Kírísítà onípele kan ṣoṣo SiC onípele 6 inch lórí ìpìlẹ̀ àkójọpọ̀ SiC polycrystalline. Ìwọ̀n P irú N 150mm

Kírísítà onípele kan ṣoṣo SiC onípele 6 inch lórí ìpìlẹ̀ àkójọpọ̀ SiC onípele 150mm Ìwọ̀n P irú N Àwòrán tí a fihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

SiC monocrystalline onígun mẹ́fà tí ó wà lórí polycrystalline SiC composite substrate dúró fún ojútùú ohun èlò silicon carbide (SiC) tuntun tí a ṣe fún àwọn ẹ̀rọ itanna oníná agbára gíga, iwọ̀n otútù gíga, àti ìgbóná gíga. Substrate yìí ní fẹlẹfẹlẹ SiC oníṣẹ́ kan ṣoṣo tí a so mọ́ ipilẹ SiC oníná polycrystalline nípasẹ̀ àwọn ìlànà pàtàkì, tí ó ń so àwọn ohun ìní iná mànàmáná tí ó ga jùlọ ti monocrystalline SiC pọ̀ mọ́ àwọn àǹfààní iye owó ti polycrystalline SiC.
Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò SiC tí ó ní monocrystalline tí ó kún fún gbogbogbòò, SiC onígun mẹ́fà tí ó wà lórí ohun èlò SiC onígun mẹ́fà tí ó wà lórí polycrystalline SiC máa ń mú kí electron mobility ga àti resistance gíga, nígbàtí ó ń dín iye owó iṣẹ́ rẹ̀ kù gidigidi. Ìwọ̀n wafer rẹ̀ tí ó jẹ́ 6-inch (150 mm) máa ń mú kí ìbáramu bá àwọn ìlà iṣẹ́ semiconductor tí ó wà tẹ́lẹ̀ mu, èyí sì ń mú kí iṣẹ́ ṣíṣe tí ó wúlò. Ní àfikún, apẹ̀rẹ̀ onígun mẹ́rin náà ń gba lílò taara nínú ṣíṣe ẹ̀rọ agbára (fún àpẹẹrẹ, MOSFETs, diodes), èyí tí ó ń mú àìní fún àwọn ìlànà doping afikún kúrò àti ṣíṣe àwọn iṣẹ́ ṣíṣe tí ó rọrùn.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Ìwọ̀n:	6 inch
Iwọn opin:	150 mm
Sisanra:	400-500 μm
Awọn Paramita Fiimu SiC monocrystalline
Irú onípele:	4H-SiC tàbí 6H-SiC
Ìfojúsùn Doping:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Sisanra:	5-20 μm
Agbara lati koju iwe:	10-1000 Ω/sq
Iṣipopada Itanna:	800-1200 cm²/V
Iṣipopada Iho:	100-300 cm²/V
Àwọn Ìpele Fọ́fíìmù Ìdábòbò SíC Polycrystalline
Sisanra:	50-300 μm
Ìgbékalẹ̀ Ooru:	150-300 W/m·K
Àwọn Ìlànà Ìsàlẹ̀ SiC Monocrystalline
Irú onípele:	4H-SiC tàbí 6H-SiC
Ìfojúsùn Doping:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Sisanra:	300-500 μm
Ìwọ̀n ọkà:	> 1 mm
Rírọ ojú ilẹ̀:	RMS < 0.3 mm
Àwọn Ohun Èlò Mẹ́kínẹ́ẹ̀kì àti Mọ̀nàmọ́ná
Líle:	9-10 Mohs
Agbara Funmorawon:	3-4 GPA
Agbara fifẹ:	0.3-0.5 GPA
Agbára Pápá Ìfọ́:	> 2 MV/cm
Ìfarada Iye Iye Lapapọ:	> 10 Mrad
Àtakò Ipa Iṣẹlẹ Kanṣoṣo:	> 100 MeV·cm²/mg
Ìgbékalẹ̀ Ooru:	150-380 W/m·K
Ibiti Iwọn otutu iṣiṣẹ:	-55 sí 600°C

Àwọn Ànímọ́ Pàtàkì

SiC monocrystalline onígun mẹ́fà tí ó wà lórí polycrystalline SiC composite substrate ń fúnni ní ìwọ̀ntúnwọ̀nsì àrà ọ̀tọ̀ ti ìṣètò ohun èlò àti iṣẹ́, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn àyíká ilé-iṣẹ́ tí ó nílò ìnáwó:

1. Ìnáwó-Agbára: Ìpìlẹ̀ polycrystalline SiC dín iye owó kù ní ìfiwéra pẹ̀lú SiC monocrystalline kikun, nígbàtí monocrystalline SiC active layer ń ṣe ìdánilójú iṣẹ́ ìpele ẹ̀rọ, èyí tí ó dára fún àwọn ohun èlò tí ó ní ìfàmọ́ra iye owó.

2. Àwọn Ànímọ́ Ẹ̀rọ Tí Ó Tayọ̀: Fẹ́ẹ̀lì SiC monocrystalline náà ń fi ìṣíkiri gíga tí ó ń gbé nǹkan hàn (>500 cm²/V·s) àti ìwọ̀n àbùkù kékeré, èyí tí ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga àti agbára gíga.

3. Iduroṣinṣin Iwọn otutu giga: Agbara resistance iwọn otutu giga ti SiC (>600°C) rii daju pe ipilẹpọ apapo naa duro ṣinṣin labẹ awọn ipo ti o nira, eyiti o jẹ ki o dara fun awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina ati awọn ohun elo mọto ile-iṣẹ.

Ìwọ̀n Wafer Oníwọ̀n 4.6-inch: Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 4-inch ìbílẹ̀, ìrísí 6-inch náà mú kí ìṣẹ́jáde chip pọ̀ sí i ní ohun tí ó ju 30% lọ, èyí tí ó dín iye owó ẹ̀rọ kọ̀ọ̀kan kù.

5. Apẹrẹ Oniruuru: Awọn fẹlẹfẹlẹ iru N tabi iru P ti a ti mu tẹlẹ dinku awọn igbesẹ gbigbe ion ninu iṣelọpọ ẹrọ, mu ilọsiwaju iṣelọpọ ati ikore pọ si.

6. Ìṣàkóso Ooru Tó Ga Jùlọ: Ìlànà ooru ìpìlẹ̀ polycrystalline SiC (~120 W/m·K) sún mọ́ ti monocrystalline SiC, ó sì ń kojú àwọn ìpèníjà ìtújáde ooru nínú àwọn ẹ̀rọ alágbára gíga.

Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí gbé SiC monocrystalline conductive 6-inch sí orí polycrystalline SiC composite substrate gẹ́gẹ́ bí ojútùú ìdíje fún àwọn ilé iṣẹ́ bíi agbára àtúnṣe, ìrìn ọkọ̀ ojú irin, àti afẹ́fẹ́.

Awọn Ohun elo Akọkọ

A ti lo SiC monocrystalline onigun mẹfa ti o wa lori polycrystalline SiC composite substrate ni aṣeyọri ni ọpọlọpọ awọn aaye ti o nilo pupọ:
1. Àwọn ẹ̀rọ amúṣẹ́dá ọkọ̀ iná mànàmáná: A ń lò ó nínú àwọn ẹ̀rọ amúṣẹ́dá SiC MOSFET àti àwọn diodes láti mú kí iṣẹ́ inverter ṣiṣẹ́ dáadáa kí ó sì mú kí agbára bátírì gbòòrò sí i (fún àpẹẹrẹ, àwọn ẹ̀rọ Tesla, BYD).

2. Awọn awakọ mọto ile-iṣẹ: O mu ki awọn modulu agbara iwọn otutu giga, iyipada igbohunsafẹfẹ giga ṣiṣẹ, dinku lilo agbara ninu awọn ẹrọ eru ati awọn turbine afẹfẹ.

3. Àwọn Inverters Photovoltaic: Àwọn ẹ̀rọ SiC mú kí ìyípadà oòrùn dára síi (>99%), nígbàtí àwọn ohun èlò ìdàpọ̀ náà tún dín iye owó ètò kù síi.

4. Gbigbe Ọkọ̀ Ojú Irin: A lo ninu awọn iyipada fifa fun awọn ọna ọkọ oju irin iyara giga ati awọn ọna ọkọ oju irin alaja, ti o funni ni resistance foliteji giga (>1700V) ati awọn ifosiwewe fọọmu kekere.

5.Afẹ́fẹ́: Ó dára fún àwọn ètò agbára sátẹ́láìtì àti àwọn àyíká ìṣàkóso ẹ̀rọ ọkọ̀ òfurufú, tí ó lè fara da àwọn òtútù àti ìtànṣán líle koko.

Nínú iṣẹ́ ṣíṣe, SiC monocrystalline onígun mẹ́fà tí ó wà lórí polycrystalline SiC composite substrate bá àwọn ìlànà ẹ̀rọ SiC tí ó wọ́pọ̀ mu (fún àpẹẹrẹ, lithography, etching), tí kò nílò àfikún owó ìdókòwò.

Awọn iṣẹ XKH

XKH n pese atilẹyin pipe fun monocrystalline SiC onirin mẹfa lori ipilẹ idapọpọ polycrystalline SiC, ti o bo R&D si iṣelọpọ ibi-pupọ:

1. Ṣíṣe àtúnṣe: Ìwọ̀n ìpele monocrystalline tí a lè ṣàtúnṣe (5–100 μm), ìfojúsùn doping (1e15–1e19 cm⁻³), àti ìtọ́sọ́nà kristali (4H/6H-SiC) láti bá àwọn ohun èlò onírúurú mu.

2. Ṣíṣe Wafer: Ipese pupọ ti awọn substrate 6-inch pẹlu awọn iṣẹ titọ ẹhin ati iṣẹ irin fun isọpọ plug-and-play.

3. Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ Ìmọ̀-ẹ̀rọ: Pẹ̀lú ìṣàyẹ̀wò kirisita XRD, ìdánwò ipa Hall, àti ìwọ̀n ìdènà ooru láti mú kí ìpele ohun èlò yára síi.

4. Ṣíṣe àgbékalẹ̀ kíákíá: Àwọn àpẹẹrẹ 2- sí 4-inch (ìlànà kan náà) fún àwọn ilé ìwádìí láti mú kí àwọn ìpele ìdàgbàsókè yára sí i.

5. Ìṣàyẹ̀wò Àìlera àti Ìṣàtúnṣe: Àwọn ìdáhùn ìpele ohun èlò fún àwọn ìpèníjà ìṣiṣẹ́ (fún àpẹẹrẹ, àwọn àbùkù ìpele epitaxial).

Iṣẹ́ wa ni láti gbé SiC monocrystalline conductive 6-inch kalẹ̀ lórí polycrystalline SiC composite substrate gẹ́gẹ́ bí ojútùú iye owó tí a fẹ́ fún ẹ̀rọ itanna SiC, tí ó ń fúnni ní ìtìlẹ́yìn láti ìbẹ̀rẹ̀ dé òpin láti ìṣẹ̀dá ìṣàpẹẹrẹ sí ìṣẹ̀dá iwọn didun.

Ìparí

SiC monocrystalline onígun mẹ́fà tí ó wà lórí polycrystalline SiC composite substrate ṣàṣeyọrí ìwọ́ntúnwọ́nsí láàárín iṣẹ́ àti iye owó nípasẹ̀ ìṣètò mono/polycrystalline hybrid tuntun rẹ̀. Bí àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná ṣe ń pọ̀ sí i tí Industry 4.0 sì ń tẹ̀síwájú, substrate yìí ń pèsè ìpìlẹ̀ ohun èlò tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára ìran tí ń bọ̀. XKH gbà àwọn ìfọwọ́sowọ́pọ̀ láti túbọ̀ ṣe àwárí agbára ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC.