Ìwọ̀n 6 Inch 4H Ìwọ̀n Ìwọ̀n SiC Ìwọ̀n 500μm TTV≤ 5μm MOS ìpele

Àwòrán tí a fi ṣe àkójọpọ̀ SiC 6 Inch 4H Ìwọ̀n 500μm TTV≤ 5μm MOS Àwòrán tí a fi ṣe àfihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Pẹ̀lú ìlọsíwájú kíákíá ti ìbánisọ̀rọ̀ 5G àti ìmọ̀ ẹ̀rọ radar, ohun èlò ìdàpọ̀ SiC oníwọ̀n 6-inch ti di ohun èlò pàtàkì fún ṣíṣe ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò ìdàpọ̀ GaAs ìbílẹ̀, ohun èlò yìí ń mú kí agbára ìdènà ooru pọ̀ sí i (>10⁸ Ω·cm) nígbàtí ó ń mú kí agbára ìdàpọ̀ ooru pọ̀ sí i ní ìlọ́po márùn-ún, ó sì ń kojú àwọn ìpèníjà ìtújáde ooru nínú àwọn ẹ̀rọ ìgbì millimeter. Ó ṣeé ṣe kí àwọn ohun èlò amplifier agbára inú àwọn ẹ̀rọ ojoojúmọ́ bíi àwọn fóònù alágbèéká 5G àti àwọn ibùdó ìbánisọ̀rọ̀ satẹlaiti ni a kọ́ sórí ohun èlò yìí. Nípa lílo ìmọ̀ ẹ̀rọ “ìdápadà doping layer buffer” wa, a ti dín ìwọ̀n micropipe kù sí ìsàlẹ̀ 0.5/cm² a sì ti ṣe àṣeyọrí pípadánù microwear kékeré ti 0.05 dB/mm.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Àwọn ohun kan	Ìlànà ìpele	Àwọn ohun kan	Ìlànà ìpele
Iwọn opin	150±0.2 mm	Àìlera iwájú (Si-fojú)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Irú onípele púpọ̀	4H	Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́, Fífà, Ìfọ́ (àyẹ̀wò ojú)	Kò sí
Àìfaradà	≥1E8 Ω·cm	TV	≤5 μm
Sisanra Layer Gbigbe	≥0.4 μm	Ìfọwọ́sowọ́pọ̀	≤35 μm
Òfo (2mm>D>0.5mm)	≤5 ea/Wafer	Sisanra	500±25 μm

Àwọn Ohun Pàtàkì

1. Iṣẹ́ Ìgbohùn-gíga Tó Ga Jùlọ
Sẹ́bìtì àdàpọ̀ SiC oní-ìdábòbò 6-inch náà lo àwòrán ìpele dielectric tí a ṣe àkójọpọ̀ rẹ̀, ó ń rí i dájú pé ìyàtọ̀ dielectric dúró ṣinṣin ti <2% nínú Ka-band (26.5-40 GHz) àti pé ó ń mú kí ìdúróṣinṣin ìpele pọ̀ sí i ní 40%. Ó mú kí iṣẹ́ 15% pọ̀ sí i àti pé agbára tí a ń lò dínkù ní 20% nínú àwọn modulu T/R nípa lílo substrate yìí.

2. Ìṣàkóso Ìgbóná Ìṣẹ̀lẹ̀ Àṣeyọrí
Ìṣètò àkójọpọ̀ "afárá ooru" àrà ọ̀tọ̀ kan mú kí agbára ìgbóná ooru ẹ̀gbẹ́ 400 W/m·K. Nínú àwọn modulu PA 28 GHz 5G, ìwọ̀n otútù ìsopọ̀ náà ga sí i ní 28°C nìkan lẹ́yìn wákàtí 24 tí a ti ń ṣiṣẹ́ déédéé—50°C ni ó kéré sí i ju àwọn ojutu ìbílẹ̀ lọ.

3. Dídára Wafer Tó Ga Jùlọ
Nípasẹ̀ ọ̀nà Physical Vapor Transport (PVT) tí a ṣe àtúnṣe sí, a ṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìyípadà <500/cm² àti Àpapọ̀ Ìyípadà Ìwúwo (TTV) <3 μm.
4. Iṣẹ́ ṣíṣe pẹ̀lú ìbáṣepọ̀
Ilana fifẹ lesa wa ti a ṣe ni pataki fun substrate idapọ SiC semi-insulating 6-inch dinku iwuwo ipo oju ilẹ nipasẹ awọn ipele meji ti titobi ṣaaju ki o to epitaxy.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

1. Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì Ibùdó Ìpìlẹ̀ 5G
Nínú àwọn àkójọpọ̀ antenna MIMO tó lágbára, àwọn ẹ̀rọ GaN HEMT lórí àwọn ohun èlò SiC oní-ìdábòbò 6-inch ní agbára ìṣẹ̀jáde 200W àti iṣẹ́ tó ju 65% lọ. Àwọn ìdánwò pápá ní 3.5 GHz fi ìbísí 30% hàn nínú rédíọ̀mù ìbòjú.

2. Àwọn Ètò Ìbánisọ̀rọ̀ Sátẹ́láìtì
Àwọn transceivers satẹlaiti oní-ìyípo ilẹ̀ ayé kékeré (LEO) tí wọ́n ń lo substrate yìí fi EIRP tó ga ju 8 dB lọ hàn nínú Q-band (40 GHz) nígbàtí wọ́n ń dín ìwọ̀n kù ní 40%. Àwọn ebute SpaceX Starlink ti gbà á fún ìṣẹ̀dá púpọ̀.

3. Àwọn Ètò Rádà Ológun
Àwọn modulu radar T/R onípele-ìpele lórí substrate yìí ní ìwọ̀n bandiwidi 6-18 GHz àti iye ariwo tó kéré tó 1.2 dB, èyí sì ń fa ìwọ̀n ìwádìí 50 km sí i ní àwọn ètò radar ìkìlọ̀ ní ìbẹ̀rẹ̀.

4. Rédà ìgbì omi milimita-ìwọ̀n ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́
Àwọn ègé radar ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ 79 GHz tí ó ń lo substrate yìí ń mú kí ìpinnu igun náà sunwọ̀n sí 0.5°, ó sì ń bá àwọn ohun tí L4 béèrè fún ìwakọ̀ ara ẹni mu.

A n pese ojutu iṣẹ akanṣe ti a ṣe adani fun awọn substrate SiC semi-insulating 6-inch. Ni awọn ofin ti ṣiṣe akanṣe awọn paramita ohun elo, a ṣe atilẹyin fun ilana deede ti resistance laarin iwọn 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Ni pataki fun awọn ohun elo ologun, a le funni ni aṣayan resistance giga ti >10⁹ Ω·cm. O nfunni ni awọn alaye nipọn mẹta ti 200μm, 350μm ati 500μm ni akoko kanna, pẹlu ifarada ti a ṣakoso ni kikun laarin ±10μm, ti o pade awọn ibeere oriṣiriṣi lati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga si awọn ohun elo agbara giga.

Ní ti àwọn ìlànà ìtọ́jú ojú ilẹ̀, a ní àwọn ọ̀nà méjì ọ̀jọ̀gbọ́n: Ìmọ́lẹ̀ Kemikali (CMP) lè ṣe àṣeyọrí ìpele atomiki pẹ̀lú Ra<0.15nm, kí ó lè dé àwọn ìbéèrè ìdàgbàsókè epitaxial tí ó béèrè jùlọ; Ìmọ̀-ẹ̀rọ ìtọ́jú ojú ilẹ̀ tí ó ṣetán fún àwọn ìbéèrè ìṣẹ̀dá kíákíá lè pèsè àwọn ojú ilẹ̀ tí ó mọ́ tónítóní pẹ̀lú Sq<0.3nm àti ìwọ́n oxide tí ó kù <1nm, èyí tí ó mú kí ìlànà ìtọ́jú ṣáájú ní òpin oníbàárà rọrùn gidigidi.

XKH n pese awọn ojutu ti a ṣe adani pipe fun awọn ipilẹ idapọ SiC ti o ni idabobo-insulating 6-inch.

1. Ṣíṣe Àtúnṣe Ìpínrọ̀ Ohun Èlò
A n pese atunṣe resistance deede laarin iwọn 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, pẹlu awọn aṣayan resistance to gaju ti o ga julọ >10⁹ Ω·cm ti o wa fun awọn ohun elo ologun/aerospace.

2. Àwọn Ìlànà Ìfúnpọ̀
Awọn aṣayan sisanra ti o ni ibamu mẹta:

· 200μm (a ṣe iṣapeye fun awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga)

· 350μm (ìlànà ìṣàfihàn déédéé)

· 500μm (a ṣe apẹrẹ fun awọn ohun elo agbara giga)
· Gbogbo àwọn onírúurú ní ìfaradà tó nípọn tó ±10μm.

3. Àwọn Ìmọ̀ Ẹ̀rọ Ìtọ́jú Ilẹ̀

Ṣíṣe ìmọ́tótó ẹ̀rọ kẹ́míkà (CMP): Ó ń ṣe àṣeyọrí ìpele atomiki pẹ̀lú Ra<0.15nm, ó sì ń bá àwọn ohun tí ó yẹ fún ìdàgbàsókè epitaxial mu fún RF àti àwọn ẹ̀rọ agbára.

4. Iṣẹ́ ìtọ́jú ojú ilẹ̀ Epi-Ready

· Ó ń pèsè àwọn ojú ilẹ̀ tí ó mọ́ tónítóní pẹ̀lú ìrísí Sq<0.3nm

· Ṣàkóso sisanra oksidi abinibi si <1nm

· Yíyọ àwọn ìgbésẹ̀ mẹ́ta ṣáájú ìṣiṣẹ́ ní àwọn ilé iṣẹ́ oníbàárà kúrò