Ìdènà ìgbóná sílíkọ́nì carbide gígùn tí ó ń dàgbàsókè sílíkọ́nì 6/8/12inch inch SiC ingot crystal PVT

Ìdàgbàsókè iná gígún tí ó dúró fún sílíkọ́nì káàbídì 6/8/12inch inci SiC ingot crystal PVT Àwòrán tí a fi hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ilé ìgbóná ìgbóná ìgbóná ti silikoni (ọ̀nà PVT, ọ̀nà ìgbésẹ̀ physical vapor) jẹ́ ohun èlò pàtàkì fún ìdàgbàsókè kristali silikoni carbide (SiC) kan ṣoṣo nípa lílo ìlànà sublimation-recrystallization otutu gíga. Ìmọ̀-ẹ̀rọ náà ń lo ìgbóná ìgbóná ìgbóná (ara gbígbóná graphite) láti mú kí ohun èlò SiC náà wà ní ìwọ̀n otútù gíga ti 2000 ~ 2500℃, kí ó sì tún ṣe àtúnṣe ní agbègbè ìwọ̀n otútù kékeré (síkristà irugbin) láti ṣẹ̀dá kristali silkistali SiC kan tí ó ga (4H/6H-SiC). Ọ̀nà PVT ni ìlànà pàtàkì fún ìṣẹ̀dá àwọn substrates SiC tí ó ní 6 inches àti ìsàlẹ̀, èyí tí a ń lò ní gbígbòòrò nínú ìpèsè substrate ti àwọn semiconductors power (bíi MOSFETs, SBD) àti àwọn ẹ̀rọ igbohunsafẹfẹ redio (GaN-on-SiC).

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ilana Iṣiṣẹ:

1. Ìkójọpọ̀ ohun èlò aise: lulú SiC mímọ́ ga (tàbí bulọọki) tí a gbé sí ìsàlẹ̀ graphite crucible (agbègbè iwọn otutu gíga).

2. Àyíká ìfọ́mọ́/àyíká ìfọ́mọ́: fa omi ìyẹ̀fun ààrò (<10⁻³ mbar) tàbí kí o fi gáàsì ìfọ́mọ́ (Ar) pamọ́.

3. Iṣẹ́ ìgbóná ooru gíga: gbígbóná resistance sí 2000 ~ 2500℃, ìbàjẹ́ SiC sínú Si, Si₂C, SiC₂ àti àwọn èròjà ìpele gaasi mìíràn.

4. Gbigbe ipele gaasi: iwọn otutu ti o ni ipa lori itankale ohun elo ipele gaasi si agbegbe iwọn otutu kekere (opin irugbin).

5. Ìdàgbàsókè Kírísítàlì: Ìpele gáàsì náà tún padà sí ojú Kírísítàlì Irúgbìn náà, ó sì ń dàgbà sí ìtọ́sọ́nà ní ìhà C-axis tàbí A-axis.

Awọn ipilẹ pataki:

1. Ìwọ̀n otútù: 20~50℃/cm (ìwọ̀n ìdàgbàsókè ìṣàkóso àti ìwọ̀n àbùkù).

2. Ìfúnpá: 1~100mbar (ìfúnpá kékeré láti dín ìfọwọ́sowọ́pọ̀ àìmọ́ kù).

3. Oṣuwọn idagbasoke: 0.1~1mm/h (o ni ipa lori didara kristali ati ṣiṣe iṣelọpọ).

Awọn ẹya pataki:

(1) Dídára kirisita
Ìwọ̀n àbùkù kékeré: ìwọ̀n microtubule <1 cm⁻², ìwọ̀n ìyípadà 10³~10⁴ cm⁻² (nípasẹ̀ ìṣelọ́pọ́ irugbin àti ìṣàkóso ilana).

Ìṣàkóso irú Polycrystalline: le dagba 4H-SiC (ojú-ìwòye), 6H-SiC, 4H-SiC ipin >90% (nilo lati ṣakoso iwọn otutu ati ipin stoichiometric ipele gaasi ni deede).

(2) Iṣẹ́ ẹ̀rọ
Iduroṣinṣin iwọn otutu giga: graphite n gbona iwọn otutu ara > 2500℃, ara ileru gba apẹrẹ idabobo pupọ-fẹlẹfẹlẹ (bii graphite ro + jaketi ti o tutu omi).

Ìṣàkóso ìṣọ̀kan: Ìyípadà otutu axial/radial ti ±5 ° C ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin ní ìwọ̀n ìlà oòrùn kristal (ìyàtọ̀ sí ìwọ̀n ìṣàn omi 6-inch <5%).

Ipele adaṣiṣẹ adaṣe: Eto iṣakoso PLC ti a ṣepọ, ibojuwo akoko gidi ti iwọn otutu, titẹ ati oṣuwọn idagbasoke.

(3) Àwọn àǹfààní ìmọ̀-ẹ̀rọ
Lilo ohun elo giga: oṣuwọn iyipada ohun elo aise > 70% (dara ju ọna CVD lọ).

Ibamu iwọn nla: A ti ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-pupọ 6-inch, 8-inch wa ni ipele idagbasoke.

(4) Lilo agbara ati iye owo
Agbara agbara ti ileru kan jẹ 300 ~ 800kW·h, ti o jẹ 40% ~ 60% ti iye owo iṣelọpọ ti substrate SiC.

Idókòwò ohun èlò náà ga (1.5M 3M fún ẹyọ kan), ṣùgbọ́n iye owó ohun èlò náà kéré ju ọ̀nà CVD lọ.

Awọn ohun elo pataki:

1. Ẹ̀rọ itanna agbara: SiC MOSFET substrate fun inverter ọkọ ayọkẹlẹ ina ati inverter photovoltaic.

2. Àwọn ẹ̀rọ Rf: Ibùdó ìpìlẹ̀ 5G GaN-on-SiC epitaxial substrate (ní pàtàkì 4H-SiC).

3. Àwọn ẹ̀rọ àyíká tó le koko: àwọn sensọ̀ ìgbóná gíga àti ìfúnpá gíga fún àwọn ẹ̀rọ afẹ́fẹ́ àti agbára átọ́míìkì.

Awọn eto imọ-ẹrọ:

Ìlànà ìpele	Àwọn àlàyé
Àwọn ìwọ̀n (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm tàbí ṣe àtúnṣe rẹ̀
Iwọn opin Crucible	900 mm
Ipari Igbale Gbẹhin	6 × 10⁻⁴ Pa (lẹ́yìn wákàtí 1.5 ti ìgbà ìfọṣọ)
Oṣuwọn jijo	≤5 Pa/wakati 12 (ṣe ounjẹ aarọ)
Iwọn opin ọpa iyipo	50 mm
Iyara Yiyipo	0.5–5 rpm
Ọ̀nà Ìgbóná	Alapapo resistance ina
Iwọn otutu ileru to pọ julọ	2500°C
Agbara Igbona	40 kW × 2 × 20 kW
Iwọn Iwọn otutu	Pyrometer infrared awọ meji
Iwọn otutu ibiti o wa	900–3000°C
Ìpéye Oòrùn	±1°C
Ibiti titẹ si	1–700 mbar
Ìṣètò Ìdarí Ìfúnpá	1–10 mbar: ±0.5% FS; 10–100 mbar: ±0.5% FS; 100–700 mbar: ±0.5% FS
Iru Iṣẹ́	Ikojọpọ isalẹ, awọn aṣayan aabo afọwọṣe/adaṣe laifọwọyi
Àwọn Àṣàyàn Àwọn Ẹ̀yà Àṣàyàn	Iwọn iwọn otutu meji, awọn agbegbe igbona pupọ

Awọn iṣẹ XKH:

XKH n pese gbogbo iṣẹ ilana ti ileru SiC PVT, pẹlu isọdi ẹrọ (apẹrẹ aaye ooru, iṣakoso adaṣiṣẹ), idagbasoke ilana (iṣakoso apẹrẹ kristali, iṣapeye abawọn), ikẹkọ imọ-ẹrọ (iṣiṣẹ ati itọju) ati atilẹyin lẹhin tita (yiyipada awọn ẹya graphite, iwọntunwọnsi aaye ooru) lati ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-kirista sic ti o ga julọ. A tun pese awọn iṣẹ igbesoke ilana lati mu iṣelọpọ kiristali ati ṣiṣe idagbasoke pọ si nigbagbogbo, pẹlu akoko itọsọna deede ti oṣu 3-6.