Àwọn Wafers Epitaxial GaN-on-SiC tí a ṣe àdánidá (100mm, 150mm) – Àwọn Àṣàyàn Substrate SiC Púpọ̀ (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Àwọn ẹ̀yà ara
●Sísanra Fẹ́ẹ̀tì Onípele-ìpele: A le ṣe àtúnṣe láti1.0 µmsi3.5 µm, ti a ṣe iṣapeye fun agbara giga ati iṣẹ igbohunsafẹfẹ.
●Àwọn Àṣàyàn Súbìtì SiC: Ó wà pẹ̀lú onírúurú àwọn ohun èlò SiC, pẹ̀lú:
- 4H-N: 4H-SiC tí a fi Nitrogen-doped tó ga jùlọ fún àwọn ohun èlò ìgbóná gíga àti agbára gíga.
- HPSI: SiC Onímọ́-ẹ̀mí-ìdábòbò gíga fún àwọn ohun èlò tí ó nílò ìyàsọ́tọ̀ iná mànàmáná.
- 4H/6H-P: Adalu 4H ati 6H-SiC fun iwontunwonsi ti ṣiṣe giga ati igbẹkẹle.
●Àwọn Ìwọ̀n Wafer: Wa ni100mmàti150mmawọn iwọn ila opin fun ilopọ ni wiwọn ati isọpọ ẹrọ.
● Fólíìjìnnà Ìfọ́lẹ̀ GígaGaN lórí ìmọ̀-ẹ̀rọ SiC ń pese foliteji ìfọ́síwájú gíga, èyí tí ó ń mú kí iṣẹ́ rẹ̀ lágbára nínú àwọn ohun èlò agbára gíga.
● Ìgbékalẹ̀ Ooru Gíga: Ìgbékalẹ̀ ooru ti SiC (tó fẹ́rẹ̀ẹ́ tó 490 W/m·K) ṣe idaniloju itusilẹ ooru to dara julọ fun awọn ohun elo ti o ni agbara pupọ.
Àwọn Ìlànà Ìmọ̀-ẹ̀rọ
| Pílámẹ́rà | Iye |
| Iwọn opin Wafer | 100mm, 150mm |
| Sisanra Awọn Ipele Epitaxial | 1.0 µm – 3.5 µm (a le ṣe àtúnṣe) |
| Àwọn Irú Súbìtì SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Ìgbékalẹ̀ Ooru SiC | 490 W/m·K |
| Resistance SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Idabobo Alabọde,4H/6H-P: Adalu 4H/6H |
| Sisanra Fẹlẹfẹlẹ GaN | 1.0 µm – 2.0 µm |
| Ìfojúsùn Olùgbé GaN | 10^18 cm^-3 sí 10^19 cm^-3 (a le ṣe àtúnṣe) |
| Dídára ojú Wafer | RMS Rọrùn: < 1 nm |
| Ìwọ̀n ìyípadà | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Ọrun Wafer | < 50 µm |
| Pípẹ́ Wafer | < 5 µm |
| Iwọn otutu iṣiṣẹ to pọ julọ | 400°C (o wọpọ fun awọn ẹrọ GaN-on-SiC) |
Àwọn ohun èlò ìlò
●Ẹ̀rọ itanna agbara:Àwọn wafer GaN-on-SiC ń pese iṣẹ́ ṣiṣe gíga àti ìtújáde ooru, èyí tí ó mú wọn jẹ́ ohun tí ó dára jùlọ fún àwọn amplifiers agbára, àwọn ẹ̀rọ ìyípadà agbára, àti àwọn iyika power-inverter tí a lò nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn ètò agbára tí a lè sọ di tuntun, àti àwọn ẹ̀rọ ilé iṣẹ́.
●Àwọn Amúgbá Agbára RF:Àpapọ̀ GaN àti SiC jẹ́ pípé fún àwọn ohun èlò RF onígbà púpọ̀, alágbára gíga bíi ìbánisọ̀rọ̀, ìbánisọ̀rọ̀ sátẹ́láìtì, àti àwọn ètò radar.
●Afẹ́fẹ́ àti Ààbò:Àwọn ohun èlò ìfọṣọ wọ̀nyí yẹ fún àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ afẹ́fẹ́ àti ààbò tí ó nílò ẹ̀rọ itanna agbára gíga àti àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ tí ó lè ṣiṣẹ́ lábẹ́ àwọn ipò líle koko.
● Àwọn Ohun Èlò Ọkọ̀ Ayọ́kẹ́lẹ́:Ó dára fún àwọn ètò agbára tó ga jùlọ nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EVs), àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ aládàpọ̀ (HEVs), àti àwọn ibùdó gbigba agbára, èyí tó ń mú kí ìyípadà agbára àti ìṣàkóso rẹ̀ rọrùn.
●Àwọn Ètò Ológun àti Rádà:A lo awọn wafers GaN-on-SiC ninu awọn eto radar fun ṣiṣe giga wọn, awọn agbara mimu agbara, ati iṣẹ ooru ni awọn agbegbe ti o nilo.
●Àwọn Ohun Èlò Ìgbì Máàkírówéfù àti Mílímítà:Fún àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ ìran tó ń bọ̀, títí kan 5G, GaN-on-SiC ń pese iṣẹ́ tó dára jùlọ nínú àwọn ibi tí agbára gíga ti máìkrówéfù àti àwọn ibi tí agbára millimeter ń pọ̀ sí.
Ìbéèrè àti Ìdáhùn
Q1: Àwọn àǹfààní wo ni lílo SiC gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìpìlẹ̀ fún GaN?
A1:Silicon Carbide (SiC) ní agbára ìgbóná tó ga jùlọ, fóltéèjì ìfọ́ tó ga, àti agbára ẹ̀rọ ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò ìbílẹ̀ bíi silicon. Èyí mú kí àwọn wafer GaN-on-SiC dára fún àwọn ohun èlò agbára gíga, ìgbóná gíga, àti ìgbóná gíga. Ohun èlò SiC ń ran àwọn ẹ̀rọ GaN lọ́wọ́ láti tú ooru tí wọ́n ń mú jáde, ó sì ń mú kí ìgbẹ́kẹ̀lé àti iṣẹ́ wọn sunwọ̀n sí i.
Q2: Ṣe a le ṣe adani sisanra fẹlẹfẹlẹ epitaxial fun awọn ohun elo kan pato?
A2:Bẹ́ẹ̀ni, a lè ṣe àtúnṣe sí ìwọ̀n ìpele epitaxial láàárín àwọn1.0 µm sí 3.5 µm, da lori agbara ati awọn ibeere igbohunsafẹfẹ ti ohun elo rẹ. A le ṣe akanṣe sisanra fẹlẹfẹlẹ GaN lati mu iṣẹ ṣiṣe dara si fun awọn ẹrọ kan pato bi awọn amplifiers agbara, awọn eto RF, tabi awọn iyika igbohunsafẹfẹ giga.
Q3: Kí ni ìyàtọ̀ láàrín àwọn ohun èlò 4H-N, HPSI, àti àwọn ohun èlò 4H/6H-P SiC?
A3:
- 4H-N: A sábà máa ń lo 4H-SiC tí a fi Nitrogen doped fún àwọn ohun èlò ìgbàlódé gíga tí ó nílò iṣẹ́ ẹ̀rọ itanna gíga.
- HPSI: SiC Onímọ́-gíga-gíga Semi-Insulating pese ìyàsọ́tọ̀ iná mànàmáná, ó dára fún àwọn ohun èlò tí ó nílò agbára ìṣiṣẹ́ iná mànàmáná tó kéré jùlọ.
- 4H/6H-P: Àdàpọ̀ 4H àti 6H-SiC tí ó ń ṣe àtúnṣe iṣẹ́, tí ó ń fúnni ní àpapọ̀ ìṣe tó ga àti agbára, tí ó yẹ fún onírúurú ohun èlò itanna agbára.
Q4: Ǹjẹ́ àwọn wafer GaN-on-SiC wọ̀nyí yẹ fún àwọn ohun èlò agbára gíga bí ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná àti agbára àtúnṣe?
A4:Bẹ́ẹ̀ni, àwọn wafer GaN-on-SiC yẹ fún àwọn ohun èlò agbára gíga bíi ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, agbára àtúnṣe, àti àwọn ètò ilé-iṣẹ́. Fóltéèjì ìbàjẹ́ gíga, agbára ìdarí ooru gíga, àti agbára mímú agbára ti àwọn ẹ̀rọ GaN-on-SiC ń jẹ́ kí wọ́n lè ṣiṣẹ́ dáadáa ní ṣíṣe àyípadà agbára àti àwọn iyika ìṣàkóso.
Q5: Kí ni ìwọ̀n ìyípadà tí ó wọ́pọ̀ fún àwọn wafer wọ̀nyí?
A5:Ìwọ̀n ìyípadà àwọn ìfọ́ àwọn wafer GaN-on-SiC wọ̀nyí sábà máa ń jẹ́< 1 x 10^6 cm^-2, èyí tí ó ń mú kí ìdàgbàsókè epitaxial tó ga jùlọ, dín àbùkù kù àti mú kí iṣẹ́ àti ìgbẹ́kẹ̀lé ẹ̀rọ sunwọ̀n sí i.
Q6: Ṣe mo le beere fun iwọn wafer kan pato tabi iru substrate SiC kan?
A6:Bẹ́ẹ̀ni, a n pese awọn iwọn wafer ti a ṣe adani (100mm ati 150mm) ati awọn iru substrate SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) lati ba awọn aini pato ti ohun elo rẹ mu. Jọwọ kan si wa fun awọn aṣayan isọdi si siwaju sii ati lati jiroro awọn ibeere rẹ.
Q7: Báwo ni àwọn wafer GaN-on-SiC ṣe ń ṣiṣẹ́ ní àwọn àyíká tí ó le koko?
A7:Àwọn ìwafọ́ GaN-on-SiC dára fún àwọn àyíká tí ó le koko nítorí ìdúróṣinṣin ooru gíga wọn, agbára ìdarí gíga wọn, àti agbára ìtújáde ooru tí ó tayọ. Àwọn ìwafọ́ wọ̀nyí ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní àwọn ipò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, agbára gíga, àti ìgbóná gíga tí a sábà máa ń rí nínú àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́, ààbò, àti àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́.
Ìparí
Àwọn Wafers Epitaxial GaN-on-SiC tí a ṣe àdánidá wa ń so àwọn ohun ìní ìlọsíwájú GaN àti SiC pọ̀ láti pèsè iṣẹ́ tó ga jùlọ nínú àwọn ohun èlò agbára gíga àti ìgbóná gíga. Pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn àṣàyàn substrate SiC àti àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial tí a lè ṣe àdánidá, àwọn wafers wọ̀nyí dára fún àwọn ilé iṣẹ́ tí ó nílò iṣẹ́ tó ga, ìṣàkóso ooru, àti ìgbẹ́kẹ̀lé. Yálà fún ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn ètò RF, tàbí àwọn ohun èlò ààbò, àwọn wafers GaN-on-SiC wa ń fúnni ní iṣẹ́ àti ìyípadà tí o nílò.
Àwòrán Àlàyé
