Ohun èlò ìdàgbàsókè Sapphire Ingot Ọ̀nà Czochralski CZ fún ṣíṣe àwọn Wafer Sapphire 2in-12in

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ohun èlò ìdàgbàsókè Sapphire Ingot (Ọ̀nà Czochralski) jẹ́ ètò tuntun tí a ṣe fún ìdàgbàsókè sapphire kan ṣoṣo tí ó ní àbùkù díẹ̀, tí ó sì ní àbùkù díẹ̀. Ọ̀nà Czochralski (CZ) ń jẹ́ kí a ṣàkóso iyàrá fífà sístàlì irúgbìn (0.5–5 mm/h), iwọ̀n ìyípo (5–30 rpm), àti àwọn ìyípadà iwọ̀n otútù nínú ìṣàn iridium, tí ó ń ṣe àwọn kirisita axisymmetric tí ó tó 12 inches (300 mm) ní iwọ̀n ìlà. Ohun èlò yìí ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìṣàkóso ìtọ́sọ́nà crystal C/A, tí ó ń jẹ́ kí ìdàgbàsókè ìpele optical, ìpele-electronic, àti sapphire onípele doped dàgbàsókè (fún àpẹẹrẹ, Cr³⁺ ruby, Ti³⁺ sapphire oníràwọ̀).

XKH n pese awọn ojutu opin-si-opin, pẹlu isọdi ẹrọ (iṣelọpọ wafer 2-12-inch), iṣapeye ilana (iwuwo abawọn <100/cm²), ati ikẹkọ imọ-ẹrọ, pẹlu iṣelọpọ oṣooṣu ti 5,000+ wafers fun awọn ohun elo bii awọn substrates LED, GaN epitaxy, ati apoti semiconductor.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ilana Iṣiṣẹ

Ọna CZ n ṣiṣẹ nipasẹ awọn igbesẹ wọnyi:
1. Ṣíṣe Àwọn Ohun Èlò Tí A Kò Lè Yọ́: A máa yọ́ Al₂O₃ (ìmọ́tótó >99.999%) nínú ìkòkò iridium ní 2050–2100°C.
2. Ìfihàn Kírísítà Irúgbìn: A máa ń sọ kírísítà irúgbìn kan kalẹ̀ sínú yíyọ́, lẹ́yìn náà a máa ń fa á kíákíá láti ṣẹ̀dá ọrùn (ìwọ̀n iwọ̀n <1 mm) láti mú kí àwọn ìtúpalẹ̀ kúrò.
3. Ìṣẹ̀dá èjìká àti Ìdàgbàsókè Púpọ̀: A dín iyàrá fífà kù sí 0.2–1 mm/h, ní fífẹ̀ ìwọ̀n kírísítàlì náà díẹ̀díẹ̀ sí ìwọ̀n ibi tí a fẹ́ dé (fún àpẹẹrẹ, 4–12 inches).
4. Fífún àti Fífún Itútù: A máa tu kirisita náà ní 0.1–0.5°C/ìṣẹ́jú kan láti dín ìfọ́ tí ooru ń fà kù.
5. Àwọn Irú Kírísítà Tó Báramu:
Ìpele Ẹ̀rọ Amúṣẹ́dá: Àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ Semiconductor (TTV <5 μm)
Ipele Optical: Awọn ferese lesa UV (gbigbe >90% @ 200 nm)
Àwọn Ìyàtọ̀ Díẹ̀: Ruby (ìwọ̀n Cr³⁺ 0.01–0.5 wt.%), ọpọn sapphire aláwọ̀ búlúù

Àwọn Ẹ̀rọ Ètò Àkọ́kọ́

1. Ètò Yíyọ
Iridium Crucible: Ó dúró ṣinṣin sí 2300°C, ó lè dènà ìbàjẹ́, ó sì bá àwọn yo tó tóbi mu (100–400 kg).
Ààrò Ìgbóná Induction: Ìṣàkóso ìwọ̀n otútù tí kò ní ìyípadà ní agbègbè púpọ̀ (±0.5°C), àwọn ìyípadà ooru tí a ṣe àtúnṣe.

2. Eto fifa ati Yiyi
Mọ́tò Servo Pípéye Gíga: Ìpinnu fífà 0.01 mm/h, ìyípo ìyípo <0.01 mm.
Èdìdì Omi Oofa Oofa: Gbigbe ti kii ṣe olubasọrọ fun idagbasoke ti nlọ lọwọ (> awọn wakati 72).

3. Ètò Ìṣàkóso Ooru
Ìṣàkóso PID Tí a Ti Pa Mọ́: Àtúnṣe agbára ní àkókò gidi (50–200 kW) láti mú kí pápá ooru dúró ṣinṣin.
Ààbò Gaasi Inert: Àdàpọ̀ Ar/N₂ (ìmọ́tótó 99.999%) láti dènà ìfọ́mọ́.

4. Àdáṣe àti Àbójútó
Abojuto Iwọn Okun CCD: Awọn esi akoko gidi (ipe deedee ± 0.01 mm).
Infrared Thermography: Ó ń ṣe àyẹ̀wò ìrísí ìsopọ̀ pẹ̀lú omi líle.

Ìfiwéra Ọ̀nà CZ àti KY

Àwọn pàrámítà	Ọna CZ	Ọna KY
Iwọn Kirisita To Ga Jùlọ	12 inches (300 mm)	400 mm (ìwọ̀n ìrísí píà)
Àbùkù iwuwo	<100/cm²	<50/cm²
Oṣuwọn Idagbasoke	0.5–5 mm/h	0.1–2 mm/h
Lilo Agbara	50–80 kWh/kg	80–120 kWh/kg
Awọn ohun elo	Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ LED, GaN epitaxy	Àwọn fèrèsé opitika, àwọn ingot ńlá
Iye owo	Díẹ̀díẹ̀ (ìdókòwò ohun èlò gíga)	Gíga (ìlànà tó díjú)

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

1. Ile-iṣẹ Semiconductor
Àwọn ohun èlò ìsàlẹ̀ GaN Epitaxial: àwọn wafers 2–8-inch (TTV <10 μm) fún Micro-LED àti àwọn diode lésà.
Àwọn Wafers SOI: Ìrora ojú ilẹ̀ <0.2 nm fún àwọn eerun tí a so pọ̀ mọ́ 3D.

2. Optoelectronics
Àwọn Fèrèsé Lésà UV: Dá agbára ìwúwo 200 W/cm² dúró fún àwọn opìtíkì lithography.
Àwọn Ẹ̀yà Infrared: Ìwọ̀n ìfàmọ́ra <10⁻³ cm⁻¹ fún àwòrán ooru.

3. Àwọn Ẹ̀rọ Ìbánisọ̀rọ̀ Oníbàárà
Àwọn ìbòrí kámẹ́rà fóònù alágbéka: Ìdàgbàsókè agbára ìfọ́mọ́ra Mohs 9, 10×.
Àwọn Ìfihàn Aago Ọlọ́gbọ́n: Ìwọ̀n Sísanra 0.3–0.5 mm, ìtagbangba >92%.

4. Idaabobo ati Aerospace
Àwọn Fèrèsé Reactor Nuclear: Ìfaradà ìtànṣán tó tó 10¹⁶ n/cm².
Àwọn Dígí Lésà Agbára Gíga: Ìyípadà ooru <λ/20@1064 nm.

Awọn iṣẹ XKH

1. Ṣíṣe àtúnṣe sí ohun èlò
Apẹrẹ Yàrá Tí A Lè Gbé Pọ̀: Àwọn ìṣètò Φ200–400 mm fún ìṣẹ̀dá wafer 2–12-inch.
Rírọrùn fún Dídín Dídín: Ṣe àtìlẹ́yìn fún lílo ...

2. Atilẹyin lati opin si opin
Ṣíṣe Àtúnṣe Ìlànà: Àwọn ìlànà tí a ti fọwọ́ sí tẹ́lẹ̀ (50+) fún LED, àwọn ẹ̀rọ RF, àti àwọn èròjà tí a ti mú kí ìtànṣán le.
Nẹ́tíwọ́ọ̀kì Iṣẹ́ Àgbáyé: Àyẹ̀wò ìjìnnà 24/7 àti ìtọ́jú lórí ibi iṣẹ́ pẹ̀lú àtìlẹ́yìn oṣù 24.

3. Iṣẹ́ ìsàlẹ̀
Ṣíṣe Wafer: Gígé, lílọ, àti dídán àwọn wafer 2-12-inch (C/A-plane).
Awọn Ọja Ti a Fikun-iye:
Àwọn Ẹ̀yà Ojú: Àwọn fèrèsé UV/IR (nínípọn 0.5–50 mm).
Àwọn Ohun Èlò Ìpele Ọṣọ́: Rúbí Cr³⁺ (tí GIA fọwọ́ sí), Sàfírífì ìràwọ̀ Ti³⁺.

4. Itọsọna imọ-ẹrọ
Àwọn ìwé-ẹ̀rí: Àwọn ìṣẹ́ wafers tí ó bá EMI mu.
Àwọn ìwé àṣẹ: Àwọn ìwé àṣẹ pàtàkì nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ CZ.

Ìparí

Ẹ̀rọ CZ náà ń pese ìbáramu iwọn-nla, awọn oṣuwọn abawọn ti o kere pupọ, ati iduroṣinṣin ilana giga, ti o jẹ ki o jẹ ami-ami ile-iṣẹ fun awọn ohun elo LED, semiconductor, ati aabo. XKH n pese atilẹyin pipe lati imuṣiṣẹ ẹrọ si iṣelọpọ lẹhin idagbasoke, ti o fun awọn alabara laaye lati ṣaṣeyọri iṣelọpọ kristal sapphire ti o munadoko ati iṣẹ ṣiṣe giga.