2 inch SiC Wafers 6H tabi 4H Semi-Insulating SiC Substrates Dia50.8mm
Ohun elo ti ohun alumọni carbide sobusitireti
Ohun alumọni carbide sobusitireti le ti wa ni pin si conductive iru ati ologbele-insulating iru gẹgẹ resistivity. Awọn ẹrọ carbide ohun alumọni ni a lo ni akọkọ ninu awọn ọkọ ina, iran agbara fọtovoltaic, irekọja ọkọ oju-irin, awọn ile-iṣẹ data, gbigba agbara ati awọn amayederun miiran. Ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ eletiriki ni ibeere nla fun awọn sobusitireti ohun alumọni ohun alumọni, ati ni lọwọlọwọ, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng ati awọn ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ agbara tuntun miiran ti gbero lati lo awọn ẹrọ ọtọtọ siliki carbide tabi awọn modulu.
Awọn ẹrọ ohun alumọni ohun alumọni ti o ni idabobo ni a lo ni akọkọ ni awọn ibaraẹnisọrọ 5G, awọn ibaraẹnisọrọ ọkọ, awọn ohun elo aabo orilẹ-ede, gbigbe data, afẹfẹ ati awọn aaye miiran. Nipa dagba gallium nitride epitaxial Layer lori sobusitireti silikoni carbide ologbele-idaabobo, gallium nitride epitaxial wafer ti o da lori silikoni le ṣee ṣe siwaju si awọn ẹrọ RF makirowefu, eyiti a lo ni akọkọ ni aaye RF, gẹgẹbi awọn amplifiers agbara ni ibaraẹnisọrọ 5G ati awọn aṣawari redio ni aabo orilẹ-ede.
Ṣiṣejade ti awọn ọja sobusitireti ohun alumọni pẹlu idagbasoke ohun elo, iṣelọpọ ohun elo aise, idagbasoke gara, gige gara, sisẹ wafer, mimọ ati idanwo, ati ọpọlọpọ awọn ọna asopọ miiran. Ni awọn ofin ti awọn ohun elo aise, ile-iṣẹ Songshan Boron pese awọn ohun elo aise ohun alumọni carbide fun ọja naa, ati pe o ti ṣaṣeyọri awọn tita ipele kekere. Awọn ohun elo semikondokito iran kẹta ti o jẹ aṣoju nipasẹ ohun alumọni carbide ṣe ipa bọtini ni ile-iṣẹ igbalode, pẹlu isare ti ilaluja ti awọn ọkọ agbara titun ati awọn ohun elo fọtovoltaic, ibeere fun sobusitireti carbide ohun alumọni ti fẹrẹ de aaye inflection.