Àwọn Wafer SiC 2 inch 6H tàbí 4H Àwọn Sẹ́ẹ̀tì SiC 6H tàbí 4H Dia50.8mm
Lilo ti ohun alumọni carbide substrate
A le pin ohun elo silikoni carbide si iru conductive ati iru semi-insulating gẹgẹ bi resistance. Awọn ẹrọ silikoni carbide conductive ni a lo julọ ninu awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, ina photovoltaic, irinna ọkọ oju irin, awọn ile-iṣẹ data, gbigba agbara ati awọn amayederun miiran. Ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ ina ni ibeere nla fun awọn ohun elo silikoni carbide conductive, ati ni bayi, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng ati awọn ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ agbara tuntun miiran ti gbero lati lo awọn ẹrọ tabi awọn modulu silikoni carbide dispensive.
Àwọn ẹ̀rọ carbide silicon semi-insulated ni a sábà máa ń lò nínú ìbánisọ̀rọ̀ 5G, ìbánisọ̀rọ̀ ọkọ̀, àwọn ohun èlò ààbò orílẹ̀-èdè, ìgbéjáde dátà, afẹ́fẹ́ àti àwọn pápá mìíràn. Nípa gbígbìn gallium nitride epitaxial Layer lórí substrate silicon carbide semi-insulated, a lè tún ṣe gallium nitride epitaxial wafer tí ó wà ní silicon sínú àwọn ẹ̀rọ RF microwave, èyí tí a sábà máa ń lò ní pápá RF, bíi àwọn amplifiers power nínú ìbánisọ̀rọ̀ 5G àti àwọn detector radio nínú ààbò orílẹ̀-èdè.
Ṣíṣe àwọn ọjà ohun èlò silicon carbide ní í ṣe pẹ̀lú ìdàgbàsókè ohun èlò, ìṣẹ̀dá ohun èlò aise, ìdàgbàsókè kristali, gígé kristali, ṣíṣe wafer, ìwẹ̀nùmọ́ àti ìdánwò, àti ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ìjápọ̀ míràn. Ní ti àwọn ohun èlò aise, ilé iṣẹ́ Songshan Boron ń pèsè àwọn ohun èlò aise silicon carbide fún ọjà, ó sì ti ṣe àṣeyọrí títà àwọn ohun èlò kékeré. Àwọn ohun èlò semiconductor ìran kẹta tí silicon carbide dúró fún kó ipa pàtàkì nínú iṣẹ́ òde òní, pẹ̀lú ìyára wíwọlé àwọn ọkọ̀ agbára tuntun àti àwọn ohun èlò photovoltaic, ìbéèrè fún ohun èlò silicon carbide fẹ́rẹ̀ mú ojú ìfàsẹ́yìn wá.
Àwòrán Àlàyé
