Layer Epitaxial
-
200mm 8inch GaN lórí ìsàmì epo onípele Epi-layer
-
Àwọn ohun èlò onípele-gíga fún àwọn ẹ̀rọ RF Acoustic (LNOSiC)
-
GaN lórí Gilasi 4-Inch: Àwọn àṣàyàn Gilasi tí a lè ṣe àtúnṣe pẹ̀lú JGS1, JGS2, BF33, àti Ordinary Quartz
-
Wafer AlN-on-NPSS: Ipele Nitride Aluminium Nitride ti o ga julọ lori Substrate Sapphire ti ko ni didan fun Awọn ohun elo otutu giga, Agbara giga, ati RF
-
Àwọn Wafers Epitaxial GaN-on-SiC tí a ṣe àdánidá (100mm, 150mm) – Àwọn Àṣàyàn Substrate SiC Púpọ̀ (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Àwọn Wafers GaN-on-Diamond 4inch 6inch Àpapọ̀ ìwọ̀n epi (micron) 0.6 ~ 2.5 tàbí tí a ṣe àdáni fún Àwọn Ohun Èlò Ìgbohùn-gíga
-
GaAs gallium arsenide wafer power-power epitaxial wafer substrate gallium arsenide wafer power laser wavelength 905nm fún ìtọ́jú lésà
-
A le lo awọn ohun elo detector PD Array fun LiDAR fun wafer epitaxial wafer substrate InGaAs.
-
Ẹ̀rọ ìwádìí ìmọ́lẹ̀ APD onípele méjì ínṣì 3ínṣì 4ínṣì InP epitaxial wafer substrate fún ìbánisọ̀rọ̀ optic fiber optic tàbí LiDAR
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N/P iru gba adani
-
Wafer SiC Epi 4 inches fun MOS tabi SBD
-
Ìwọ̀n ìfọ́mọ́lẹ̀ Silicon-On-Insulator SOI wàrà mẹ́ta fún Microelectronics àti Redio Frequency