English

Àpò ìdọ̀tí Silikoni Carbide (SiC) Oníwẹ́ gíga fún àwọn dígí Ar

Àwòrán tí a fi Silikoni Carbide (SiC) ṣe tí ó ní ìwẹ̀nùmọ́ gíga fún àwọn gilaasi Ar
  • Àpò ìdọ̀tí Silikoni Carbide (SiC) Oníwẹ́ gíga fún àwọn dígí Ar
  • Àpò ìdọ̀tí Silikoni Carbide (SiC) Oníwẹ́ gíga fún àwọn dígí Ar
  • Àpò ìdọ̀tí Silikoni Carbide (SiC) Oníwẹ́ gíga fún àwọn dígí Ar
  • Àpò ìdọ̀tí Silikoni Carbide (SiC) Oníwẹ́ gíga fún àwọn dígí Ar

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ silicon carbide semi-insulating (SiC) tí ó ní ìmọ́tótó gíga jẹ́ àwọn ohun èlò pàtàkì tí a fi silicon carbide ṣe, tí a lò fún ṣíṣe ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn ẹ̀rọ igbohunsafẹfẹ redio (RF), àti àwọn ohun èlò semiconductor oníwọ̀n ìgbóná gíga. Silicon carbide, gẹ́gẹ́ bí ohun èlò semiconductor oníwọ̀n ìgbóná gíga, ní àwọn ohun èlò itanna, ooru, àti ẹ̀rọ tí ó dára jùlọ, èyí tí ó mú kí ó dára fún lílò ní àwọn àyíká oníwọ̀n ìgbóná gíga, oníwọ̀n ìgbóná gíga, àti oníwọ̀n ìgbóná gíga.


Àwọn ẹ̀yà ara

Àwòrán Àlàyé

sic wafer7
wafer sic2

Àkótán Ọjà ti Àwọn Wafer SiC Oníná-ìdènà

Àwọn Wafer SiC Oníwọ̀n-Alágbára tí ó ga jùlọ ni a ṣe fún àwọn ẹ̀rọ itanna alágbára tí ó ti pẹ́, àwọn èròjà RF/makirowefu, àti àwọn ohun èlò optoelectronic. A ṣe àwọn wafer wọ̀nyí láti inú àwọn kirisita 4H- tàbí 6H-SiC oníwọ̀n-alágbára gíga, nípa lílo ọ̀nà ìdàgbàsókè Physical Vapor Transport (PVT) tí a ti tún ṣe, lẹ́yìn náà ni a tún ṣe àtúnṣe ìpele jíjìn. Àbájáde rẹ̀ ni wafer kan tí ó ní àwọn ànímọ́ tí ó tayọ wọ̀nyí:

  • Agbara to gaju-giga: ≥1×10¹² Ω·cm, ó ń dín ìṣàn omi tí ń jáde nínú àwọn ẹ̀rọ ìyípadà folti gíga kù dáadáa.

  • Ààlà gbigbooro (~3.2 eV): Ó ń rí i dájú pé iṣẹ́ rẹ̀ dára ní àwọn àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, pápá gíga, àti àyíká tí ó ní ìgbóná-ìtànṣán.

  • Ìlànà Ooru Tó Gíga Jùlọ: >4.9 W/cm·K, ó ń pese ìtújáde ooru tó munadoko nínú àwọn ohun èlò agbára gíga.

  • Agbara Ẹrọ Ti o Ga Ju: Pẹlu lile Mohs ti 9.0 (keji si diamond), imugboroosi ooru kekere, ati iduroṣinṣin kemikali to lagbara.

  • Oju ilẹ ti o dan ni atomiki: Ra < 0.4 nm àti ìwọ̀n àbùkù < 1/cm², ó dára fún ṣíṣe MOCVD/HVPE epitaxy àti micro-nano.

Àwọn ìwọ̀n tó wàÀwọn ìwọ̀n tó wọ́pọ̀ ní 50, 75, 100, 150, àti 200 mm (2"–8"), pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n tó wọ́pọ̀ tó 250 mm.
Ibiti o nipọn: 200–1,000 μm, pẹ̀lú ìfaradà ti ±5 μm.

Ilana Iṣelọpọ ti Awọn Wafer SiC Semi-Insulating

Igbaradi lulú SiC ti o ga julọ

  • Ohun èlò ìbẹ̀rẹ̀: lulú SiC ipele 6N, ti a ti wẹ mọ́ nipa lilo sublimation vacuum ipele pupọ ati awọn itọju ooru, ti a rii daju pe ko ni idoti irin kekere (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) ati awọn ifikun polycrystalline ti o kere ju.

Ìdàgbàsókè Kírísítà Kanṣoṣo ti PVT tí a yípadà

  • Àyíká: Nǹkan tí ó sún mọ́ afẹ́fẹ́ (10⁻³–10⁻² Torr).

  • Iwọn otutu: A fi gráfítì gbóná sí ~2,500 °C pẹ̀lú ìpele ooru tí a ṣàkóso ti ΔT ≈ 10–20 °C/cm.

  • Ṣíṣàn Gáàsì àti Àwòrán CrucibleÀwọn ohun èlò ìyapa tí a ṣe àgbékalẹ̀ àti àwọn ohun èlò tí ó ní ihò tí a ṣe láti mú kí ìfọ́pọ̀ èéfín kan náà wà ní ìbámu pẹ̀lú ìfọ́pọ̀ àti ìdènà àwọn ohun èlò tí a kò fẹ́.

  • Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ àti Ìyípo Oníyípadà: Àtúnṣe lulú SiC àti ìyípo kirisita-ọpá lẹ́ẹ̀kọ̀ọ̀kan máa ń yọrí sí ìfúnpọ̀ díẹ̀ (<3,000 cm⁻²) àti ìtọ́sọ́nà 4H/6H déédé.

Ìfàsẹ́yìn Ìpele Jíjìn

  • Alẹ Hídírójìn: A ṣe é ní afẹ́fẹ́ H₂ ní iwọ̀n otútù láàrín 600–1,400 °C láti mú àwọn ìdẹkùn jíjìn ṣiṣẹ́ kí ó sì mú kí àwọn ohun tí ń gbé inú rẹ̀ dúró ṣinṣin.

  • Kò sí Ìbáṣepọ̀-Dópínì (Àṣàyàn): Ìfilọ́lẹ̀ Al (olùgbà) àti N (olùfúnni) nígbà ìdàgbàsókè tàbí lẹ́yìn ìdàgbàsókè CVD láti ṣẹ̀dá àwọn méjì olùgbà-olùfúnni tí ó dúró ṣinṣin, èyí sì ń mú kí agbára ìdènà pọ̀ sí i.

Gígé Pípé àti Ìyípo Púpọ̀-Ìpele

  • Gígé Wáyà Dáyámọ́ńdì: Àwọn wáfárì tí a gé sí ìwọ̀n tí ó nípọn tó 200–1,000 μm, pẹ̀lú ìbàjẹ́ díẹ̀ àti ìfaradà tó ±5 μm.

  • Ilana IpinpinÀwọn ìpara dáyámọ́ńdì onípele-pípẹ́ tí a fi ń mú kí gígún gé, tí a sì ń mú kí gígún náà bàjẹ́, máa ń múra wáfà náà sílẹ̀ fún dídán.

Ìmọ́lẹ̀ Ẹ̀rọ Kemikali (CMP)

  • Ìmọ́lẹ̀ Àwọn Ohun Èlò Ìmúdàgba: Nano-oxide (SiO₂ tàbí CeO₂) slurry nínú omi alkaline díẹ̀.

  • Iṣakoso Ilana: Ṣíṣe àtúnṣe díẹ̀díẹ̀ máa ń dín ìfọ́ kù, ó sì máa ń mú kí ìfọ́ kù sí 0.2–0.4 nm, ó sì máa ń mú kí ìfọ́ kù sí àyè kékeré.

Ìmọ́tótó àti Àpò Ìkẹyìn

  • Ìmọ́tótó Ultrasonic: Ilana mimọ-pupọ-igbesẹ (olomi adayeba, awọn itọju acid/base, ati fifọ omi ti a ti yọ kuro) ni agbegbe mimọ yara kilasi-100.

  • Ìdìdì àti Àkójọpọ̀: Gbígbẹ wafer pẹ̀lú ìwẹ̀nù nitrogen, tí a fi dí i nínú àwọn àpò ààbò tí ó kún fún nitrogen, tí a sì fi sínú àwọn àpótí òde tí ó ń dènà ìyípadà, tí ó ń mú kí ìgbọ̀nsẹ̀ gbóná.

Àwọn Àlàyé pàtó ti Àwọn Wafer SiC Semi-Insulating

Iṣẹ́ Ọjà Ipele P Ipele D
I. Àwọn Pílámítà Kírísítà I. Àwọn Pílámítà Kírísítà I. Àwọn Pílámítà Kírísítà
Irú Pọ́lítíkì Kírísítà 4H 4H
Àtọ́ka Refractive a >2.6 @589nm >2.6 @589nm
Oṣuwọn gbigba a ≤0.5% @450-650nm ≤1.5% @450-650nm
MP Gbigbe a (Ti ko ni awọ) ≥66.5% ≥66.2%
Haze a ≤0.3% ≤1.5%
Àfikún onírúurú a A ko gba laaye Agbegbe apapọ ≤20%
Ìwọ̀n Pípù kékeré a ≤0.5 /cm² ≤2 /cm²
Òfo onígun mẹ́rin a A ko gba laaye Kò sí
Àfikún onípele a A ko gba laaye Kò sí
Àfikún MP a A ko gba laaye Kò sí
II. Àwọn Ìlànà Ìṣiṣẹ́ II. Àwọn Ìlànà Ìṣiṣẹ́ II. Àwọn Ìlànà Ìṣiṣẹ́
Iwọn opin 150.0 mm +0.0 mm / -0.2 mm 150.0 mm +0.0 mm / -0.2 mm
Ìtọ́sọ́nà ojú ilẹ̀ {0001} ±0.3° {0001} ±0.3°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ Notch Notch
Gígùn Pẹpẹ Keji Ko si ile keji Ko si ile keji
Ìtọ́sọ́nà Okùn <1-100> ±2° <1-100> ±2°
Igun Ipele 90° +5° / -1° 90° +5° / -1°
Ijinle koko 1 mm láti etí +0.25 mm / -0.0 mm 1 mm láti etí +0.25 mm / -0.0 mm
Itọju dada Oju-C, Oju-Si: Iṣẹ́ ìmọ́tótó Kemika-Ẹ̀rọ (CMP) Oju-C, Oju-Si: Iṣẹ́ ìmọ́tótó Kemika-Ẹ̀rọ (CMP)
Eti Wafer Chamfered (Pípàpọ̀) Chamfered (Pípàpọ̀)
Rírora ojú (AFM) (5μm x 5μm) Si-oju, C-oju: Ra ≤ 0.2 nm Si-oju, C-oju: Ra ≤ 0.2 nm
Sisanra a (Tropel) 500.0 μm ± 25.0 μm 500.0 μm ± 25.0 μm
LTV (Tropel) (40mm x 40mm) a ≤ 2 μm ≤ 4 μm
Àpapọ̀ Ìyípadà Ìwúwo (TTV) a (Tropel) ≤ 3 μm ≤ 5 μm
Teriba (Iye to peye) kan (Tropel) ≤ 5 μm ≤ 15 μm
Warp a (Tropel) ≤ 15 μm ≤ 30 μm
III. Àwọn Ìpínrọ̀ Ilẹ̀ III. Àwọn Ìpínrọ̀ Ilẹ̀ III. Àwọn Ìpínrọ̀ Ilẹ̀
Ṣíìpù/Ìkòkò A ko gba laaye ≤ 2 pcs, gígùn àti fífẹ̀ kọ̀ọ̀kan ≤ 1.0 mm
Fọ a (Si-oju, CS8520) Gígùn gbogbo ≤ 1 x Ìwọ̀n Gígùn gbogbo ≤ 3 x Ìwọ̀n
Pátíkúlù a (Si-oju, CS8520) ≤ 500 pcs Kò sí
Fífọ́ A ko gba laaye A ko gba laaye
Àìmọ́tótó a A ko gba laaye A ko gba laaye

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì ti Àwọn Wafer SiC Semi-Insulating

  1. Awọn ẹrọ itanna agbara giga: MOSFETs ti o da lori SiC, awọn diodes Schottky, ati awọn modulu agbara fun awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina (EVs) ni anfani lati awọn agbara resistance kekere ati foliteji giga ti SiC.

  2. RF & Makirowefu: Iṣẹ́ gíga ti SiC àti ìdènà ìtànṣán jẹ́ ohun tó dára fún àwọn amplifiers station 5G, àwọn modulu radar, àti ìbánisọ̀rọ̀ satẹlaiti.

  3. Ẹ̀rọ itanna: Awọn LED-UV, awọn diode-laser blue, ati awọn photodetectors lo awọn substrate SiC ti o dan ni atomu fun idagbasoke epitaxial kan naa.

  4. Ìmọ̀lára Àyíká Tó Lè Gbóná Jùlọ: Iduroṣinṣin SiC ni awọn iwọn otutu giga (>600 °C) jẹ ki o jẹ pipe fun awọn sensọ ni awọn agbegbe ti o nira, pẹlu awọn turbine gaasi ati awọn ohun-elo iparun.

  5. Aerospace & Idaabobo: SiC n pese agbara fun awọn ẹrọ itanna agbara ninu awọn satẹlaiti, awọn eto misaili, ati awọn ẹrọ itanna ọkọ ofurufu.

  6. Ìwádìí Tó Tẹ̀síwájú: Awọn ojutu aṣa fun iṣiro kuantum, awọn ohun elo micro-optics, ati awọn ohun elo iwadii pataki miiran.

Awọn ibeere ti a maa n beere nigbagbogbo

  • Kí ló dé tí SiC oní-ìdènà-ẹ̀gbẹ́ ...
    SiC aládáná-ìdènà-ẹ̀dá-ẹ̀dá ní agbára ìdènà gíga jùlọ, èyí tí ó dín ìṣàn omi jíjì nínú àwọn ẹ̀rọ oní-fóltéèjì gíga àti oní-ìgbà púpọ̀ kù. SiC oní-ìdènà-ẹ̀dá ...

  • Ṣé a lè lo àwọn wáfárì wọ̀nyí fún ìdàgbàsókè epitaxial?
    Bẹ́ẹ̀ni, àwọn wafer wọ̀nyí ti ṣetán fún epi-prepared àti pé wọ́n ti ṣe àtúnṣe fún MOCVD, HVPE, tàbí MBE, pẹ̀lú àwọn ìtọ́jú ojú ilẹ̀ àti ìdarí àbùkù láti rí i dájú pé àwọn epitaxial form dára.

  • Báwo lo ṣe lè rí i dájú pé wafer mọ́ tónítóní?
    Ìlànà ìwẹ̀nùmọ́ Class-100, ìwẹ̀nùmọ́ ultrasonic onípele púpọ̀, àti àpò tí a fi nitrogen ṣe ìdánilójú pé àwọn wáfárì náà kò ní àwọn ohun ìdọ̀tí, àwọn àṣẹ́kù, àti àwọn ìkọ́ kékeré.

  • Kini akoko asiwaju fun awọn aṣẹ?
    Àwọn àpẹẹrẹ sábà máa ń gbé wá láàrín ọjọ́ iṣẹ́ 7-10, nígbàtí àwọn ìbéèrè iṣẹ́ a máa ń fi ránṣẹ́ láàrín ọ̀sẹ̀ 4-6, ó sinmi lórí ìwọ̀n wafer pàtó àti àwọn ẹ̀yà ara àṣà.

  • Ṣe o le pese awọn apẹrẹ aṣa?
    Bẹ́ẹ̀ni, a lè ṣẹ̀dá àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ ní onírúurú ìrísí bíi fèrèsé aláwọ̀ ojú ọ̀run, àwọn ihò V, àwọn lẹ́ńsì onígun mẹ́rin, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.

 
 

Nipa re

XKH jẹ́ amọ̀jọ̀gbọ́n nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga, ìṣẹ̀dá, àti títà àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì optíkì pàtàkì àti àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì tuntun. Àwọn ọjà wa ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna optíkì, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, àti àwọn ológun. A ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ Sapphire optíkì, àwọn ìbòrí lẹ́ǹsì fóònù alágbéká, àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ sémíkà, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, àti àwọn wafers crystal semiconductor. Pẹ̀lú ìmọ̀ tó ní ìmọ̀ àti àwọn ohun èlò tó ti pẹ́, a tayọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò tí kì í ṣe déédé, a ń gbìyànjú láti jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga tó ń lo ohun èlò optoelectronic.

456789
  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

    • Àwọn Ọjà Tó Jọra

    Kọ ifiranṣẹ rẹ si ibi ki o fi ranṣẹ si wa
    Tẹ enter lati wa tabi ESC lati ti