi.
Ìṣàyẹ̀wò àkójọpọ̀ gaasi inú ilé (FTIR spectroscopy).
Idapada sisan laifọwọyi lakoko awọn iyipo idagbasoke.
3. Imudara Didara Crystal
Eto naa pẹlu ọpọlọpọ awọn imotuntun lati mu didara kristali dara si:
Ohun tí ó ń yípo tí ó ní ìpìlẹ̀ (tí a lè ṣètò 0-100rpm).
Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìṣàkóso ààlà ìpele tó ti ní ìlọsíwájú.
Ètò ìṣàyẹ̀wò àbùkù ní ibi tí ó wà (ìfọ́mọ́ lésà UV).
Idapada wahala laifọwọyi lakoko idagbasoke.
4. Ìdáṣiṣẹ́ àti Ìṣàkóso Ìlànà
Ṣiṣe ilana adaṣe adaṣe ni kikun.
Ìṣàtúnṣe àwọn pàrámítà ìdàgbàsókè gidi AI.
Abojuto latọna jijin ati ayẹwo.
Àkọsílẹ̀ data paramita 1000+ (tí a tọ́jú fún ọdún márùn-ún).
5. Ààbò àti Àwọn Ẹ̀yà Ara Rẹ̀ Tó Gbẹ́kẹ̀lé
Idaabobo iwọn otutu ti o pọ ju mẹta lọ.
Eto imukuro pajawiri laifọwọyi.
Apẹrẹ eto ti a fun ni idiyele ti iwariri ilẹ.
98.5% ìdánilójú àkókò ìṣiṣẹ́.
6. Ilé Ìṣẹ̀dá Tí Ó Lè Yípo
Apẹrẹ modulu gba awọn igbesoke agbara laaye.
Baamu pẹlu awọn iwọn wafer 100mm si 200mm.
Ṣe atilẹyin fun awọn iṣeto inaro ati petele mejeeji.
Àwọn èròjà tí a lè yí padà kíákíá fún ìtọ́jú.
7. Lilo Agbara
Lilo agbara ti o kere si 30% ju awọn eto afiwera lọ.
Ètò ìgbàpadà ooru máa ń gba 60% ooru ìdọ̀tí.
Awọn algoridimu lilo gaasi ti a ṣe iṣapeye.
Awọn ibeere ile-iṣẹ ti o ni ibamu pẹlu LEED.
8. Ìrísí Àwọn Ohun Èlò Tó Wà Ní Ọ̀nà Tó Dára Jùlọ
Ó ń gbin gbogbo àwọn polytypes pàtàkì SiC (4H, 6H, 3C).
Ṣe atilẹyin fun awọn iyatọ adarí ati awọn iyatọ idaji-idabobo.
Ó gba onírúurú ètò ìtọ́jú oògùn (N-type, P-type).
Baamu pẹlu awọn ohun elo iṣaaju miiran (fun apẹẹrẹ, TMS, TES).
9. Iṣẹ́ Ètò Afẹ́fẹ́
Ìfúnpá ìpìlẹ̀: <1×10⁻⁶ Ìfàsẹ́yìn
Ìwọ̀n jíjò: <1×10⁻⁹ Torr·L/àáyá-àáyá
Iyara fifa omi: 5000L/s (fun SiH₄)
Iṣakoso titẹ laifọwọyi lakoko awọn iyipo idagbasoke
Àlàyé ìmọ̀ ẹ̀rọ tó péye yìí fi agbára ètò wa hàn láti ṣe àwọn kirisita SiC tó ní ìpele ìwádìí àti ìṣẹ̀dá pẹ̀lú ìdúróṣinṣin àti ìdàgbàsókè tó ga jùlọ nínú iṣẹ́ náà. Àpapọ̀ ìṣàkóso tó péye, ìtọ́jú tó ga, àti ìmọ̀ ẹ̀rọ tó lágbára mú kí ètò CVD yìí jẹ́ àṣàyàn tó dára jùlọ fún àwọn ohun èlò ìwádìí àti ìṣẹ̀dá iwọn didun nínú ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn ẹ̀rọ RF, àti àwọn ohun èlò semiconductor tó ti ní ìlọsíwájú mìíràn.
Àwọn Àǹfààní Pàtàkì
1. Ìdàgbàsókè Kírísítà Dídára Gíga
• Àbùkù tó wà ní ìwọ̀n tó kéré tó <1000/cm² (4H-SiC)
• Ìbáramu ìtọ́jú oògùn <5% (àwọn wafers 6-inch)
• Ìmọ́tótó Kírísítà >99.9995%
2. Agbara Iṣelọpọ Tobi-Nla
• Ṣe atilẹyin fun idagbasoke wafer to to 8-inch
• Irẹpọ iwọn ila opin >99%
• Ìyàtọ̀ sísanra <±2%
3. Iṣakoso Ilana Koko-ọrọ
• Ìṣàkóṣo iwọ̀n otutu ±1°C
• Ìṣètò ìṣàn gaasi ±0.1sccm
• Ìṣètò ìdarí ìfúnpá ±0.1Torr
4. Lilo Agbara
• Lilo agbara diẹ sii ju awọn ọna ibile lọ ni 30%
• Oṣuwọn idagbasoke titi di 50-200μm/h
• Àkókò iṣẹ́ ohun èlò >95%
Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì
1. Àwọn Ẹ̀rọ Alágbára
Àwọn ìṣàlẹ̀ 4H-SiC oní-ìwọ̀n 6-inch fún 1200V+ MOSFET/diodes, èyí tí ó dín àdánù ìyípadà kù ní 50%.
2. Ibaraẹnisọrọ 5G
Àwọn ohun èlò SiC tí ó ní ìdábùú díẹ̀ (resistvánsítì >10⁸Ω·cm) fún àwọn PA ibùdó ìpìlẹ̀, pẹ̀lú ìpàdánù ìfisí <0.3dB ní >10GHz.
3. Àwọn Ọkọ̀ Agbára Tuntun
Àwọn modulu agbara SiC ti ipele ọkọ ayọkẹlẹ n fa iwọn EV pọ si nipasẹ 5-8% ati dinku akoko gbigba agbara nipasẹ 30%.
4. Àwọn Ayípadà PV
Àwọn ohun èlò tí kò ní àbùkù púpọ̀ ń mú kí ìyípadà ṣiṣẹ́ ju 99% lọ, nígbàtí wọ́n ń dín ìwọ̀n ètò náà kù nípa 40%.
Awọn iṣẹ XKH
1. Awọn Iṣẹ Ṣíṣe Àtúnṣe
Àwọn ètò CVD tó jẹ́ 4-8 inch tí a ṣe àtúnṣe.
Ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè irú 4H/6H-N, irú ìdènà 4H/6H-SEMI, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
2. Atilẹyin imọ-ẹrọ
Ikẹkọ kikun lori iṣẹ ati imudarasi ilana.
Ìdáhùn ìmọ̀-ẹ̀rọ 24/7.
3. Awọn Ojutu Turnkey
Àwọn iṣẹ́ ìparí-dé-òpin láti ìgbà tí a bá ti fi sori ẹrọ sí ìgbà tí a bá ti fi ìlànà múlẹ̀.
4. Ipese Ohun elo
Àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 2-12 inches/epi-wafers ló wà.
Ṣe atilẹyin fun awọn polytypes 4H/6H/3C.
Awọn iyatọ pataki pẹlu:
Agbara idagbasoke kristali to iwọn inṣi mẹjọ.
Ìdàgbàsókè tó yára ju ti àròpọ̀ ilé iṣẹ́ lọ ní 20%.
98% igbẹkẹle eto naa.
Package eto iṣakoso oye ni kikun.
