3inch SiC sobusitireti Production Dia76.2mm 4H-N

Awọn ẹya akọkọ ti 3 inch silicon carbide mosfet wafers jẹ bi atẹle;

Silicon Carbide (SiC) jẹ ohun elo semikondokito-bandgap jakejado, ti o ni ijuwe nipasẹ iṣesi igbona giga, arinbo elekitironi giga, ati agbara aaye ina mọnamọna giga. Awọn ohun-ini wọnyi jẹ ki awọn wafers SiC ṣe pataki ni agbara-giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ohun elo iwọn otutu giga. Ni pataki ni 4H-SiC polytype, ọna kika gara rẹ pese iṣẹ itanna to dara julọ, ṣiṣe ni ohun elo yiyan fun awọn ẹrọ itanna agbara.

Silicon Carbide 4H-N wafer 3-inch jẹ wafer-doped nitrogen pẹlu adaṣe iru N. Ọna doping yii fun wafer ni ifọkansi elekitironi ti o ga julọ, nitorinaa imudara iṣẹ ṣiṣe adaṣe ẹrọ naa. Iwọn wafer, ni awọn inṣi 3 (iwọn ila opin ti 76.2 mm), jẹ iwọn lilo ti o wọpọ ni ile-iṣẹ semikondokito, o dara fun ọpọlọpọ awọn ilana iṣelọpọ.

Awọn 3-inch Silicon Carbide 4H-N wafer ni a ṣe ni lilo ọna Ọkọ Vapor Ti ara (PVT). Ilana yii jẹ pẹlu yiyi SiC lulú sinu awọn kirisita ẹyọkan ni awọn iwọn otutu giga, ni idaniloju didara gara ati isokan ti wafer. Ni afikun, sisanra wafer jẹ deede ni ayika 0.35 mm, ati pe dada rẹ ti tẹriba si didan ẹgbẹ-meji lati ṣaṣeyọri ipele giga giga ti flatness ati didan, eyiti o ṣe pataki fun awọn ilana iṣelọpọ semikondokito atẹle.

Iwọn ohun elo ti 3-inch Silicon Carbide 4H-N wafer jẹ sanlalu, pẹlu awọn ẹrọ itanna ti o ni agbara giga, awọn sensọ iwọn otutu giga, awọn ẹrọ RF, ati awọn ẹrọ optoelectronic. Iṣe ti o dara julọ ati igbẹkẹle jẹ ki awọn ẹrọ wọnyi ṣiṣẹ ni iduroṣinṣin labẹ awọn ipo to gaju, pade ibeere fun awọn ohun elo semikondokito iṣẹ-giga ni ile-iṣẹ itanna igbalode.

A le pese 4H-N 3inch SiC sobusitireti, awọn onipò oriṣiriṣi ti awọn ọja iṣura sobusitireti. A tun le ṣeto isọdi gẹgẹbi awọn iwulo rẹ. Kaabo ibeere!