Awọn Wafers Epitaxial GaN-on-SiC ti a ṣe adani (100mm, 150mm) - Awọn aṣayan Sobusitireti SiC pupọ (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Awọn ẹya ara ẹrọ
● Sisanra Layer Epitaxial: asefara lati1.0µmsi3.5µm, Iṣapeye fun agbara giga ati iṣẹ igbohunsafẹfẹ.
● Awọn aṣayan Sobusitireti SiC: Wa pẹlu orisirisi awọn sobusitireti SiC, pẹlu:
- 4H-N: Nitrogen-doped 4H-SiC ti o ga julọ fun igbohunsafẹfẹ giga, awọn ohun elo agbara-giga.
- HPSI: Giga-Purity Semi-Insulating SiC fun awọn ohun elo ti o nilo iyasọtọ itanna.
- 4H/6H-P: Adalu 4H ati 6H-SiC fun a dọgbadọgba ti ga ṣiṣe ati dede.
● Awọn iwọn Wafer: Wa ninu100mmati150mmdiameters fun versatility ni ẹrọ igbelosoke ati Integration.
● Giga didenukole Foliteji: GaN lori imọ-ẹrọ SiC n pese foliteji didenukole giga, ṣiṣe iṣẹ ṣiṣe to lagbara ni awọn ohun elo agbara-giga.
● Giga Gbona Conductivity: SiC ká atorunwa elekitiriki gbona (isunmọ 490 W/m·K) ṣe idaniloju ifasilẹ ooru ti o dara julọ fun awọn ohun elo agbara-agbara.
Imọ ni pato
| Paramita | Iye |
| Wafer Opin | 100mm, 150mm |
| Epitaxial Layer Sisanra | 1.0 µm – 3.5 µm (ṣe asefara) |
| SiC sobusitireti Orisi | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| SiC Gbona Conductivity | 490 W/m·K |
| SiC Resistivity | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Ologbele-Idabobo,4H/6H-P: Adalu 4H/6H |
| GaN Layer Sisanra | 1.0 µm – 2.0 µm |
| GaN Carrier Ifojusi | 10^18 cm^-3 si 10^19 cm^-3 (aṣeṣe) |
| Wafer dada Didara | Iye owo ti RMS: <1 nm |
| Dislocation iwuwo | <1 x 10^6 cm^-2 |
| Wafer Teriba | <50µm |
| Wafer Flatness | <5µm |
| Iwọn Iṣiṣẹ ti o pọju | 400°C (apẹrẹ fun awọn ẹrọ GaN-on-SiC) |
Awọn ohun elo
● Awọn ẹrọ itanna agbara:GaN-on-SiC wafers pese ṣiṣe giga ati itusilẹ ooru, ṣiṣe wọn jẹ apẹrẹ fun awọn ampilifaya agbara, awọn ẹrọ iyipada agbara, ati awọn iyika inverter ti a lo ninu awọn ọkọ ina, awọn eto agbara isọdọtun, ati ẹrọ iṣelọpọ.
● RF Agbara Amplifiers:Apapo GaN ati SiC jẹ pipe fun igbohunsafẹfẹ giga-giga, awọn ohun elo RF agbara-giga gẹgẹbi awọn ibaraẹnisọrọ, awọn ibaraẹnisọrọ satẹlaiti, ati awọn eto radar.
●Ofurufu ati Aabo:Awọn wafer wọnyi dara fun aaye afẹfẹ ati awọn imọ-ẹrọ aabo ti o nilo ẹrọ itanna agbara iṣẹ ṣiṣe giga ati awọn eto ibaraẹnisọrọ ti o le ṣiṣẹ labẹ awọn ipo lile.
● Awọn ohun elo Ọkọ ayọkẹlẹ:Ti o dara julọ fun awọn ọna ṣiṣe agbara-giga ni awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina (EVs), awọn ọkọ ayọkẹlẹ arabara (HEVs), ati awọn ibudo gbigba agbara, ṣiṣe iyipada agbara ati iṣakoso daradara.
●Ologun ati Awọn ọna Reda:GaN-on-SiC wafers ni a lo ni awọn eto radar fun ṣiṣe giga wọn, awọn agbara mimu agbara, ati iṣẹ ṣiṣe igbona ni awọn agbegbe ibeere.
●Makirowefu ati Awọn ohun elo Milimita-Igbi:Fun awọn ọna ṣiṣe ibaraẹnisọrọ iran-tẹle, pẹlu 5G, GaN-on-SiC n pese iṣẹ ṣiṣe ti o dara julọ ni makirowefu agbara-giga ati awọn sakani-igbi-milimita.
Ìbéèrè&A
Q1: Kini awọn anfani ti lilo SiC bi sobusitireti fun GaN?
A1:Silicon Carbide (SiC) nfunni ni adaṣe igbona ti o ga julọ, foliteji didenukole giga, ati agbara ẹrọ ni akawe si awọn sobusitireti ibile bii ohun alumọni. Eyi jẹ ki awọn wafers GaN-on-SiC jẹ apẹrẹ fun agbara-giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ohun elo iwọn otutu giga. Sobusitireti SiC ṣe iranlọwọ lati tu ooru ti ipilẹṣẹ nipasẹ awọn ẹrọ GaN, imudarasi igbẹkẹle ati iṣẹ ṣiṣe.
Q2: Njẹ sisanra Layer epitaxial le jẹ adani fun awọn ohun elo kan pato?
A2:Bẹẹni, sisanra Layer epitaxial le jẹ adani laarin iwọn kan ti1.0µm si 3.5 µm, da lori agbara ati awọn ibeere igbohunsafẹfẹ ti ohun elo rẹ. A le ṣe iwọn sisanra Layer GaN lati mu iṣẹ ṣiṣe pọ si fun awọn ẹrọ kan pato bii awọn ampilifaya agbara, awọn eto RF, tabi awọn iyika igbohunsafẹfẹ giga.
Q3: Kini iyato laarin 4H-N, HPSI, ati 4H/6H-P SiC sobsitireti?
A3:
- 4H-N: Nitrogen-doped 4H-SiC ti wa ni lilo nigbagbogbo fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga ti o nilo iṣẹ itanna to gaju.
- HPSI: Giga-Purity Semi-Insulating SiC pese iyasọtọ itanna, apẹrẹ fun awọn ohun elo ti o nilo adaṣe itanna kekere.
- 4H/6H-P: Apapo ti 4H ati 6H-SiC ti o ṣe iwọntunwọnsi iṣẹ ṣiṣe, ti o funni ni apapọ ti ṣiṣe giga ati agbara, ti o dara fun ọpọlọpọ awọn ohun elo itanna agbara.
Q4: Ṣe awọn wafers GaN-on-SiC wọnyi dara fun awọn ohun elo agbara-giga bi awọn ọkọ ina ati agbara isọdọtun?
A4:Bẹẹni, GaN-on-SiC wafers wa ni ibamu daradara fun awọn ohun elo agbara giga gẹgẹbi awọn ọkọ ina, agbara isọdọtun, ati awọn eto ile-iṣẹ. Foliteji didenukole giga, adaṣe igbona giga, ati awọn agbara mimu agbara ti awọn ẹrọ GaN-on-SiC jẹ ki wọn ṣiṣẹ ni imunadoko ni wiwa iyipada agbara ati awọn iyika iṣakoso.
Q5: Kini iwuwo dislocation aṣoju fun awọn wafer wọnyi?
A5:Idiwọn dislocation ti awọn wafers GaN-on-SiC wọnyi jẹ igbagbogbo<1 x 10^6 cm^-2, eyi ti o ṣe idaniloju idagba epitaxial ti o ga julọ, idinku awọn abawọn ati imudarasi iṣẹ ẹrọ ati igbẹkẹle.
Q6: Ṣe MO le beere iwọn wafer kan pato tabi iru sobusitireti SiC?
A6:Bẹẹni, a nfunni ni awọn iwọn wafer ti adani (100mm ati 150mm) ati awọn iru sobusitireti SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) lati pade awọn iwulo pato ti ohun elo rẹ. Jọwọ kan si wa fun awọn aṣayan isọdi siwaju ati lati jiroro awọn ibeere rẹ.
Q7: Bawo ni awọn wafers GaN-on-SiC ṣe ni awọn agbegbe to gaju?
A7:GaN-on-SiC wafers jẹ apẹrẹ fun awọn agbegbe ti o pọju nitori iduroṣinṣin igbona giga wọn, mimu agbara giga, ati awọn agbara itusilẹ ooru to dara julọ. Awọn wafer wọnyi ṣe daradara ni iwọn otutu giga, agbara-giga, ati awọn ipo igbohunsafẹfẹ giga ti o wọpọ nigbagbogbo ni oju-ofurufu, aabo, ati awọn ohun elo ile-iṣẹ.
Ipari
GaN-on-SiC Epitaxial Wafers ti a ṣe adani darapọ awọn ohun-ini to ti ni ilọsiwaju ti GaN ati SiC lati pese iṣẹ ṣiṣe ti o ga julọ ni agbara giga ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga. Pẹlu awọn aṣayan sobusitireti SiC pupọ ati awọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial isọdi, awọn wafers wọnyi jẹ apẹrẹ fun awọn ile-iṣẹ ti o nilo ṣiṣe giga, iṣakoso igbona, ati igbẹkẹle. Boya fun ẹrọ itanna agbara, awọn eto RF, tabi awọn ohun elo aabo, awọn wafers GaN-on-SiC nfunni ni iṣẹ ati irọrun ti o nilo.
Alaye aworan atọka
