4H-N 4 inch SiC substrate wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade
Àwọn ohun èlò ìlò
Àwọn wafers onígun mẹ́rin tí ó ní silicon carbide onígun mẹ́rin ń kó ipa pàtàkì nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ iṣẹ́. Àkọ́kọ́, a ń lò ó dáadáa nínú iṣẹ́ semiconductor nínú ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna alágbára gíga bíi transistors power, àwọn iyika tí a ti so pọ̀ àti àwọn modulu power. Ìfaradà ooru gíga rẹ̀ àti ìdènà ooru gíga rẹ̀ jẹ́ kí ó tú ooru ká dáadáa kí ó sì pèsè iṣẹ́ tó dára jù àti ìgbẹ́kẹ̀lé. Èkejì, a tún ń lo àwọn wafers silicon carbide ní pápá ìwádìí láti ṣe ìwádìí lórí àwọn ohun èlò àti ẹ̀rọ tuntun. Ní àfikún, a tún ń lo àwọn wafers silicon carbide ní optoelectronics, bíi ṣíṣe àwọn led àti laser diodes.
Awọn pato ti wafer SiC 4inch
Ìwọ̀n wafer onípele 4-inch silicon carbide onípele kan ṣoṣo tó jẹ́ 4 inches (tó tó 101.6mm), ìparí ojú ilẹ̀ tó dé Ra < 0.5 nm, nínípọn 600±25 μm. Ìyípadà wafer náà jẹ́ irú N tàbí P, a sì lè ṣe é ní ìbámu pẹ̀lú àìní àwọn oníbàárà. Ní àfikún, chip náà ní ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ tó dára, ó lè fara da ìwọ̀n ìfúnpá àti ìgbọ̀nsẹ̀ kan.
Wafer silicon carbide single crystal substrate inch jẹ́ ohun èlò tó ní agbára gíga tí a ń lò ní àwọn ibi ìwádìí semiconductor, ìwádìí àti optoelectronics. Ó ní agbára ìgbóná tó dára, ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ àti agbára ìgbóná tó ga, èyí tó yẹ fún ìpèsè àwọn ẹ̀rọ itanna tó lágbára àti ìwádìí àwọn ohun èlò tuntun. A ń fúnni ní onírúurú àwọn ìlànà àti àṣàyàn àtúnṣe láti bá onírúurú àìní oníbàárà mu. Jọ̀wọ́ ẹ kíyèsí ojú-òpó wẹ́ẹ̀bù wa láti mọ̀ sí i nípa ìwífún nípa ọjà wafer silicon carbide.
Àwọn iṣẹ́ pàtàkì: Àwọn wafers carbide silicon, àwọn wafers silicon carbide onípele kan ṣoṣo, 4 inches, ìfaradà ooru, ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ, ìdènà iwọn otutu gíga, àwọn transistors agbára, àwọn iyika tí a ti ṣepọ, àwọn modulu agbára, àwọn LED, àwọn diodes laser, ìparí ojú ilẹ̀, ìfaradà, àwọn àṣàyàn àdáni
Àwòrán Àlàyé
