Ìwọ̀n 2 inches 50.8mm Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane Sisanra 350um 430um 500um
Ṣíṣe àgbékalẹ̀ àwọn ìtọ́sọ́nà tó yàtọ̀ síra
| Ìtọ́sọ́nà | C(0001)-Axis | Ààyè R(1-102) | M(10-10) -Àpótí | A(11-20)-Axis | ||
| Ohun ìní ti ara | Ìmọ́lẹ̀ C ní ìmọ́lẹ̀ kirisita, àwọn àáké yòókù sì ní ìmọ́lẹ̀ òdì. Ìmọ́lẹ̀ C jẹ́ pẹrẹsẹ, ó dára jù kí a gé e. | R-plane le ju A lọ. | M plane jẹ́ àtẹ̀gùn, kò rọrùn láti gé, ó rọrùn láti gé. | Líle A-plane ga ju ti C-plane lọ, èyí tí a fi hàn nínú àìlèṣe ìfarapa, àìlèṣe ìfọ́ àti líle gíga; Side A-plane jẹ́ sigzag plane, èyí tí ó rọrùn láti gé; | ||
| Àwọn ohun èlò ìlò | Àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ sapphire tí a ń lò láti gbin àwọn fíìmù III-V àti II-VI tí a fi pamọ́, bíi gallium nitride, tí ó lè ṣe àwọn ọjà LED aláwọ̀ búlúù, àwọn diode laser, àti àwọn ohun èlò ìwádìí infrared. | Ìdàgbàsókè substrate-oriented R ti awọn oriṣiriṣi ohun elo silikoni ti a fi pamọ, ti a lo ninu awọn iyika ti a ṣe akojọpọ microelectronics. | A maa n lo o lati gbin awọn fiimu epitaxial GaN ti kii ṣe pola/semi-pola lati mu iṣẹ ṣiṣe imọlẹ dara si. | A-directed to substrate ma n pese permittivity/medium kan naa, a si n lo iwọn idabobo giga ninu imo-ero microelectronics hybrid. A le se awon superconductors otutu giga lati inu awon kirisita gigun A-base. | ||
| Agbara iṣiṣẹ | Àwòrán Sàpírẹ́sì Sàpírẹ́sì (PSS): Ní ìrísí Gbídàgbà tàbí Ìfọ́, a ṣe àwọn àpẹẹrẹ ìrísí kékeré pàtó kan tí a ṣe lórí ìrísí sapírẹ́sì láti ṣàkóso ìrísí ìmọ́lẹ̀ LED, àti láti dín àwọn àbùkù ìyàtọ̀ láàárín GaN tí ó ń dàgbà lórí ìrísí sapírẹ́sì kù, láti mú dídára epitaxy sunwọ̀n sí i, àti láti mú kí ìṣiṣẹ́ quantum inú LED sunwọ̀n sí i àti láti mú kí ìṣiṣẹ́ ìmọ́lẹ̀ sunwọ̀n sí i. Ni afikun, a le ṣe adani sapphire prism, digi, lẹnsi, ihò, konu ati awọn ẹya eto miiran gẹgẹbi awọn ibeere alabara. | |||||
| Ìkéde dúkìá | Ìwọ̀n | Líle | ojú ìyọ́ | Atọka Refractive (tí a lè rí àti infurarẹẹdi) | Gbigbe (DSP) | Díẹ̀díẹ̀kì dúró déédéé |
| 3.98g/cm3 | 9 (osù) | 2053℃ | 1.762~1.770 | ≥85% | 11.58@300K ní C axis(9.4 ní A axis) | |
Àwòrán Àlàyé
