Àṣà N Iru SiC Irugbin Dia153/155mm Fún Ẹ̀rọ Agbára
Ṣe afihan
Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ fún àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ fún àwọn semiconductors ìran kẹta, tí a yà sọ́tọ̀ nípasẹ̀ agbára ooru gíga wọn, agbára pápá iná mànàmáná tí ó ga jùlọ, àti ìṣíkiri elekitironi gíga. Àwọn ohun èlò wọ̀nyí mú kí wọ́n ṣe pàtàkì fún àwọn ohun èlò itanna agbára, àwọn ẹ̀rọ RF, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EVs), àti àwọn ohun èlò agbára tí a lè sọ di tuntun. XKH ṣe àmọ̀jáde nínú ìwádìí àti ìṣẹ̀dá àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ SiC tí ó ga jùlọ, ní lílo àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè kristali tí ó ti ní ìlọsíwájú bíi Physical Vapor Transport (PVT) àti High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD) láti rí i dájú pé dídára kristali ló wà ní ipò àkọ́kọ́ nínú iṣẹ́ náà.
XKH n pese awọn irugbin SiC 4-inch, 6-inch, ati 8-inch pẹlu doping iru N-type/P ti a le ṣe adani, ti o n ṣaṣeyọri awọn ipele resistance ti 0.01-0.1 Ω·cm ati awọn iwuwo dislocation ni isalẹ 500 cm⁻², ti o jẹ ki wọn dara julọ fun ṣiṣe awọn MOSFETs, Schottky Barrier Diodes (SBDs), ati IGBTs. Ilana iṣelọpọ wa ti a ṣe ni inaro bo idagbasoke kristali, gige wafer, didan, ati ayewo, pẹlu agbara iṣelọpọ oṣooṣu ti o ju 5,000 wafers lati pade awọn ibeere oriṣiriṣi ti awọn ile-iṣẹ iwadii, awọn olupese semiconductor, ati awọn ile-iṣẹ agbara isọdọtun.
Ni afikun, a pese awọn solusan aṣa, pẹlu:
Ṣíṣe àtúnṣe ìtọ́sọ́nà kírísítà (4H-SiC, 6H-SiC)
Awọn oogun pataki (aluminiomu, nitrogen, boron, ati bẹbẹ lọ)
Ìmọ́lẹ̀ dídán gan-an (Ra < 0.5 nm)
XKH ṣe atilẹyin fun ilana ti o da lori apẹẹrẹ, awọn ijumọsọrọ imọ-ẹrọ, ati iṣafihan ipele kekere lati pese awọn solusan substrate SiC ti o dara julọ.
Awọn eto imọ-ẹrọ
| Wafer irugbin silikoni carbide | |
| Irú onípele púpọ̀ | 4H |
| Àṣìṣe ìtọ́sọ́nà ojú ilẹ̀ | 4° sí <11-20>±0.5º |
| Àìfaradà | isọdi-ara-ẹni |
| Iwọn opin | 205±0.5mm |
| Sisanra | 600±50μm |
| Ríru | CMP,Ra≤0.2nm |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤1 ẹẹta/cm2 |
| Àwọn ìkọ́ | ≤5, Gígùn Àpapọ̀≤2*Ìwọ̀n Ìwọ̀n |
| Àwọn èdìdì/àwọn ìtẹ̀gùn | Kò sí |
| Àmì lésà iwájú | Kò sí |
| Àwọn ìkọ́ | ≤2,Gígùn Àpapọ̀≤Ìwọ̀n Ìwọ̀n |
| Àwọn èdìdì/àwọn ìtẹ̀gùn | Kò sí |
| Àwọn agbègbè onírúurú | Kò sí |
| Àmì lésà ẹ̀yìn | 1mm (lati eti oke) |
| Igun eti | Kámúfárì |
| Àkójọ | Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ |
Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì fún Irúgbìn SiC
1. Àwọn Ànímọ́ Àrà Ọ̀tọ̀
· Ìwọ̀n ìgbóná tó ga (~490 W/m·K), tó ju silicon (Si) àti gallium arsenide (GaAs) lọ gidigidi, èyí tó mú kí ó dára fún ìtútù ẹ̀rọ tó ní agbára gíga.
· Agbára pápá ìfọ́ (~3 MV/cm), tí ó ń jẹ́ kí iṣẹ́ dúró ṣinṣin lábẹ́ àwọn ipò foliteji gíga, ó ṣe pàtàkì fún àwọn inverters EV àti àwọn modulu agbára ilé-iṣẹ́.
· Ìyàtọ̀ gbooro (3.2 eV), dín ìṣàn omi tí ń jò kù ní àwọn iwọ̀n otútù gíga àti gbígbé ìgbẹ́kẹ̀lé ẹ̀rọ ga síi.
2. Didara Kirisita to ga julọ
· Ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdàgbàsókè PVT + HTCVD hybrid ń dín àwọn àbùkù micropipe kù, ó sì ń mú kí àwọn ìwúwo yíyọ kúrò ní ìsàlẹ̀ 500 cm⁻².
· Ìbọn/ìfọwọ́sí wafer < 10 μm àti ìfọ́jú ojú ilẹ̀ Ra < 0.5 nm, èyí tí ó ń mú kí ó bá àwọn ìlànà ìfọwọ́sí tí ó péye àti ìfọwọ́sí fíìmù tín-tín mu.
3. Awọn aṣayan Doping Oniruuru
·Iru-N (Nitrogen-doped): Agbara resistance kekere (0.01-0.02 Ω·cm), ti a ṣe iṣapeye fun awọn ẹrọ RF igbohunsafẹfẹ giga.
· Iru-P (Aluminium-doped): O dara fun agbara MOSFETs ati IGBTs, ti o mu ki gbigbe awọn ohun elo naa dara si.
· SiC aládán-ìdènà (tí a fi Vanadium ṣe): Ìdènà agbára > 10⁵ Ω·cm, tí a ṣe fún àwọn modulu iwájú 5G RF.
4. Iduroṣinṣin Ayika
· Agbara otutu giga (>1600°C) ati agbara itankalẹ, ti o dara fun awọn ohun elo afẹfẹ, awọn ohun elo iparun, ati awọn agbegbe miiran ti o buruju.
Àwọn Súbìtì Irúgbìn SiC - Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì
1. Awọn ẹrọ itanna agbara
· Àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EVs): A ń lò ó nínú àwọn ẹ̀rọ amúlétutù (OBC) àti àwọn ẹ̀rọ amúlétutù láti mú kí iṣẹ́ wọn sunwọ̀n síi àti láti dín àwọn ìbéèrè ìṣàkóso ooru kù.
· Àwọn Ètò Agbára Ilé-iṣẹ́: Ó ń mú kí àwọn inverters photovoltaic àti smart grids sunwọ̀n síi, ó sì ń mú kí agbára ìyípadà ṣiṣẹ́ ju 99% lọ.
2. Àwọn Ẹ̀rọ RF
· Awọn Ibudo Ipilẹ 5G: Awọn ipilẹ SiC ti o ni idabobo idaji n mu ki awọn amplifiers agbara GaN-on-SiC RF ṣiṣẹ, ti o n ṣe atilẹyin fun gbigbe ifihan agbara igbohunsafẹfẹ giga ati agbara giga.
Awọn ibaraẹnisọrọ Satẹlaiti: Awọn abuda pipadanu kekere jẹ ki o dara fun awọn ẹrọ igbi milimita.
3. Agbára Tí A Lè Ṣe Àtúnṣe & Ìpamọ́ Agbára
· Agbára Oòrùn: SiC MOSFETs ń mú kí iṣẹ́ ìyípadà DC-AC pọ̀ sí i nígbàtí ó ń dín iye owó ètò kù.
· Àwọn Ètò Ìpamọ́ Agbára (ESS): Ó ń ṣe àtúnṣe àwọn olùyípadà ọ̀nà méjì, ó sì ń mú kí bátírì pẹ́ sí i.
4. Idaabobo ati Aerospace
· Àwọn Ẹ̀rọ Rada: A ń lo àwọn ẹ̀rọ SiC alágbára gíga nínú àwọn radar AESA (Active Electronically Scanned Array).
· Ìṣàkóso Agbára Ọkọ̀ Òfurufú: Àwọn ohun èlò SiC tí ó lè dènà ìtànṣán ṣe pàtàkì fún àwọn iṣẹ́ àkànṣe jìnjìn.
5. Ìwádìí àti Àwọn Ìmọ̀ Ẹ̀rọ Tó Ń Kún Jùlọ
· Ìṣirò Kuatomu: SiC tó mọ́ tónítóní mú kí ìwádìí spin qubit ṣeé ṣe.
· Àwọn sensọ iwọn otutu gíga: A lo wọn ninu wiwa epo ati abojuto awọn ohun elo iparun.
Àwọn Súbìtì Irúgbìn SiC - Àwọn Iṣẹ́ XKH
1. Àwọn Àǹfààní Ẹ̀wọ̀n Ipèsè
· Iṣẹ́-ọnà tí a ṣepọ ní inaro: Iṣakoso kikun lati lulú SiC ti o ni mimọ to ga si awọn wafers ti a ti pari, ti o rii daju pe akoko asiwaju ti ọsẹ 4-6 fun awọn ọja boṣewa.
· Ìdíje iye owó: Àwọn ètò ọrọ̀ ajé tó wà ní ìwọ̀n mú kí iye owó tó dínkù sí 15-20% ju àwọn olùdíje lọ, pẹ̀lú àtìlẹ́yìn fún àwọn Àdéhùn Ìgbà Pípẹ́ (LTAs).
2. Awọn Iṣẹ Ṣíṣe Àtúnṣe
· Ìtọ́sọ́nà kirisita: 4H-SiC (boṣewa) tabi 6H-SiC (awọn ohun elo pataki).
· Ṣíṣe àtúnṣe sí iṣẹ́ ìtọ́jú oògùn: Àwọn ànímọ́ N-type/P-type/semi-insulating tí a ṣe àtúnṣe.
· Ìmọ́lẹ̀ tó ti lọ síwájú: Ìmọ́lẹ̀ CMP àti ìtọ́jú ojú ilẹ̀ epi-ready (Ra < 0.3 nm).
3. Atilẹyin imọ-ẹrọ
· Idanwo ayẹwo ọfẹ: Pẹlu awọn ijabọ wiwọn ipa XRD, AFM, ati Hall.
· Iranlọwọ iṣeṣiro ẹrọ: Ṣe atilẹyin fun idagbasoke epitaxial ati iṣapeye apẹrẹ ẹrọ.
4. Ìdáhùn kíákíá
· Ṣíṣe àgbékalẹ̀ ìfúnni-níwọ̀n-oníwọ̀n-oníwọ̀n: Ìbéèrè tó kéré jùlọ ti àwọn wáfárì mẹ́wàá, tí a fi ránṣẹ́ láàrín ọ̀sẹ̀ mẹ́ta.
· Àwọn ètò ìṣiṣẹ́ kárí ayé: Àjọṣepọ̀ pẹ̀lú DHL àti FedEx fún ìfijiṣẹ́ láti ẹnu ọ̀nà dé ẹnu ọ̀nà.
5. Ìdánilójú Dídára
· Àyẹ̀wò gbogbo-ẹ̀ka: Ó bo àwòrán X-ray (XRT) àti ìṣàyẹ̀wò ìwọ̀n àbùkù.
· Àwọn ìwé ẹ̀rí kárí ayé: Ó bá àwọn ìlànà IATF 16949 (ìpele ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́) àti AEC-Q101 mu.
Ìparí
Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ irúgbìn SiC ti XKH tayọ̀ ní dídára kirisita, ìdúróṣinṣin ẹ̀wọ̀n ìpèsè, àti ìyípadà àtúnṣe, tí ó ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna agbára, ìbánisọ̀rọ̀ 5G, agbára àtúnṣe, àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ààbò. A ń tẹ̀síwájú láti mú ìmọ̀ ẹ̀rọ ìṣelọ́pọ́ SiC oníwọ̀n 8-inch dàgbàsókè láti mú kí ilé-iṣẹ́ semiconductor ìran kẹta tẹ̀síwájú.
