Aṣa N Iru SiC irugbin sobusitireti Dia153 / 155mm Fun Electronics Agbara



Ṣafihan
Awọn sobusitireti irugbin Silicon Carbide (SiC) ṣiṣẹ bi ohun elo ipilẹ fun awọn semikondokito iran-kẹta, ti a ṣe iyatọ nipasẹ isọdọkan igbona giga wọn ti o ga julọ, agbara aaye ina gbigbẹ nla, ati arinbo elekitironi giga. Awọn ohun-ini wọnyi jẹ ki wọn ṣe pataki fun ẹrọ itanna agbara, awọn ẹrọ RF, awọn ọkọ ina (EVs), ati awọn ohun elo agbara isọdọtun. XKH ṣe amọja ni R&D ati iṣelọpọ ti awọn sobusitireti irugbin SiC ti o ni agbara giga, ni lilo awọn imudara idagbasoke gara ti ilọsiwaju gẹgẹbi Ọkọ Vapor Ti ara (PVT) ati Didara Kemika Kemika Iwọn otutu giga (HTCVD) lati rii daju pe didara kirisita ti ile-iṣẹ.
XKH nfunni ni 4-inch, 6-inch, ati 8-inch SiC irugbin sobsitireti pẹlu asefara N-type/P-type doping, iyọrisi resistivity awọn ipele ti 0.01-0.1 Ω·cm ati dislocation densities ni isalẹ 500 cm⁻², ṣiṣe wọn apẹrẹ fun ẹrọ MOSFETs, Schottky Barrier Diodes. Ilana iṣelọpọ inaro wa ni wiwa idagbasoke gara, slicing wafer, didan, ati ayewo, pẹlu agbara iṣelọpọ oṣooṣu ti o kọja 5,000 wafers lati pade awọn ibeere oniruuru ti awọn ile-iṣẹ iwadii, awọn aṣelọpọ semikondokito, ati awọn ile-iṣẹ agbara isọdọtun.
Ni afikun, a pese awọn solusan aṣa, pẹlu:
Iṣalaye Crystal (4H-SiC, 6H-SiC)
Doping pataki (Aluminiomu, Nitrogen, Boron, ati bẹbẹ lọ)
Din didan didan (Ra <0.5 nm)
XKH ṣe atilẹyin iṣelọpọ ti o da lori apẹẹrẹ, awọn ijumọsọrọ imọ-ẹrọ, ati apẹrẹ ipele-kekere lati fi jiṣẹ awọn solusan sobusitireti SiC iṣapeye.
Imọ paramita
Silicon carbide irugbin wafer | |
Polytype | 4H |
Dada Iṣalaye aṣiṣe | 4 ° si <11-20>± 0.5º |
Resistivity | isọdi |
Iwọn opin | 205 ± 0.5mm |
Sisanra | 600± 50μm |
Irora | CMP, Ra≤0.2nm |
Iwuwo Micropipe | ≤1 ea/cm2 |
Scratches | ≤5,Apapọ Gigun≤2*Opin |
Awọn eerun eti / indents | Ko si |
Iwaju lesa siṣamisi | Ko si |
Scratches | ≤2,Apapọ Gigun≤Opin |
Awọn eerun eti / indents | Ko si |
Awọn agbegbe Polytype | Ko si |
Pada lesa siṣamisi | 1mm (lati eti oke) |
Eti | Chamfer |
Iṣakojọpọ | Olona-wafer kasẹti |
SiC Irugbin sobsitireti - Key abuda
1. Iyatọ ti ara Properties
· Imudaniloju ti o ga julọ (~ 490 W / m · K), pataki ti o pọju silikoni (Si) ati gallium arsenide (GaAs), ti o jẹ ki o dara julọ fun itutu agbaiye-agbara-agbara ẹrọ.
· Agbara aaye fifọ (~ 3 MV / cm), ṣiṣe iṣẹ iduroṣinṣin labẹ awọn ipo foliteji giga, pataki fun awọn oluyipada EV ati awọn modulu agbara ile-iṣẹ.
· Bandgap jakejado (3.2 eV), idinku awọn ṣiṣan ṣiṣan ni awọn iwọn otutu giga ati imudara igbẹkẹle ẹrọ.
2. Didara Crystalline ti o ga julọ
· Imọ-ẹrọ idagbasoke arabara PVT + HTCVD dinku awọn abawọn micropipe, mimu awọn iwuwo yiyọ kuro ni isalẹ 500 cm⁻².
· Wafer bow/warp <10 μm ati roughness dada Ra <0.5 nm, ni idaniloju ibamu pẹlu lithography ti o ga-giga ati awọn ilana fifisilẹ fiimu tinrin.
3. Oniruuru Doping Aw
· N-type (Nitrogen-doped): Atako kekere (0.01-0.02 Ω · cm), iṣapeye fun awọn ẹrọ RF ti o ga-igbohunsafẹfẹ.
· P-type (Aluminium-doped): Apẹrẹ fun agbara MOSFETs ati IGBTs, imudarasi gbigbe gbigbe.
SiC ologbele-idabobo (Vanadium-doped): Resistivity> 10⁵ Ω·cm, ti a ṣe fun awọn modulu iwaju-opin 5G RF.
4. Iduroṣinṣin Ayika
· Idaabobo iwọn otutu giga (> 1600 ° C) ati lile itankalẹ, o dara fun oju-ofurufu, awọn ohun elo iparun, ati awọn agbegbe iwọn otutu miiran.
Awọn sobusitireti Irugbin SiC - Awọn ohun elo akọkọ
1. Electronics agbara
· Awọn ọkọ ina (EVs): Ti a lo ninu awọn ṣaja lori-ọkọ (OBC) ati awọn inverters lati mu ilọsiwaju ṣiṣẹ ati dinku awọn ibeere iṣakoso igbona.
· Awọn ọna agbara Iṣẹ: Ṣe ilọsiwaju awọn oluyipada fọtovoltaic ati awọn grids smati, ṣiṣe> 99% ṣiṣe iyipada agbara.
2. Awọn ẹrọ RF
· Awọn Ibusọ Ipilẹ 5G: Awọn sobusitireti SiC ologbele-idabobo jẹ ki awọn ampilifaya agbara GaN-on-SiC RF, ṣe atilẹyin igbohunsafẹfẹ giga, gbigbe ifihan agbara giga.
Awọn ibaraẹnisọrọ Satẹlaiti: Awọn abuda pipadanu kekere jẹ ki o dara fun awọn ẹrọ igbi-milimita.
3. Agbara isọdọtun & Ibi ipamọ agbara
· Agbara oorun: SiC MOSFETs ṣe alekun ṣiṣe iyipada DC-AC lakoko ti o dinku awọn idiyele eto.
· Awọn ọna ipamọ Agbara Agbara (ESS): Ṣe iṣapeye awọn oluyipada bidirectional ati fa gigun igbesi aye batiri.
4. olugbeja & Aerospace
· Awọn ọna ẹrọ Radar: Awọn ẹrọ SiC agbara-giga ni a lo ni AESA (Active Electronically Scanned Array) awọn radar.
· Isakoso Agbara Spacecraft: Awọn sobusitireti SiC ti o ni ipanilara jẹ pataki fun awọn iṣẹ apinfunni-jinlẹ.
5. Iwadi & Awọn Imọ-ẹrọ Nyoju
· Kuatomu Computing: Ga-mimọ SiC kí omo ere qubit iwadi.
· Awọn sensọ giga-giga: Ti a fi ranṣẹ ni iṣawari epo ati ibojuwo riakito iparun.
SiC Irugbin sobsitireti - XKH Services
1. Awọn anfani Pq Ipese
· Iṣelọpọ iṣọpọ ni inaro: Iṣakoso ni kikun lati iyẹfun SiC mimọ-giga si awọn wafers ti pari, ni idaniloju awọn akoko asiwaju ti awọn ọsẹ 4-6 fun awọn ọja boṣewa.
· Idije idiyele: Awọn ọrọ-aje ti iwọn jẹ ki 15-20% idiyele kekere ju awọn oludije lọ, pẹlu atilẹyin fun Awọn adehun Igba pipẹ (LTAs).
2. Awọn iṣẹ isọdi
· Iṣalaye Crystal: 4H-SiC (boṣewa) tabi 6H-SiC (awọn ohun elo pataki).
· Imudara Doping: Ti a ṣe deede N-Iru/P-type/awọn ohun-ini idabobo ologbele.
· Ilọsiwaju to ti ni ilọsiwaju: polishing CMP ati itọju dada ti o ti ṣetan (Ra <0.3 nm).
3. Imọ Support
Idanwo apẹẹrẹ ọfẹ: Pẹlu XRD, AFM, ati awọn ijabọ wiwọn ipa Hall.
· Iranlọwọ kikopa ẹrọ: Ṣe atilẹyin idagbasoke epitaxial ati iṣapeye apẹrẹ ẹrọ.
4. Idahun kiakia
· Afọwọṣe iwọn-kekere: Ilana ti o kere ju ti awọn wafers 10, ti a firanṣẹ laarin ọsẹ 3.
· Awọn eekaderi agbaye: Awọn ajọṣepọ pẹlu DHL ati FedEx fun ifijiṣẹ ẹnu-ọna si ẹnu-ọna.
5. Didara Didara
· Ayẹwo ilana-kikun: Bo X-ray topography (XRT) ati itupalẹ iwuwo abawọn.
· Awọn iwe-ẹri agbaye: Ni ibamu pẹlu IATF 16949 (ọkọ ayọkẹlẹ-ite) ati awọn ajohunše AEC-Q101.
Ipari
Awọn sobusitireti irugbin SiC ti XKH tayọ ni didara kristali, iduroṣinṣin pq ipese, ati irọrun isọdi, ṣiṣe ẹrọ itanna agbara, awọn ibaraẹnisọrọ 5G, agbara isọdọtun, ati awọn imọ-ẹrọ aabo. A tẹsiwaju lati ṣe ilosiwaju imọ-ẹrọ iṣelọpọ ibi-pupọ SiC 8-inch lati wakọ ile-iṣẹ semikondokito iran-kẹta siwaju.