Wafer SiC Epi 4 inches fun MOS tabi SBD

Epitaxy tọ́ka sí ìdàgbàsókè ti fẹlẹfẹlẹ ohun èlò kristali kan ṣoṣo tó ga jùlọ lórí ojú substrate silicon carbide kan. Láàrín wọn, ìdàgbàsókè ti gallium nitride epitaxial Layer lórí substrate silicon carbide semi-insulating ni a ń pè ní heterogeneous epitaxy; ìdàgbàsókè ti silicon carbide epitaxial Layer lórí ojú substrate silicon carbide conductive ni a ń pè ní epitaxy homogeneous.

Epitaxial bá àwọn ohun tí a nílò láti ṣe àgbékalẹ̀ ẹ̀rọ mu fún ìdàgbàsókè ti ipele iṣẹ́ pàtàkì, ó sì ń pinnu iṣẹ́ ërún àti ẹ̀rọ náà, iye owó rẹ̀ sì jẹ́ 23%. Àwọn ọ̀nà pàtàkì ti SiC thin film epitaxy ní ìpele yìí ni: chemical vapor deposition (CVD), molecular beam epitaxy (MBE), liquid phase epitaxy (LPE), àti pulsed laser deposition and sublimation (PLD).

Epitaxy jẹ́ ìjápọ̀ pàtàkì kan ní gbogbo ilé iṣẹ́ náà. Nípa gbígbìn àwọn ìpele epitaxial GaN lórí àwọn substrates silicon carbide semi-insulating, a ń ṣe àwọn wafers epitaxial GaN tí a gbé ka orí silicon carbide, èyí tí a lè ṣe sí àwọn ẹ̀rọ GaN RF bíi high electron mobility transistors (HEMTs);

Nípa gbígbin fẹlẹfẹlẹ epitaxial silicon carbide lórí substrate conductive láti gba wafer epitaxial silicon carbide, àti nínú fẹlẹfẹlẹ epitaxial lórí ṣíṣe Schottky diodes, àwọn transistors half-field effect gold-oxygen, insulated gate bipolar transistors àti àwọn ẹ̀rọ agbára mìíràn, nítorí náà dídára epitaxial lórí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà ní ipa ńlá lórí ìdàgbàsókè ilé iṣẹ́ náà tún ń kó ipa pàtàkì.