4H-ologbele HPSI 2inch SiC sobusitireti wafer Production idinwon Research ite

Ohun alumọni carbide sobusitireti ti pin nipataki si conductive ati ologbele-idabobo iru, conductive silikoni carbide sobusitireti si n-Iru sobusitireti ti wa ni o kun lo fun epitaxial GaN-orisun LED ati awọn miiran optoelectronic awọn ẹrọ, SiC-orisun agbara itanna, ati be be lo, ati ologbele- idabobo SiC ohun alumọni carbide sobusitireti jẹ lilo akọkọ fun iṣelọpọ epitaxial ti awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ redio giga-giga GaN. Ni afikun idabobo ologbele-mimọ giga HPSI ati idabobo ologbele SI yatọ, ifọkansi ologbele idabobo ologbele-mimọ giga ti 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015 / cm3 ibiti, pẹlu gbigbe elekitironi giga; ologbele-idabobo jẹ awọn ohun elo atako giga, resistivity ga pupọ, ni gbogbogbo lo fun awọn sobusitireti ẹrọ makirowefu, ti kii ṣe adaṣe.

Ologbele-idabobo Silicon Carbide sobusitireti dì SiC wafer

SiC gara be pinnu awọn oniwe-ti ara, ojulumo si Si ati GaAs, SiC ni o ni fun awọn ti ara-ini; eewọ band iwọn jẹ tobi, sunmo si 3 igba ti Si, lati rii daju wipe ẹrọ ṣiṣẹ ni ga awọn iwọn otutu labẹ awọn gun-igba igbẹkẹle; didenukole aaye agbara jẹ ga, ni 1O igba ti Si, lati rii daju wipe awọn ẹrọ foliteji agbara, mu awọn ẹrọ foliteji iye; oṣuwọn elekitironi saturation jẹ nla, jẹ awọn akoko 2 ti Si, lati mu iwọn igbohunsafẹfẹ ẹrọ ati iwuwo agbara pọ si; Imudaniloju gbigbona ga, diẹ sii ju Si lọ, imudani igbona ti o ga julọ, imudani ti o ga julọ ti o ga julọ, ti o ga julọ, ti o ga julọ, diẹ sii ju Si lọ, ti o ga julọ, ti o ga julọ. Imudara igbona giga, diẹ sii ju awọn akoko 3 ti Si, jijẹ agbara itusilẹ ooru ti ẹrọ ati mimọ miniaturization ti ẹrọ naa.