Ọna CVD fun iṣelọpọ awọn ohun elo aise SiC mimọ giga ninu ileru iṣelọpọ silikoni carbide ni 1600℃

Ọ̀nà CVD fún ṣíṣe àwọn ohun èlò aise SiC mímọ́ tó ga nínú iná ìléru silikoni carbide ní 1600℃ Àwòrán tí a ṣe àfihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ilé ìgbóná ìṣẹ̀dá Silicon carbide (SiC) (CVD). Ó ń lo ìmọ̀ ẹ̀rọ Kemikali Vapor Deposition (CVD) sí àwọn orísun silicon gaseous ₄ (fún àpẹẹrẹ SiH₄, SiCl₄) ní àyíká ooru gíga níbi tí wọ́n ti ń ṣe sí àwọn orísun erogba (fún àpẹẹrẹ C₃H₈, CH₄). Ẹ̀rọ pàtàkì kan fún gbígbin àwọn kirisita silicon carbide oníwẹ́ẹ́ lórí substrate kan (gráfítì tàbí irúgbìn SiC). Ìmọ̀ ẹ̀rọ náà ni a lò fún ṣíṣètò substrate SiC kan ṣoṣo (4H/6H-SiC), èyí tí ó jẹ́ ohun èlò ìlànà pàtàkì fún ṣíṣe àwọn semiconductors agbára (bíi MOSFET, SBD).

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ilana Iṣiṣẹ:

1. Ipese ohun ti o n pese ṣaaju. Orisun silikoni (fun apẹẹrẹ SiH₄) ati orisun erogba (fun apẹẹrẹ C₃H₈) ni a dapọ ni iwọn ti a si fi sinu yara iṣedaṣe.

2. Ìbàjẹ́ otutu gíga: Ní iwọn otutu gíga ti 1500~2300℃, ìbàjẹ́ gaasi máa ń mú àwọn átọ̀mù Si àti C ṣiṣẹ́ jáde.

3. Ìhùwàsí ojú ilẹ̀: A fi àwọn átọ̀mù Si àti C sí orí ilẹ̀ tí ó wà lábẹ́ ilẹ̀ láti ṣẹ̀dá ìpele kírísítà SiC kan.

4. Ìdàgbàsókè Kírísítàlì: Nípasẹ̀ ìṣàkóso ìyípadà iwọ̀n otútù, ìṣàn gáàsì àti ìfúnpá, láti ṣàṣeyọrí ìdàgbàsókè ìtọ́sọ́nà ní ẹ̀gbẹ́ c tàbí a ...

Awọn ipilẹ pataki:

· Iwọn otutu: 1600~2200℃ (>2000℃ fun 4H-SiC)

· Ìfúnpá: 50~200mbar (ìfúnpá kékeré láti dín ìfúnpá gaasi kù)

· Ìpíndọ́gba gáàsì: Si/C≈1.0~1.2 (láti yẹra fún àbùkù ìdàgbàsókè Si tàbí C)

Awọn ẹya pataki:

(1) Dídára kirisita
Ìwọ̀n àbùkù kékeré: ìwọ̀n microtubule < 0.5cm ⁻², ìwọ̀n ìyípadà < 10⁴ cm⁻².

Ìṣàkóso irú polycrystalline: le dagba 4H-SiC (ojú-ìwé), 6H-SiC, 3C-SiC àti àwọn irú kristali mìíràn.

(2) Iṣẹ́ ẹ̀rọ
Iduroṣinṣin iwọn otutu giga: alapapo induction graphite tabi alapapo resistance, iwọn otutu > 2300℃.

Iṣakoso iṣọkan: iyipada iwọn otutu ±5℃, oṣuwọn idagbasoke 10 ~ 50μm/h.

Ètò gaasi: Mita ìṣàn omi gíga (MFC), mímọ́ gaasi ≥99.999%.

(3) Àwọn àǹfààní ìmọ̀-ẹ̀rọ
Ìmọ́tótó gíga: Ìwọ̀n àìmọ́ ìsàlẹ̀ <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ).

Ìwọ̀n tó tóbi: Ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè SiC 6 "/8".

(4) Lilo agbara ati iye owo
Lilo agbara giga (200~500kW·h fun ileru), ti o jẹ 30% ~ 50% ti iye owo iṣelọpọ ti substrate SiC.

Awọn ohun elo pataki:

1. Agbára semikondokito: SiC MOSFETs fún ṣíṣe àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná àti àwọn inverters photovoltaic.

2. Ẹ̀rọ Rf: Ibùdó ìpìlẹ̀ 5G GaN-on-SiC epitaxial substrate.

3. Awọn ẹrọ ayika ti o ga julọ: awọn sensọ iwọn otutu giga fun awọn ile-iṣẹ agbara afẹfẹ ati iparun.

Ìfitónilétí ìmọ̀-ẹ̀rọ:

Ìlànà ìpele	Àwọn àlàyé
Àwọn ìwọ̀n (L × W × H)	4000 x 3400 x 4300 mm tàbí ṣe àtúnṣe rẹ̀
Iwọn opin yara ileru	1100mm
Agbara gbigba	50kg
Ìpele igbale iye	10-2Pa (wakati 2 lẹhin ti fifa molikula bẹrẹ)
Oṣuwọn ilosoke titẹ yara	≤10Pa/h(lẹ́yìn ìfúnpọ̀)
Ideri ileru isalẹ gbe soke	1500mm
Ọ̀nà ìgbóná	Igbóná induction
Iwọn otutu ti o pọ julọ ninu ileru	2400°C
Ipese agbara igbona	2X40kW
Iwọn iwọn otutu	Iwọn iwọn otutu infurarẹẹdi awọ meji
Iwọn iwọn otutu	900~3000℃
Ìṣàkóṣo iwọn otutu déédéé	±1°C
Ibiti titẹ iṣakoso	1~700mb
Ìṣètò Ìdarí Ìfúnpá	1~5mbar ±0.1mbar; 5~100mbar ±0.2mbar; 100~700mbar ±0.5mbar
Ọ̀nà ìgbéjáde	Ikojọpọ kekere;
Iṣeto aṣayan	Ibùdó ìwọ̀n otutu méjì, tí ń tú fọ́ọ̀kìlìfìtì sílẹ̀.

Awọn iṣẹ XKH:

XKH n pese awọn iṣẹ kikun fun awọn ile ina CVD silikoni carbide, pẹlu isọdi ẹrọ (apẹrẹ agbegbe iwọn otutu, iṣeto eto gaasi), idagbasoke ilana (iṣakoso kirisita, iṣapeye abawọn), ikẹkọ imọ-ẹrọ (iṣiṣẹ ati itọju) ati atilẹyin lẹhin tita (ipese awọn ẹya apoju ti awọn paati pataki, ayẹwo latọna jijin) lati ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-ipilẹ SiC ti o ga julọ. Ati pese awọn iṣẹ igbesoke ilana lati mu iṣelọpọ kirisita ati ṣiṣe idagbasoke pọ si nigbagbogbo.