4inch SiC Epi wafer fun MOS tabi SBD

Apọju n tọka si idagba ti Layer ti ohun elo gara ẹyọkan ti o ga julọ lori dada ti sobusitireti carbide ohun alumọni. Lara wọn, idagba ti gallium nitride epitaxial Layer lori ologbele-idabobo ohun alumọni carbide sobusitireti ni a pe ni epitaxy orisirisi; idagba ti ohun alumọni carbide epitaxial Layer lori dada ti a conductive silikoni carbide sobusitireti ni a npe ni isokan epitaxy.

Epitaxial wa ni ibamu pẹlu awọn ibeere apẹrẹ ẹrọ ti idagba ti ipele iṣẹ-ṣiṣe akọkọ, pataki ni ipinnu iṣẹ ti ërún ati ẹrọ naa, idiyele ti 23%. Awọn ọna akọkọ ti SiC tinrin fiimu epitaxy ni ipele yii pẹlu: ifasilẹ orule kemikali (CVD), epitaxy tan ina molikula (MBE), epitaxy alakoso omi (LPE), ati ifisilẹ laser pulsed ati sublimation (PLD).

Epitaxy jẹ ọna asopọ to ṣe pataki pupọ ni gbogbo ile-iṣẹ naa. Nipa dagba awọn ipele GaN epitaxial lori awọn sobusitireti ohun alumọni ohun alumọni ologbele-insulating, GaN epitaxial wafers ti o da lori ohun alumọni carbide ni a ṣe, eyiti o le ṣe siwaju si awọn ẹrọ GaN RF gẹgẹbi awọn transistors arinbo elekitironi giga (HEMTs);

Nipa dagba ohun alumọni carbide epitaxial Layer lori conductive sobusitireti lati gba ohun alumọni carbide epitaxial wafer, ati ninu awọn epitaxial Layer lori iṣelọpọ ti Schottky diodes, goolu-atẹgun idaji-oko transistors ipa, ti ya sọtọ ẹnu-bode bipolar transistors ati awọn miiran agbara awọn ẹrọ, ki awọn didara ti awọn epitaxial lori awọn iṣẹ ti awọn ẹrọ ti wa ni tun pataki ipa ti awọn idagbasoke ti awọn idagbasoke ti awọn ile ise.