Gallium Nitride lórí Silicon wafer 4inch 6inch Apẹrẹ Si Substrate Iṣalaye, Resistivity, ati N-type/P-type Awọn aṣayan
Àwọn ẹ̀yà ara
●Ìgbà tí ó gbòòrò:GaN (3.4 eV) n pese ilọsiwaju pataki ninu iṣẹ igbohunsafẹfẹ giga, agbara giga, ati iwọn otutu giga ni akawe si silikoni ibile, ti o jẹ ki o dara julọ fun awọn ẹrọ agbara ati awọn amplifiers RF.
● Ìtọ́sọ́nà Sẹ́ẹ̀tì Sí tí a lè ṣe àtúnṣe:Yan lati awọn itọsọna Si oriṣiriṣi gẹgẹbi <111>, <100>, ati awọn miiran lati baamu awọn ibeere ẹrọ kan pato.
●Àìfaradà Àṣàyàn:Yan laarin awọn aṣayan resistance oriṣiriṣi fun Si, lati semi-insulating si high-resistivity ati kekere-resistivity lati mu iṣẹ ẹrọ dara si.
●Irú ìtọ́jú oògùn:Ó wà ní irú N-type tàbí P-type doping láti bá àwọn ohun tí àwọn ẹ̀rọ agbára, RF transistors, tàbí LED béèrè mu.
● Fólíìjì Ìfọ́lẹ̀ Gíga:Àwọn wafer GaN-on-Si ní folti ìfọ́lẹ̀ gíga (tó tó 1200V), èyí tó ń jẹ́ kí wọ́n lè lo àwọn ohun èlò folti gíga.
●Iyára Ìyípadà Yára:GaN ní ìṣíkiri elekitironi giga ati pipadanu iyipada kekere ju silikoni lọ, eyi ti o mu ki awọn wafer GaN-on-Si dara julọ fun awọn iyika iyara giga.
●Iṣẹ́ Ooru Tí A Mú Dáadáa:Láìka bí silikoni ṣe ń lo ooru tó kéré sí, GaN-on-Si ṣì ń fúnni ní ìdúróṣinṣin ooru tó ga jù, pẹ̀lú ìtújáde ooru tó dára ju àwọn ẹ̀rọ silikoni ìbílẹ̀ lọ.
Àwọn Ìlànà Ìmọ̀-ẹ̀rọ
| Pílámẹ́rà | Iye |
| Ìwọ̀n Wafer | 4-inch, 6-inch |
| Ìtọ́sọ́nà Sẹ́ẹ̀tì | <111>, <100>, àṣà |
| Si Resistivity | Agbara-agbara-giga, Idabobo-alabọde, Agbara-agbara-kekere |
| Irú Dídín-ó-nǹkan-ṣe-oògùn | Iru-N, Iru-P |
| Sisanra Fẹlẹfẹlẹ GaN | 100 nm – 5000 nm (ṣe àtúnṣe) |
| Ìpele Ìdènà AlGaN | 24% – 28% Al (aṣayan 10-20 nm) |
| Fọ́ọ́lítì ìfọ́ | 600V – 1200V |
| Ìṣíṣẹ́ Electroniki | 2000 cm²/V·s |
| Ìyípadà Ìgbàkúgbà | Títí dé 18 GHz |
| Ríru ojú Wafer | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| Resistance GaN Sheet | 437.9 Ω·cm² |
| Àpapọ̀ Ìṣọpọ̀ Wafer | < 25 µm (òpọ̀ jùlọ) |
| Ìgbékalẹ̀ Ooru | 1.3 – 2.1 W/cm·K |
Àwọn ohun èlò ìlò
Awọn Itanna Agbara: GaN-on-Si dara julọ fun awọn ẹrọ itanna agbara gẹgẹbi awọn amplifiers agbara, awọn iyipada, ati awọn inverters ti a lo ninu awọn eto agbara isọdọtun, awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina (EVs), ati awọn ohun elo ile-iṣẹ. Fọlteti fifọ giga rẹ ati resistance kekere rẹ rii daju iyipada agbara ti o munadoko, paapaa ninu awọn ohun elo agbara giga.
RF ati Awọn ibaraẹnisọrọ MakirowefuÀwọn wafer GaN-on-Si ní agbára ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ gíga, èyí tí ó mú kí wọ́n pé fún àwọn amplifiers agbára RF, ìbánisọ̀rọ̀ satẹlaiti, àwọn ètò radar, àti àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ 5G. Pẹ̀lú iyàrá ìyípadà gíga àti agbára láti ṣiṣẹ́ ní àwọn ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ gíga (títí dé18 GHz), awọn ẹrọ GaN nfunni ni iṣẹ ṣiṣe to ga julọ ninu awọn ohun elo wọnyi.
Àwọn Ẹ̀rọ Ìmọ́tò Ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́: A nlo GaN-on-Si ninu awọn eto agbara ọkọ ayọkẹlẹ, pẹluàwọn ẹ̀rọ amúlétutù lórí ọkọ̀ (OBCs)àtiÀwọn olùyípadà DC-DCAgbára rẹ̀ láti ṣiṣẹ́ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga àti láti kojú àwọn ìpele fólẹ́ẹ̀tì gíga mú kí ó jẹ́ ohun tí ó yẹ fún àwọn ohun èlò ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná tí ó nílò ìyípadà agbára tí ó lágbára.
LED ati OptoelectronicsGaN ni ohun elo yiyan fun Awọn LED buluu ati funfunA lo awọn wafer GaN-on-Si lati ṣe awọn eto ina LED ti o munadoko pupọ, ti o pese iṣẹ ṣiṣe ti o tayọ ni ina, awọn imọ-ẹrọ ifihan, ati awọn ibaraẹnisọrọ opitika.
Ìbéèrè àti Ìdáhùn
Ìbéèrè 1: Kí ni àǹfààní GaN ju silicon lọ nínú àwọn ẹ̀rọ itanna?
A1:GaN níààlà ìpele tó gbòòrò (3.4 eV)ju silikoni (1.1 eV), èyí tí ó fún un láyè láti kojú àwọn fóltéèjì àti iwọ̀n otútù gíga. Ohun ìní yìí mú kí GaN lè ṣe àwọn ohun èlò agbára gíga lọ́nà tó dára jù, ó dín ìpàdánù agbára kù àti pé ó ń mú kí iṣẹ́ ètò pọ̀ sí i. GaN tún ní àwọn iyàrá ìyípadà tó yára, èyí tó ṣe pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga bíi àwọn amplifiers RF àti àwọn power converters.
Q2: Ṣe mo le ṣe akanṣe itọsọna substrate Si fun ohun elo mi?
A2:Bẹ́ẹ̀ni, a ń fúnni níawọn itọsọna substrate Si ti a le ṣe adanibi eleyi<111>, <100>, àti àwọn ìtọ́sọ́nà míràn tí ó da lórí àwọn ohun tí ẹ̀rọ rẹ nílò. Ìtọ́sọ́nà ti substrate Si kó ipa pàtàkì nínú iṣẹ́ ẹ̀rọ náà, pẹ̀lú àwọn ànímọ́ iná mànàmáná, ìwà ooru, àti ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ.
Ìbéèrè 3: Àwọn àǹfààní wo ló wà nínú lílo àwọn wafers GaN-on-Si fún àwọn ohun èlò ìgbóná gíga?
A3:Àwọn ìṣẹ́ àpò GaN-on-Si ń fúnni ní àǹfààní tó ga jùawọn iyara iyipada, èyí tí ó mú kí wọ́n ṣiṣẹ́ kíákíá ní àwọn ìgbà tí ó ga ju silicon lọ. Èyí mú kí wọ́n dára fúnRFàtimakirowefuawọn ohun elo, bakanna bi igbohunsafẹfẹ gigaawọn ẹrọ agbarabi eleyiÀwọn Hẹ́mù(Awọn transistors High Electron Mobility) atiÀwọn amplifiers RFÌṣíkiri elekitironi giga ti GaN tun n fa pipadanu iyipada kekere ati ilọsiwaju ṣiṣe.
Ìbéèrè 4: Àwọn àṣàyàn ìfúnpọ̀ oògùn wo ló wà fún àwọn ìfúnpọ̀ GaN-on-Si?
A4:A n pese mejeejiIrú N-NàtiIrú-Pawọn aṣayan doping, eyiti a lo fun awọn oriṣi awọn ẹrọ semikondokito oriṣiriṣi.Iru N-dopingjẹ́ àṣeyọrí fúnawọn transistors agbaraàtiÀwọn amplifiers RF, nígbàtíIru-P dopinga maa n lo fun awọn ẹrọ optoelectronic bii LED.
Ìparí
Àwọn Wafers Gallium Nitride tí a ṣe àdáni lórí Silicon (GaN-on-Si) wa pèsè ojútùú tí ó dára jùlọ fún àwọn ohun èlò ìgbóná gíga, agbára gíga, àti ìgbóná gíga. Pẹ̀lú àwọn ìtọ́sọ́nà Si substrate tí a lè ṣe àdáni, resistance, àti doping irú N-type/P, àwọn wafers wọ̀nyí ni a ṣe àdáni láti bá àwọn àìní pàtó ti àwọn ilé-iṣẹ́ mu láti orí ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn ètò ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ sí ìbánisọ̀rọ̀ RF àti àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ LED. Nípa lílo àwọn ohun-ìní gíga ti GaN àti ìwọ̀n silicon, àwọn wafers wọ̀nyí ń pese iṣẹ́ tí ó dára síi, ìṣiṣẹ́, àti ìdáàbòbò ọjọ́ iwájú fún àwọn ẹ̀rọ ìran tí ń bọ̀.
Àwòrán Àlàyé
