12 inch SiC Sobusitireti N Iru Iwon Ti o tobi to gaju Awọn ohun elo RF

Apejuwe kukuru:

Sobusitireti SiC-inch 12 jẹ aṣoju ilọsiwaju ti ilẹ ni imọ-ẹrọ awọn ohun elo semikondokito, nfunni awọn anfani iyipada fun ẹrọ itanna agbara ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga. Gẹgẹbi ọna kika wafer ohun alumọni carbide ti o tobi julọ ni iṣowo ti ile-iṣẹ naa, sobusitireti SiC-inch 12 n jẹ ki awọn ọrọ-aje ti iwọn-iwọn ti a ko tii ri tẹlẹ lakoko mimu awọn anfani atorunwa ohun elo ti awọn abuda bandgap jakejado ati awọn ohun-ini gbona alailẹgbẹ. Ti a ṣe afiwe si 6-inch aṣa tabi awọn wafers SiC ti o kere ju, pẹpẹ 12-inch n ṣe jiṣẹ ju 300% agbegbe lilo diẹ sii fun wafer, jijẹ ikore ku ni iyalẹnu ati idinku awọn idiyele iṣelọpọ fun awọn ẹrọ agbara. Iwọn iyipada iwọn yii ṣe afihan itankalẹ itan ti awọn wafers silikoni, nibiti ilosoke iwọn ila opin kọọkan mu awọn idinku idiyele pataki ati awọn ilọsiwaju iṣẹ. 12-inch SiC sobusitireti ti iṣelọpọ igbona giga ti o ga julọ (o fẹrẹ to 3 × ti ohun alumọni) ati agbara aaye didenukole giga jẹ ki o niyelori pataki fun awọn ọna ṣiṣe ọkọ ina 800V ti nbọ, nibiti o ti jẹ ki iwapọ diẹ sii ati awọn modulu agbara daradara. Ni awọn amayederun 5G, iyara itẹlọrun elekitironi giga ti ohun elo ngbanilaaye awọn ẹrọ RF lati ṣiṣẹ ni awọn igbohunsafẹfẹ giga pẹlu awọn adanu kekere. Ibamu sobusitireti pẹlu ohun elo iṣelọpọ ohun alumọni tun jẹ ki isọdọmọ dirọ nipasẹ awọn aṣọ ti o wa tẹlẹ, botilẹjẹpe mimu amọja ni a nilo nitori lile lile SiC (9.5 Mohs). Bi awọn iwọn iṣelọpọ ti n pọ si, sobusitireti SiC 12-inch ni a nireti lati di boṣewa ile-iṣẹ fun awọn ohun elo agbara-giga, imotuntun awakọ kọja ọkọ ayọkẹlẹ, agbara isọdọtun, ati awọn eto iyipada agbara ile-iṣẹ.


Alaye ọja

ọja Tags

Imọ paramita

12 inch Silicon Carbide (SiC) sobusitireti pato
Ipele ZeroMPD iṣelọpọ
Ite(Ipele Z)
Standard Production
Ite(P Ite)
Idiwon ite
(Ite D)
Iwọn opin 3 00 mm ~ 1305mm
Sisanra 4H-N 750μm± 15 μm 750μm± 25 μm
  4H-SI 750μm± 15 μm 750μm± 25 μm
Wafer Iṣalaye Pa axis: 4.0° si <1120>±0.5° fun 4H-N, Lori ipo: <0001>±0.5° fun 4H-SI
Iwuwo Micropipe 4H-N ≤0.4cm-2 ≤4cm-2 ≤25cm-2
  4H-SI ≤5cm-2 ≤10cm-2 ≤25cm-2
Resistivity 4H-N 0.015 ~ 0.024 Ω · cm 0.015 ~ 0.028 Ω · cm
  4H-SI ≥1E10 Ω·cm ≥1E5 Ω·cm
Primary Flat Iṣalaye {10-10} ±5.0°
Primary Flat Gigun 4H-N N/A
  4H-SI Ogbontarigi
Iyasoto eti 3 mm
LTV/TTV/ Teriba / Warp ≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Irora Polish Ra≤1 nm
  CMP Ra≤0.2 nm Ra≤0.5 nm
Eti dojuijako Nipa Ga kikankikan Light
Hex farahan Nipa High kikankikan Light
Awọn agbegbe Polytype Nipa Imọlẹ Kikan Giga
Visual Erogba Ifisi
Silicon Surface Scratches Nipa Giga kikankikan Light
Ko si
Agbegbe akojọpọ ≤0.05%
Ko si
Agbegbe akojọpọ ≤0.05%
Ko si
Akopọ ipari ≤ 20 mm, ipari kan≤2 mm
Agbegbe akojọpọ ≤0.1%
Agbegbe akojọpọ≤3%
Agbegbe akojọpọ ≤3%
Àkópọ̀ gígùn≤1×ìwọ̀n òpin wafer
Awọn eerun eti Nipa Imọlẹ Imọlẹ giga Ko si idasilẹ ≥0.2mm fifẹ ati ijinle 7 laaye, ≤1 mm kọọkan
(TSD) Threading dabaru dislocation ≤500 cm-2 N/A
(BPD) Ipilẹ ofurufu dislocation ≤1000 cm-2 N/A
Ohun alumọni dada kontaminesonu Nipa High kikankikan Light Ko si
Iṣakojọpọ Kasẹti-wafer pupọ Tabi Apoti Wafer Nikan
Awọn akọsilẹ:
1 Awọn opin awọn abawọn lo si gbogbo oju wafer ayafi fun agbegbe iyasoto eti.
2Awọn idọti yẹ ki o ṣayẹwo lori oju Si nikan.
3 Awọn data dislocation jẹ nikan lati KOH etched wafers.

Key Awọn ẹya ara ẹrọ

1. Anfani Iwọn nla: Sobusitireti SiC 12-inch (12-inch silicon carbide substrate) nfunni ni agbegbe wafer kan ti o tobi ju, ti n mu awọn eerun diẹ sii lati ṣe iṣelọpọ fun wafer, nitorinaa idinku awọn idiyele iṣelọpọ ati jijẹ ikore.
2. Ohun elo Iṣẹ-giga: Silicon carbide's resistance otutu ti o ga julọ ati agbara ipadanu aaye ti o ga julọ jẹ ki 12-inch sobusitireti jẹ apẹrẹ fun awọn ohun elo giga-voltage ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga, gẹgẹbi awọn oluyipada EV ati awọn ọna ṣiṣe gbigba agbara.
3. Ibamu Iṣeduro: Pelu lile lile ati awọn italaya processing ti SiC, 12-inch SiC sobusitireti ṣe aṣeyọri awọn abawọn dada kekere nipasẹ gige iṣapeye ati awọn imuposi didan, imudarasi ikore ẹrọ.
4. Superior Thermal Management: Pẹlu dara gbona iba ina elekitiriki ju silikoni-orisun ohun elo, awọn 12-inch sobusitireti fe ni koju ooru wọbia ni ga-agbara awọn ẹrọ, extending awọn ẹrọ igbesi aye.

Awọn ohun elo akọkọ

1. Awọn ọkọ ina: Awọn 12-inch SiC sobusitireti (12-inch silicon carbide sobsitireti) jẹ ẹya pataki ti awọn eto awakọ ina mọnamọna ti o tẹle, ti n mu awọn oluyipada ti o ga julọ ti o mu iwọn pọ si ati dinku akoko gbigba agbara.

2. Awọn Ibusọ Ipilẹ 5G: Awọn sobusitireti SiC titobi nla ṣe atilẹyin awọn ẹrọ RF igbohunsafẹfẹ giga-giga, pade awọn ibeere ti awọn ibudo ipilẹ 5G fun agbara giga ati pipadanu kekere.

3.Industrial Power Supplies: Ni awọn inverters oorun ati awọn grids smart, awọn 12-inch sobsitireti le withstand ti o ga voltages nigba ti dindinku agbara pipadanu.

4.Consumer Electronics: Awọn ṣaja ti o yara ni ojo iwaju ati awọn ipese agbara ile-iṣẹ data le gba 12-inch SiC substrates lati ṣe aṣeyọri iwọn iwapọ ati ṣiṣe ti o ga julọ.

Awọn iṣẹ XKH

A ṣe amọja ni awọn iṣẹ iṣelọpọ ti adani fun awọn sobusitireti SiC inch 12 (awọn sobusitireti ohun alumọni silikoni inch 12), pẹlu:
1. Dicing & Polishing: Ibajẹ-kekere, iṣipopada sobusitireti ti o ga julọ ti a ṣe deede si awọn ibeere alabara, ni idaniloju iṣẹ ẹrọ iduroṣinṣin.
2. Atilẹyin Idagbasoke Epitaxial: Awọn iṣẹ wafer epitaxial ti o ga julọ lati mu iyara iṣelọpọ ërún.
3. Kekere-Batch Prototyping: Atilẹyin R&D afọwọsi fun awọn ile-iṣẹ iwadi ati awọn ile-iṣẹ, kikuru awọn akoko idagbasoke.
4. Imọ-ẹrọ Imọ-ẹrọ: Awọn ipinnu ipari-si-opin lati yiyan ohun elo lati ṣe iṣapeye, ṣe iranlọwọ fun awọn alabara bori awọn italaya sisẹ SiC.
Boya fun iṣelọpọ pupọ tabi isọdi amọja, awọn iṣẹ sobusitireti 12-inch SiC wa ni ibamu pẹlu awọn iwulo iṣẹ akanṣe rẹ, fifun awọn ilọsiwaju imọ-ẹrọ.

12inch SiC sobusitireti 4
12inch SiC sobusitireti 5
12inch SiC sobusitireti 6

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Kọ ifiranṣẹ rẹ nibi ki o si fi si wa