Àwọn Wafer SiC 4 inch 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, àti qummy grade

Àpèjúwe Kúkúrú:

A máa ń ṣẹ̀dá ohun èlò ìtẹ̀wé silicon carbide semi-insulated nípa gígé, lílọ, dídán, mímọ́ àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ mìíràn lẹ́yìn ìdàgbàsókè ti crystal silicon carbide semi-insulated. A máa ń gbin ohun èlò ìtẹ̀wé tàbí multilayer crystal Layer lórí ohun èlò ìtẹ̀wé tó bá àwọn ohun èlò dídára mu gẹ́gẹ́ bí epitaxy, lẹ́yìn náà a máa ń ṣe ohun èlò microwave RF nípa sísopọ̀ ìrísí àti ìdìpọ̀. Ó wà gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìtẹ̀wé silicon carbide semi-insulated ...

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ìsọfúnni Ọjà

Ipele			Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z)			Ipele Iṣelọpọ Boṣewa (Ipele P)		Ipele D (Ipele D)
Iwọn opin			99.5 mm ~ 100.0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Ìtọ́sọ́nà Wafer			Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí < 1120 > ±0.5° fún 4H-N, Ní ìsàlẹ̀: <0001>±0.5° fún 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́		{10-10} ±5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́		32.5 mm±2.0 mm
Gígùn Pẹpẹ Keji		18.0 mm±2.0 mm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle		Ìhà tí ó kọjú sílíkọ́nì sí òkè: 90° CW. láti Prime flat ±5.0°
Ìyọkúrò Etí		3 mm
LTV/TTV/Tọfà/Wọpa		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Ríru			Ojú C				Àwọn ọmọ Poland		Ra≤1 nm
			Ojú Si	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí						Gígùn àpapọ̀ ≤ 10 mm, ẹyọ kan gígùn ≤2 mm
Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Agbegbe apapọ ≤0.05%						Agbegbe apapọ ≤0.1%
Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí						Agbegbe apapọ≤3%
Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán		Agbegbe apapọ ≤0.05%						Agbegbe apapọ ≤3%
Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga		Kò sí						Gígùn àpapọ̀ ≤ 1＊opin wafer
Àwọn Ẹ̀kún Etí Gíga Nípa Ìmọ́lẹ̀ Líle		Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2 mm fífẹ̀ àti jíjìn						5 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ agbára gíga		Kò sí
Àkójọ		Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo