Ìwọ̀n Àpapọ̀ SiC Inch 6 Conductive Substrate 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

Àpò Ìdàpọ̀ SiC Inch 6 Conductive 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm Àwòrán Àfihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Nítorí ìsapá ilé iṣẹ́ semiconductor láti ṣe iṣẹ́ tó ga jùlọ àti owó tó rẹlẹ̀, ohun èlò SiC onígun mẹ́fà ti yọrí sí rere. Nípasẹ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ onígun mẹ́fà yìí, ó ṣe àṣeyọrí 85% iṣẹ́ àwọn wafer onígun mẹ́jọ ìbílẹ̀ nígbà tí ó ń ná 60% péré. Àwọn ẹ̀rọ agbára nínú àwọn ohun èlò ojoojúmọ́ bíi àwọn ibùdó gbigba agbára ọkọ̀ tuntun, àwọn modulu agbára ibùdó 5G, àti àwọn awakọ̀ onígbà díẹ̀ nínú àwọn ohun èlò ilé tó dára jùlọ lè ti ń lo àwọn ohun èlò onígun mẹ́rin irú èyí. Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdàgbàsókè epitaxial onípele-pupọ wa tí a fọwọ́ sí mú kí àwọn ìsopọ̀ onígun mẹ́rin onípele atomiki wà lórí àwọn ìpìlẹ̀ SiC, pẹ̀lú ìwọ̀n ìpìlẹ̀ ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ní ìsàlẹ̀ 1×10¹¹/cm²·eV – ìpele kan tí ó ti dé àwọn ìpele tó ga jùlọ kárí ayé.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Àwọn ohun kan	Ìṣẹ̀dáipele	Dídánipele
Iwọn opin	6-8 inches	6-8 inches
Sisanra	350/500±25.0 μm	350/500±25.0 μm
Irú onípele púpọ̀	4H	4H
Àìfaradà	0.015-0.025 ohm·cm	0.015-0.025 ohm·cm
TV	≤5 μm	≤20 μm
Ìfọwọ́sowọ́pọ̀	≤35 μm	≤55 μm
Àìlera iwájú (Si-fojú)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)

Àwọn Ohun Pàtàkì

1. Àǹfààní Owó: Substrate SiC onígun mẹ́fà wa lo ìmọ̀-ẹ̀rọ "ìpele ìdáàbòbò" tí ó ń mú kí ìṣètò ohun èlò dára síi láti dín iye owó ohun èlò aise kù nípa 38% nígbàtí ó ń ṣe àtúnṣe iṣẹ́ iná mànàmáná tó dára. Àwọn ìwọ̀n gidi fihàn pé àwọn ẹ̀rọ MOSFET 650V tí ń lo substrate yìí ní ìdínkù 42% nínú iye owó fún agbègbè kọ̀ọ̀kan ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ojútùú ìbílẹ̀, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún gbígbé ìlò ẹ̀rọ SiC ga nínú ẹ̀rọ itanna oníbàárà.
2. Àwọn Ànímọ́ Ìdarí Tó Tayọ̀: Nípasẹ̀ àwọn ìlànà ìṣàkóso nitrogen doping tó péye, substrate onípele 6-inch wa tó ń darí SiC ṣe àṣeyọrí ìdènà tó kéré gan-an ti 0.012-0.022Ω·cm, pẹ̀lú ìyàtọ̀ tó ń ṣàkóso láàrín ±5%. Lóòótọ́, a ń pa ìdàpọ̀ ìdènà mọ́ láàrín agbègbè etí 5mm ti wafer, èyí tó ń yanjú ìṣòro ipa etí tó ti pẹ́ nínú iṣẹ́ náà.
3.Iṣẹ́ Ìgbóná: Módùùlù 1200V/50A tí a ṣe nípa lílo substrate wa fi hàn pé ìwọ̀n otútù ìsopọ̀ 45℃ nìkan ló ga ju àyíká lọ nígbà tí ẹrù bá ń pọ̀ sí i - 65℃ ló kéré sí àwọn ẹ̀rọ tí a fi silicon ṣe. Èyí ni a mú kí ó ṣeé ṣe nípasẹ̀ ètò àpapọ̀ "3D thermal channel" wa tí ó ń mú kí ìgbóná ìdúróṣinṣin sí ẹ̀gbẹ́ pọ̀ sí 380W/m·K àti ìgbóná ìdúróṣinṣin sí 290W/m·K.
4. Ibamu Ilana: Fun eto alailẹgbẹ ti awọn substrates SiC conductive 6-inch, a ṣe agbekalẹ ilana gige laser stealth ti o baamu ti o ṣaṣeyọri iyara gige 200mm/s lakoko ti o n ṣakoso gige eti ni isalẹ 0.3μm. Ni afikun, a nfunni ni awọn aṣayan substrates ti a fi nickel ṣe ti o mu ki asopọ die taara ṣiṣẹ, ti o fi awọn alabara pamọ awọn igbesẹ ilana meji.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

Ohun èlò ìwádìí ọlọ́gbọ́n tó ṣe pàtàkì:

Nínú àwọn ètò ìgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ tààrà voltage gíga (UHVDC) tí ń ṣiṣẹ́ ní ±800kV, àwọn ẹ̀rọ IGCT tí wọ́n ń lo àwọn ohun èlò SiC onígun mẹ́fà wa fi àwọn àfikún iṣẹ́ tó yanilẹ́nu hàn. Àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí ṣe àṣeyọrí ìdínkù 55% nínú àdánù ìyípadà nígbà tí wọ́n bá ń lo àwọn ìlànà ìyípadà, nígbà tí wọ́n ń mú kí iṣẹ́ gbogbogbòò pọ̀ sí i láti ju 99.2% lọ. Ìgbékalẹ̀ ooru tó ga jùlọ (380W/m·K) àwọn ohun èlò náà ń jẹ́ kí àwọn àwòṣe ìyípadà onípele kékeré dín ìtẹ̀síwájú substation kù ní 25% ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ojútùú tí a fi silicon ṣe.

Awọn irin-ajo agbara ọkọ ayọkẹlẹ tuntun:

Ètò ìwakọ̀ tí ó ní àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ SiC oníwọ̀n 6-inch wa ṣe àṣeyọrí agbára inverter tí kò tíì ṣẹlẹ̀ rí ti 45kW/L - ìdàgbàsókè 60% lórí àwòrán tí wọ́n ṣe tẹ́lẹ̀ lórí silicon 400V. Èyí tí ó yani lẹ́nu jùlọ ni pé ètò náà ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní 98% jákèjádò gbogbo ìwọ̀n otútù iṣẹ́ láti -40℃ sí +175℃, èyí tí ó ń yanjú àwọn ìpèníjà ìṣe-ṣíṣe ojú ọjọ́ òtútù tí ó ti fa ìgba EV ní àwọn ojú ọjọ́ àríwá. Àwọn ìdánwò gidi fi hàn pé ó ní ìbísí 7.5% nínú ìwọ̀n ìgbà òtútù fún àwọn ọkọ̀ tí wọ́n ní ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí.

Awọn awakọ igbohunsafẹfẹ iyipada ile-iṣẹ:

Gbígbà tí a ń lo àwọn ohun èlò wa nínú àwọn modulu agbára olóye (IPMs) fún àwọn ètò servo ilé iṣẹ́ ń yí ìṣedáṣe iṣẹ́ padà. Nínú àwọn ilé iṣẹ́ ẹ̀rọ CNC, àwọn modulu wọ̀nyí ń fúnni ní ìdáhùn mọ́tò tó yára 40% (tí ó ń dín àkókò ìfàsẹ́yìn kù láti 50ms sí 30ms) nígbàtí ó ń dín ariwo onínámọ́ná kù nípa 15dB sí 65dB(A).

Àwọn Ẹ̀rọ Amúṣẹ́ṣe Oníbàárà:

Ìyípadà ẹ̀rọ itanna oníbàárà ń tẹ̀síwájú pẹ̀lú àwọn ohun èlò wa tí ó ń mú kí àwọn ẹ̀rọ amúṣẹ́yá GaN 65W tó ń bọ̀ máa ṣiṣẹ́. Àwọn ohun èlò amúṣẹ́yá agbára kékeré wọ̀nyí ṣe àṣeyọrí ìdínkù ìwọ̀n ohùn 30% (sísàlẹ̀ sí 45cm³) nígbà tí wọ́n ń ṣe àtúnṣe agbára gbogbogbòò, nítorí àwọn ànímọ́ ìyípadà tó ga jùlọ ti àwọn ẹ̀rọ tí a fi SiC ṣe. Àwòrán ooru fi ìwọ̀n otútù tó ga jùlọ hàn ní 68°C nígbà tí a bá ń ṣiṣẹ́ déédéé - ó tutù ju àwọn ẹ̀rọ ìbílẹ̀ lọ - ó ń mú kí ìgbésí ayé àti ààbò ọjà sunwọ̀n sí i gidigidi.

Awọn Iṣẹ Aṣeṣe XKH

XKH n pese atilẹyin isọdi pipe fun awọn substrate SiC conductive 6-inch:

Ṣíṣe Àtúnṣe Sísanra: Àwọn àṣàyàn pẹ̀lú àwọn ìlànà 200μm, 300μm, àti 350μm
2. Iṣakoso Idaabobo: Ifojusi doping iru n ti a le ṣatunṣe lati 1×10¹⁸ si 5×10¹⁸ cm⁻³

3. Ìtọ́sọ́nà Kírísítà: Àtìlẹ́yìn fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìtọ́sọ́nà pẹ̀lú (0001) ní ìta-ààlà 4° tàbí 8°

4. Awọn Iṣẹ Idanwo: Awọn ijabọ idanwo paramita ipele wafer pipe

Àkókò ìdarí wa lọ́wọ́lọ́wọ́ láti ìgbà tí a bá ń ṣe àgbékalẹ̀ sí ìgbà tí a bá ń ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ lè kúrú tó ọ̀sẹ̀ mẹ́jọ. Fún àwọn oníbàárà onímọ̀ nípa ètò, a ń ṣe àwọn iṣẹ́ ìdàgbàsókè ìlànà pàtàkì láti rí i dájú pé ó bá àwọn ohun tí ẹ̀rọ náà nílò mu.