Ìṣẹ̀dá ìpìlẹ̀ SiC 3inch Dia76.2mm 4H-N

Àwọn ohun pàtàkì tí ó wà nínú àwọn wafers onígun mẹ́ta tí a fi silicon carbide mosfet ṣe ni àwọn wọ̀nyí;

Silicon Carbide (SiC) jẹ́ ohun èlò semiconductor oní-bandgap, tí a fi agbára ooru gíga, ìṣíkiri elekitironi gíga, àti agbára pápá iná mànàmáná tí ó bàjẹ́ gíga hàn. Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí mú kí àwọn wafer SiC jẹ́ èyí tí ó tayọ nínú àwọn ohun èlò agbára gíga, ìgbóná gíga, àti ìgbóná gíga. Pàápàá jùlọ nínú polytype 4H-SiC, ìṣètò kirisita rẹ̀ ń pese iṣẹ́ itanna tí ó dára jùlọ, èyí tí ó mú kí ó jẹ́ ohun èlò tí a yàn fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára.

Wafer Silicon Carbide 4H-N 3-inch jẹ́ wafer oní nitrogen tí a fi irin N ṣe pẹ̀lú conductivity. Ọ̀nà doping yìí fún wafer ní ìṣọ̀kan elekitironi tí ó ga jùlọ, èyí tí ó mú kí iṣẹ́ conductivity ẹ̀rọ náà sunwọ̀n síi. Ìwọ̀n wafer náà, ní 3 inches (ìwọ̀n ìlàjìn 76.2 mm), jẹ́ ìwọ̀n tí a sábà máa ń lò nínú iṣẹ́ semiconductor, tí ó dára fún onírúurú iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́.

A ṣe ìpèsè wafer Silicon Carbide 4H-N oníwọ̀n 3-inch nípa lílo ọ̀nà Physical Vapor Transport (PVT). Ìlànà yìí ní nínú yíyí lulú SiC padà sí kirisita kan ní ìwọ̀n otútù gíga, láti rí i dájú pé kristali náà dára tó àti pé ó bára mu. Ní àfikún, sisanra wafer náà sábà máa ń jẹ́ nǹkan bí 0.35 mm, a sì máa ń fi ìpara ẹ̀gbẹ́ méjì pò ojú rẹ̀ láti lè ní ìwọ̀n gíga àti dídán, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún àwọn iṣẹ́ ìṣe semiconductor tó ń bọ̀.

Ìwọ̀n ìlò wafer Silicon Carbide 4H-N 3-inch jẹ́ ohun tó pọ̀, títí kan àwọn ẹ̀rọ itanna tó lágbára, àwọn sensọ̀ tó ní iwọ̀n otútù gíga, àwọn ẹ̀rọ RF, àti àwọn ẹ̀rọ optoelectronic. Iṣẹ́ àti ìgbẹ́kẹ̀lé tó dára rẹ̀ mú kí àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí lè ṣiṣẹ́ dáadáa lábẹ́ àwọn ipò tó le koko, kí wọ́n lè kúnjú ìwọ̀n fún àwọn ohun èlò semiconductor tó ní iwọ̀n tó ga jùlọ nínú iṣẹ́ ẹ̀rọ itanna òde òní.

A le pese substrate SiC 4H-N 3inch, awọn ipele oriṣiriṣi ti awọn wafers iṣura substrate. A tun le ṣeto isọdi-ara gẹgẹbi awọn aini rẹ. Ẹ kaabo ibeere!