6inch SiC Epitaxyy wafer N/P iru gba adani
Ilana igbaradi ti ohun alumọni carbide epitaxial wafer jẹ ọna ti o nlo imọ-ẹrọ Kemikali Vapor Deposition (CVD). Awọn atẹle jẹ awọn ipilẹ imọ-ẹrọ ti o yẹ ati awọn igbesẹ ilana igbaradi:
Ilana imọ-ẹrọ:
Idojukọ Oru Kemikali: Lilo gaasi ohun elo aise ni ipele gaasi, labẹ awọn ipo ifaseyin pato, o jẹ jijẹ ati gbe silẹ lori sobusitireti lati ṣe fiimu tinrin ti o fẹ.
Idahun gaasi-fase: Nipasẹ pyrolysis tabi ifaseyin wo inu, ọpọlọpọ awọn gaasi ohun elo aise ni ipele gaasi ti yipada ni kemikali ninu iyẹwu ifaseyin.
Awọn ilana igbaradi:
Itọju sobusitireti: Sobusitireti ti wa ni abẹ si mimọ dada ati iṣaju lati rii daju didara ati crystallinity ti wafer epitaxial.
Ti n ṣatunṣe aṣiṣe iyẹwu ifa: ṣatunṣe iwọn otutu, titẹ ati iwọn sisan ti iyẹwu ifura ati awọn paramita miiran lati rii daju iduroṣinṣin ati iṣakoso awọn ipo iṣe.
Ipese ohun elo aise: pese awọn ohun elo aise gaasi ti o nilo sinu iyẹwu ifaseyin, dapọ ati ṣiṣakoso iwọn sisan bi o ti nilo.
Ilana ifaseyin: Nipa gbigbona iyẹwu ifarabalẹ, ifunni gaseous n gba ifura kemikali ninu iyẹwu lati gbejade idogo ti o fẹ, ie fiimu silikoni carbide.
Itutu ati ikojọpọ: Ni opin ifasẹyin, iwọn otutu ti dinku ni diėdiẹ lati tutu ati mu awọn ohun idogo mulẹ ninu iyẹwu ifasẹyin.
Epitaxial wafer annealing ati post-processing: ti wa ni ipamọ epitaxial wafer ti wa ni annealed ati ranse si ilana lati mu awọn oniwe-itanna ati opitika-ini.
Awọn igbesẹ kan pato ati awọn ipo ti ilana igbaradi wafer silikoni carbide epitaxial le yatọ si da lori ohun elo kan pato ati awọn ibeere. Eyi ti o wa loke jẹ ṣiṣan ilana gbogbogbo nikan ati ilana, iṣẹ ṣiṣe kan pato nilo lati tunṣe ati iṣapeye ni ibamu si ipo gangan.