Ìṣẹ̀dá ìṣẹ́jú 4H HPSI 2inch SiC substrate wafer Ipò ìwádìí Dídára

A pín ohun èlò irin carbide silicon sí oríṣi irin conductive àti semi-insulating, ohun èlò irin carbide silicon conductive sí n-type substrate ni a lò fún epitaxial GaN-based LED àti àwọn ẹ̀rọ optoelectronic mìíràn, àwọn ẹ̀rọ itanna power-based SiC, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, àti ohun èlò irin carbide silicon SiC semi-insulating ni a lò fún ṣíṣe epitaxial ti àwọn ẹ̀rọ igbohunsafẹfẹ redio GaN high-power. Ní àfikún, ohun èlò irin carbide HPSI àti SI semi-insulation yàtọ̀ síra, ìfọkànsí ohun èlò irin carbide semi-insulating gíga ti 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, pẹ̀lú ìṣíkiri elekitironi gíga; ohun èlò irin carbide semi-insulating jẹ́ ohun èlò resistance gíga, resistance gíga ga gan-an, tí a sábà máa ń lò fún àwọn ohun èlò microwave, tí kì í ṣe conductive.

Ìwé ìṣàlẹ̀ Silikoni Carbide Semi-insulating SiC wafer

Ìṣètò kirisita SiC ń pinnu ara rẹ̀, ní ìfiwéra pẹ̀lú Si àti GaAs, SiC ní fún àwọn ohun ìní ara; ìbú ìpele tí a kò gbà láyè tóbi, ó fẹ́rẹ̀ẹ́ tó ìlọ́po mẹ́ta ti Si, láti rí i dájú pé ẹ̀rọ náà ń ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga lábẹ́ ìgbẹ́kẹ̀lé ìgbà pípẹ́; agbára pápá ìfọ́ ga, ó jẹ́ ìlọ́po 1O ti Si, láti rí i dájú pé agbára folti ẹ̀rọ náà, mú kí iye folti ẹ̀rọ náà sunwọ̀n síi; ìwọ̀n elekitironi ìtóbi tóbi, ó jẹ́ ìlọ́po méjì ti Si, láti mú kí ìgbóná àti ìwọ̀n agbára ẹ̀rọ náà pọ̀ síi; ìgbóná ooru ga, ó ju Si lọ, ìgbóná ooru ga, ìgbóná ooru ga, ìgbóná ooru ga, ìgbóná ooru ga, ó ju Si lọ, ìgbóná ooru ga, ìgbóná ooru ga. Ìgbóná ooru ga, ó ju ìlọ́po mẹ́ta ti Si lọ, ó ń mú kí agbára ìtújáde ooru ẹ̀rọ náà pọ̀ sí i, ó sì ń rí i pé ẹ̀rọ náà kéré sí i.