4 inch Giga ti nw Al2O3 99.999% oniyebiye sobusitireti wafer Dia101.6×0.65mmt pẹlu Ipari Alapin akọkọ
Apejuwe
Awọn pato ti o wọpọ ti awọn wafers sapphire 4-inch ni a ṣe afihan bi atẹle:
Sisanra: Awọn sisanra ti awọn wafers sapphire ti o wọpọ jẹ laarin 0.2 mm ati 2 mm, ati sisanra pato le jẹ adani ni ibamu si awọn ibeere alabara.
Eti Ibi: Nigbagbogbo apakan kekere kan wa ni eti wafer ti a pe ni “eti ibi” ti o ṣe aabo dada wafer ati eti, ati pe o jẹ amorphous nigbagbogbo.
Igbaradi oju: Awọn wafer oniyebiye ti o wọpọ ti wa ni ilẹ ni ẹrọ ati kemikali ti o ni didan lati dan dada.
Awọn ohun-ini dada: Ilẹ ti awọn wafers oniyebiye nigbagbogbo ni awọn ohun-ini opiti ti o dara, gẹgẹbi iwọn kekere ati itọka itọka kekere, lati mu iṣẹ ẹrọ dara si.
Awọn ohun elo
● Sobusitireti idagbasoke fun III-V ati II-VI agbo
● Electronics ati optoelectronics
● Awọn ohun elo IR
● Silikoni Lori Sapphire Integrated Circuit(SOS)
● Circuit Iṣọkan Igbohunsafẹfẹ Redio (RFIC)
Sipesifikesonu
Nkan | 4-inch C-ofurufu (0001) 650μm oniyebiye Wafers | |
Awọn ohun elo Crystal | 99,999%, Giga ti nw, Monocrystalline Al2O3 | |
Ipele | NOMBA, Epi-Ṣetan | |
Dada Iṣalaye | C-ofurufu (0001) | |
C-ofurufu pa-igun si ọna M-ipo 0,2 +/- 0,1 ° | ||
Iwọn opin | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Sisanra | 650 μm +/- 25 μm | |
Primary Flat Iṣalaye | A-ofurufu (11-20) +/- 0,2 ° | |
Primary Flat Gigun | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Nikan Side didan | Iwaju Iwaju | Epi-didan, Ra <0.2 nm (nipasẹ AFM) |
(SSP) | Back Dada | Ilẹ ti o dara, Ra = 0.8 μm si 1.2 μm |
Double Side didan | Iwaju Iwaju | Epi-didan, Ra <0.2 nm (nipasẹ AFM) |
(DSP) | Back Dada | Epi-didan, Ra <0.2 nm (nipasẹ AFM) |
TTV | <20 μm | |
teriba | <20 μm | |
IGBAGBO | <20 μm | |
Ninu / Iṣakojọpọ | Kilasi 100 mimọ yara mimọ ati apoti igbale, | |
Awọn ege 25 ninu apoti kasẹti kan tabi apoti ẹyọkan. |
A ni ọpọlọpọ ọdun ti iriri ni ile-iṣẹ iṣelọpọ oniyebiye. Pẹlu ọja olupese Kannada, ati ọja eletan kariaye. Ti o ba ni eyikeyi aini, jọwọ lero free lati kan si wa.