Ilé Igbóná SiC Ingot fún Àwọn Ọ̀nà Ìwọ̀n Ìwọ̀n Ìwọ̀n SíC Crystal TSSG/LPE
Ilana Iṣiṣẹ
Ìlànà pàtàkì ti ìdàgbàsókè ingot silicon carbide onípele omi ni láti tú àwọn ohun èlò aise SiC onípele gíga nínú àwọn irin dídà (fún àpẹẹrẹ, Si, Cr) ní 1800-2100°C láti ṣẹ̀dá àwọn omi tí ó kún, lẹ́yìn náà ni ìdàgbàsókè ìtọ́sọ́nà ti àwọn kirisita SiC onípele kan lórí àwọn kirisita irugbin nípasẹ̀ ìyípadà òtútù àti ìlànà supersaturation. Ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí dára gan-an fún ṣíṣe ìwẹ̀nùmọ́ gíga (>99.9995%) àwọn kirisita 4H/6H-SiC onípele kan pẹ̀lú ìwọ̀n àbùkù kékeré (<100/cm²), ní mímú àwọn ohun tí a béèrè fún substrate líle fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn ẹ̀rọ RF. Ètò ìdàgbàsókè omi-ìpele náà ń jẹ́ kí ìṣàkóso pípéye ti irú ìdàpọ̀ kristali (Irú N/P) àti ìdènà nípasẹ̀ àkójọpọ̀ ojutu àti àwọn pàrámítà ìdàgbàsókè tí a ṣe àtúnṣe.
Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì
1. Ètò Pàtàkì Crucible: Gíga-gíráfì/tantalum composite crucible, resistance otutu >2200°C, resistance si SiC yo corrosion.
2. Ètò Ìgbóná Onípele-pupọ: Apapo resistance/induction alapapo pẹlu deede iṣakoso iwọn otutu ti ±0.5°C (ibiti 1800-2100°C).
3. Ètò Ìṣípo Kékeré: Ìṣàkóso ìdènà méjì fún yíyípo irúgbìn (0-50rpm) àti gbígbé (0.1-10mm/h).
4. Ètò Ìṣàkóso Afẹ́fẹ́: Ààbò argon/nitrogen tó ga, tí a lè ṣàtúnṣe ìfúnpá iṣẹ́ (0.1-1atm).
5. Ètò Ìṣàkóso Ọlọ́gbọ́n: Ìṣàkóso PLC+ilé-iṣẹ́ PC aláṣejù pẹ̀lú ìṣàyẹ̀wò ìdàgbàsókè ní àkókò gidi.
6. Ètò Ìtutù Tó Dára Jùlọ: Apẹrẹ ìtutù omi tó ní ìpele ṣe ìdánilójú pé iṣẹ́ rẹ̀ yóò dúró ṣinṣin fún ìgbà pípẹ́.
Ifiwera TSSG ati LPE
| Àwọn Ìwà | Ọ̀nà TSSG | Ọ̀nà LPE |
| Iwọn otutu idagbasoke | 2000-2100°C | 1500-1800°C |
| Oṣuwọn Idagbasoke | 0.2-1mm/h | 5-50μm/h |
| Ìwọ̀n Kírísítà | Àwọn ingots 4-8 inches | Àwọn ìfẹ̀rẹ̀ epi 50-500μm |
| Ohun elo Pataki | Ìmúrasílẹ̀ ilẹ̀ | Àwọn ìpele-ìpele ẹ̀rọ agbára |
| Ìwọ̀n Àbùkù | <500/cm² | <100/cm² |
| Àwọn Polytypes Tó Yẹ | 4H/6H-SiC | 4H/3C-SiC |
Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì
1. Ẹ̀rọ itanna agbara: àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ 4H-SiC oní-6-inch fún àwọn MOSFET/diodes 1200V+.
2. Àwọn Ẹ̀rọ RF 5G: Àwọn ohun èlò SiC tí ó ní ìdábòbò fún àwọn PA ibùdó ìpìlẹ̀.
3. Àwọn Ohun Èlò EV: Àwọn ìpele epi tó nípọn gan-an (>200μm) fún àwọn modulu ìpele ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́.
4. Àwọn Inverters PV: Àwọn substrates tí ó ní àbùkù díẹ̀ tí ó ń mú kí ìyípadà ṣiṣẹ́ ju 99% lọ.
Àwọn Àǹfààní Àkọ́kọ́
1. Ipò gíga ti ìmọ̀-ẹ̀rọ
1.1 Apẹrẹ Ọna-pupọ ti a ṣepọ
Ètò ìdàgbàsókè ingot SiC oní-omi yìí ń so àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdàgbàsókè crystal TSSG àti LPE pọ̀ mọ́ra ní ọ̀nà tuntun. Ètò TSSG ń lo ìdàgbàsókè omi tí a gbìn sí orí òkè pẹ̀lú ìṣàkóṣo yíyọ yo àti ìdarí ìyípadà òtútù (ΔT≤5℃/cm), èyí tí ó ń mú kí ìdàgbàsókè dúró ṣinṣin ti àwọn ingot SiC oní-ìwọ̀n 4-8 inches pẹ̀lú àwọn èso ìṣiṣẹ́ kan ṣoṣo ti 15-20kg fún àwọn kirisita 6H/4H-SiC. Ètò LPE ń lo àkójọpọ̀ solvent tí a ṣe àtúnṣe (Si-Cr alloy system) àti ìdarí supersaturation (±1%) láti gbin àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial tí ó nípọn gíga pẹ̀lú ìwọ̀n àbùkù <100/cm² ní àwọn iwọn otutu tí ó kéré (1500-1800℃).
1.2 Ètò Ìṣàkóso Ọlọ́gbọ́n
Ni ipese pẹlu iṣakoso idagbasoke ọlọgbọn iran kẹrin pẹlu:
• Ìṣàyẹ̀wò onípele-pupọ nínú ilé (ibiti ìgbì 400-2500nm)
• Ìwádìí ìpele melt tí a fi lésà ṣe (±0.01mm ìṣedéédé)
• Iṣakoso pipade-loop ti o da lori iwọn ila opin CCD (<±1mm iyipada)
• Ṣíṣe àtúnṣe sí àwọn èròjà ìdàgbàsókè tí a fi agbára AI ṣe (15% ìfipamọ́ agbára)
2. Àwọn Àǹfààní Iṣẹ́ Ìlànà
2.1 Ọ̀nà TSSG Àwọn Agbára Àkóso
• Agbara titobi nla: Ṣe atilẹyin fun idagbasoke kristali to to 8-inch pẹlu iṣọkan iwọn ila opin >99.5%.
• Ìwọ̀n kirisita tó ga jùlọ: Ìwọ̀n ìyípò <500/cm², ìwọ̀n pípẹ́ kékeré <5/cm²
• Ìbáramu ìtọ́jú oògùn: <8% ìyàtọ̀ ìyípadà ìyípadà irú n (àwọn wafers 4-inch)
• Ìwọ̀n ìdàgbàsókè tó dára jùlọ: A lè ṣàtúnṣe 0.3-1.2mm/h, 3-5× yára ju àwọn ọ̀nà ìpele afẹ́fẹ́ lọ
2.2 Ọ̀nà LPE Àwọn Agbára Àkóso
• Epitaxy abawọn kekere pupọ: Iwọn ipo wiwo <1×10¹¹cm⁻²·eV⁻¹
• Ìṣàkóso sísanra tó péye: 50-500μm epi-layer pẹ̀lú ìyàtọ̀ sísanra <±2%
• Lilo iwọn otutu kekere: 300-500℃ kere ju awọn ilana CVD lọ
• Ìdàgbàsókè ìṣètò tó díjú: Ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn ìsopọ̀ pn, àwọn superlattices, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
3. Àwọn Àǹfààní Ìmúṣiṣẹ́ Tó Dára Jùlọ
3.1 Iṣakoso Iye owo
• Lilo awọn ohun elo aise 85% (ni akawe si 60% ibile)
• Lilo agbara ti o dinku si 40% (ni akawe pẹlu HVPE)
• Àkókò iṣẹ́ ohun èlò 90% (àwòrán onípele máa ń dín àkókò ìsinmi kù)
3.2 Ìdánilójú Dídára
• Iṣakoso ilana 6σ (CPK>1.67)
• Ṣíṣàwárí àbùkù lórí ayélujára (ìpinnu 0.1μm)
• Àṣà ìtọ́pasẹ̀ ìwádìí gbogbo-ẹ̀ka (àwọn ìpínrọ̀ àkókò gidi 2000+)
3.3 Ìwọ̀n tó wúlò
• Ó bá àwọn polytypes 4H/6H/3C mu
• A le ṣe igbesoke si awọn modulu ilana 12-inch
• Ṣe atilẹyin fun isọdọkan hetero-SiC/GaN
4. Àwọn Àǹfààní Lílo Ilé-iṣẹ́
4.1 Awọn Ẹrọ Agbara
• Àwọn ohun èlò ìdènà tí kò ní agbára púpọ̀ (0.015-0.025Ω·cm) fún àwọn ẹ̀rọ 1200-3300V
• Àwọn ohun èlò ìdènà ìdábùú (>10⁸Ω·cm) fún àwọn ohun èlò RF
4.2 Àwọn Ìmọ̀-ẹ̀rọ Tó Ń Gbéjáde
• Ìbánisọ̀rọ̀ oníṣirò: Àwọn ohun èlò ìró tí ó kéré gan-an (ariwo 1/f <-120dB)
• Àwọn àyíká tó le koko jù: Àwọn kirisita tó dúró ṣinṣin sí ìtànṣán (<5% ìbàjẹ́ lẹ́yìn ìtànṣán 1×10¹⁶n/cm²)
Awọn iṣẹ XKH
1. Àwọn Ohun Èlò Tí A Ṣe Àtúnṣe: Àwọn ìṣètò ètò TSSG/LPE tí a ṣe àtúnṣe.
2. Ìdánilẹ́kọ̀ọ́ Ìlànà: Àwọn ètò ìdánilẹ́kọ̀ọ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ tó péye.
3. Atilẹyin lẹhin-tita: Idahun imọ-ẹrọ 24/7 ati itọju.
4. Awọn Ojutu Turnkey: Iṣẹ kikun-spectrum lati fifi sori ẹrọ si ifọwọsi ilana.
5. Ipese Ohun elo: Awọn ohun elo SiC 2-12 inch/epi-wafers wa.
Awọn anfani pataki ni:
• Agbara idagbasoke kristali to iwọn inṣi mẹjọ.
• Iṣọkan resistance <0.5%.
• Akoko iṣẹ ohun elo >95%.
• Atilẹyin imọ-ẹrọ 24/7.
