Àwọn ohun èlò ìsopọ̀mọ́ra SiC fún ìrúgbìn Crystal Dia 205/203/208 4H-N fún ìbánisọ̀rọ̀ ojú

Àṣàyàn SiC Irugbin Crystal Substrates Dia 205/203/208 Iru 4H-N fún Ìbánisọ̀rọ̀ Ojú Àwòrán Àfihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ SiC (silicon carbide), gẹ́gẹ́ bí àwọn ohun èlò semiconductor ìran kẹta, ń lo agbára ìdarí ooru gíga wọn (4.9 W/cm·K), agbára pápá ìfọ́pa tí ó ga jùlọ (2–4 MV/cm), àti bandgap fífẹ̀ (3.2 eV) láti ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìpìlẹ̀ fún optoelectronics, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ agbára tuntun, ìbánisọ̀rọ̀ 5G, àti àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́. Nípasẹ̀ àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìṣẹ̀dá tí ó ti lọ síwájú bíi gbigbe afẹ́fẹ́ ti ara (PVT) àti liquid phase epitaxy (LPE), XKH ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ 4H/6H-N-type, semi-insulating, àti 3C-SiC polytype substrates ní àwọn ọ̀nà ìpìlẹ̀ 2–12-inch wafer, pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n micropipe tí ó wà ní ìsàlẹ̀ 0.3 cm⁻², ìdènà láti 20–23 mΩ·cm, àti ìfọ́pa ojú ilẹ̀ (Ra) <0.2 nm. Àwọn iṣẹ́ wa ní ìdàgbàsókè heteroepitaxial (fún àpẹẹrẹ, SiC-on-Si), iṣẹ́ ṣíṣe nanoscale (±0.1 μm ìfaradà), àti ìfijiṣẹ́ kíákíá kárí ayé, èyí tí ó fún àwọn oníbàárà lágbára láti borí àwọn ìdènà ìmọ̀-ẹ̀rọ àti láti mú kí àìdásí erogba àti ìyípadà ọlọ́gbọ́n yára.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Wafer irugbin silikoni carbide
Irú onípele púpọ̀	4H
Àṣìṣe ìtọ́sọ́nà ojú ilẹ̀	4° sí <11-20>±0.5º
Àìfaradà	isọdi-ara-ẹni
Iwọn opin	205±0.5mm
Sisanra	600±50μm
Ríru	CMP,Ra≤0.2nm
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù	≤1 ẹẹta/cm2
Àwọn ìkọ́	≤5, Gígùn Àpapọ̀≤2*Ìwọ̀n Ìwọ̀n
Àwọn èdìdì/àwọn ìtẹ̀gùn	Kò sí
Àmì lésà iwájú	Kò sí
Àwọn ìkọ́	≤2,Gígùn Àpapọ̀≤Ìwọ̀n Ìwọ̀n
Àwọn èdìdì/àwọn ìtẹ̀gùn	Kò sí
Àwọn agbègbè onírúurú	Kò sí
Àmì lésà ẹ̀yìn	1mm (lati eti oke)
Igun eti	Kámúfárì
Àkójọ	Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀

Àwọn Ànímọ́ Pàtàkì

1. Ìṣètò Kírísítà àti Iṣẹ́ Ìmọ́lẹ̀

· Ìdúróṣinṣin kirisitalografiki: 100% 4H-SiC polytype dominance, ò sí àwọn ìfikún multicrystalline (fún àpẹẹrẹ, 6H/15R), pẹ̀lú ìlà XRD rocking rocking full-width ní ààbọ̀-maximum (FWHM) ≤32.7 arcsec.

· Ìrìn-àjò Gíga: Ìrìn-àjò elekitironi ti 5,400 cm²/V·s (4H-SiC) ati ìrìn-àjò ihò ti 380 cm²/V·s, èyí tí ó mú kí àwọn ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga ṣeé ṣe.

· Líle Ìtànṣán: Ó dúró ṣinṣin ìtànṣán neutron 1 MeV pẹ̀lú ààlà ìbàjẹ́ ìyípadà ti 1×10¹⁵ n/cm², ó dára fún àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́ àti àwọn ohun èlò amúlétutù.

2. Àwọn Ohun Èlò Ìgbóná àti Ẹ̀rọ

· Ìgbékalẹ̀ ooru tó yàtọ̀: 4.9 W/cm·K (4H-SiC), ìlọ́po mẹ́ta ti silikoni, tó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ tó ga ju 200°C lọ.

· Ìfàsẹ́yìn ooru kékeré: CTE ti 4.0×10⁻⁶/K (25–1000°C), ó ń rí i dájú pé ó bá àpò tí a fi silicon ṣe mu, ó sì ń dín wahala ooru kù.

3. Iṣakoso Àbùkù àti Ìṣiṣẹ́ Pípéye

· Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù: <0.3 cm⁻² (àwọn wáfárì 8-inch), ìwọ̀n ìyípadà <1,000 cm⁻² (tí a fi KOH ṣe àyẹ̀wò rẹ̀).

· Dídára ojú ilẹ̀: CMP-dán mọ́lẹ̀ sí Ra <0.2 nm, ó sì bá àwọn ohun tí EUV béèrè fún ní ìpele ìpele lithography mu.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

Àgbègbè	Awọn oju iṣẹlẹ Ohun elo	Awọn anfani imọ-ẹrọ
Awọn ibaraẹnisọrọ oju	Àwọn lésà 100G/400G, àwọn módù àdàpọ̀ silicon photonics	Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ irugbin InP ń mú kí bandgap tààrà (1.34 eV) àti heteroepitaxy tí a fi Si ṣe ṣiṣẹ́, èyí tí ó ń dín àdánù ìsopọ̀ optical kù.
Awọn ọkọ ayọkẹlẹ agbara tuntun	Àwọn ẹ̀rọ amúlétutù folti gíga 800V, àwọn ẹ̀rọ amúlétutù inú ọkọ̀ (OBC)	Àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ 4H-SiC dúró ṣinṣin ju 1,200 V lọ, èyí tí ó dín àdánù ìdarí kù ní 50% àti ìwọ̀n ètò náà ní 40%.
Awọn ibaraẹnisọrọ 5G	Àwọn ẹ̀rọ RF oní-millimeter-igbi (PA/LNA), àwọn amplifiers agbára ibùdó ìpìlẹ̀	Àwọn ohun èlò SiC tí ó ní ìdámẹ́rin-ìdènà (resistvivity >10⁵ Ω·cm) ń jẹ́ kí ìṣọ̀kan onígbà púpọ̀ (60 GHz+) ṣeé ṣe.
Ẹrọ Ile-iṣẹ	Àwọn sensọ̀ iwọn otutu gíga, àwọn àyípadà ìsinsìnyí, àwọn àwòjìji àtúnṣe ...	Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ InSb (ìwọ̀n bandgap 0.17 eV) ń fúnni ní ìmọ̀lára oofa tó tó 300%@10 T.

Àwọn Àǹfààní Pàtàkì

Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ SiC (silicon carbide) tí a fi ṣe àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ fún ìṣẹ̀dá ń ṣiṣẹ́ láìláfiwé pẹ̀lú agbára ìdarí ooru 4.9 W/cm·K, agbára pápá ìfọ́ MV/cm 2–4, àti 3.2 eV tí ó fẹ̀, èyí tí ó ń mú kí agbára gíga, ìgbohùngbà gíga, àti ìgbóná gíga ṣeé lò. Pẹ̀lú ìwọ̀n micropipe tí kò ní ìwọ̀n àti ìwọ̀n ìfọ́ 1,000 cm⁻², àwọn ohun èlò wọ̀nyí ń rí i dájú pé wọ́n ṣeé gbẹ́kẹ̀lé ní àwọn ipò tí ó le koko. Àìlera kẹ́míkà wọn àti àwọn ojú tí ó bá CVD mu (Ra <0.2 nm) ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè heteroepitaxial tí ó ti ní ìlọsíwájú (fún àpẹẹrẹ, SiC-on-Si) fún àwọn ètò agbára optoelectronics àti EV.

Awọn iṣẹ XKH:

1. Iṣelọpọ ti a ṣe adani

· Àwọn Ìrísí Wafer Tó Rọrùn: Àwọn Wafer tó tó 2–12-inch pẹ̀lú àwọn gígé tó yípo, onígun mẹ́rin, tàbí tó ní ìrísí àdáni (±0.01 mm adjustment).

· Ìṣàkóso Ìtọ́jú ...

2. Awọn Imọ-ẹrọ Ilana To ti ni ilọsiwajuo

· Heteroepitaxy: SiC-on-Si (tí ó bá àwọn ìlà silikoni 8-inch mu) àti SiC-on-Diamond (ìmúdàgba ooru >2,000 W/m·K).

· Dín Àbùkù kù: Fífi hydrogen síta àti fífún un ní ìdọ̀tí láti dín àbùkù micropipe/density kù, èyí tí yóò mú kí ìwúwo wafer pọ̀ sí >95%.

3. Àwọn Ètò Ìṣàkóso Dídárao

· Ìdánwò láti òpin sí òpin: Raman spectroscopy (ìjẹ́rìísí polytype), XRD (crystallinity), àti SEM (ìṣàyẹ̀wò àbùkù).

· Àwọn Ìwé Ẹ̀rí: Ó bá AEC-Q101 (ọkọ ayọ́kẹ́lẹ́), JEDEC (JEDEC-033), àti MIL-PRF-38534 (ológun).

4. Atilẹyin Pẹpẹ Ipese Kariayeo

· Agbára Ìṣẹ̀dá: Ìṣẹ̀dá oṣooṣù >10,000 wafers (60% 8-inch), pẹ̀lú ìfiránṣẹ́ pajawiri wákàtí 48.

· Nẹ́ẹ̀tìwọ́ọ̀kì Àwọn Ohun Èlò: Iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ní Yúróòpù, Àríwá Amẹ́ríkà, àti Éṣíà-Pàsífíìkì nípasẹ̀ ẹrù afẹ́fẹ́/okun pẹ̀lú àpò ìṣàkóṣo ooru.

5. Ìdàgbàsókè Ìmọ̀-ẹ̀rọo

· Àwọn Ilé Ìwádìí àti Ìdánilẹ́kọ̀ọ́ Àpapọ̀: Ṣe àjọṣepọ̀ lórí ìṣàtúnṣe ìṣàfilọ́lẹ̀ agbára SiC (fún àpẹẹrẹ, ìṣọ̀kan substrate DBC).

· Àṣẹ IP: Pèsè ìwé-àṣẹ ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdàgbàsókè GaN-on-SiC RF láti dín iye owó ìwádìí àti ìdàgbàsókè oníbàárà kù.

Àkótán

Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ SiC (silicon carbide) irúgbìn, gẹ́gẹ́ bí ohun èlò pàtàkì, ń ṣe àtúnṣe àwọn ẹ̀wọ̀n ilé-iṣẹ́ kárí ayé nípasẹ̀ àwọn ìdàgbàsókè nínú ìdàgbàsókè kristali, ìṣàkóso àbùkù, àti ìṣọ̀kan onírúurú. Nípa ṣíṣe àtúnṣe sí ìdínkù àbùkù wafer nígbà gbogbo, fífẹ̀ iṣẹ́jade 8-inch, àti fífẹ̀sí àwọn ìpìlẹ̀ heteroepitaxial (fún àpẹẹrẹ, SiC-on-Diamond), XKH ń pèsè àwọn ojútùú tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé, tó sì wúlò fún optoelectronics, agbára tuntun, àti iṣẹ́ ẹ̀rọ tó ti ní ìlọsíwájú. Ìdúróṣinṣin wa sí ìṣẹ̀dá tuntun ń jẹ́ kí àwọn oníbàárà ṣe aṣáájú nínú àìsí èròjà carbon àti àwọn ètò ọlọ́gbọ́n, èyí sì ń darí àkókò tó ń bọ̀ ti àwọn ètò semiconductor onípele-bandgap.