GaAs gallium arsenide wafer power-power epitaxial wafer substrate gallium arsenide wafer power laser wavelength 905nm fún ìtọ́jú lésà

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ìwé epitaxial laser GaAs tọ́ka sí ohun èlò fíìmù tín-ín-rín kristali kan ṣoṣo tí a ṣe nípasẹ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdàgbàsókè epitaxial lórí substrate gallium arsenide (GaAs), èyí tí a ń lò láti ṣe àwọn ẹ̀rọ optoelectronic bíi lasers.
Àwọn ẹ̀rọ laser agbára GaAs 905 àti àwọn ẹ̀rọ epitaxy agbára gíga GaAs jẹ́ àwọn ẹ̀rọ laser tí a gbé ka orí àwọn ohun èlò gallium arsenide (GaAs) wọ́n sì ń lò wọ́n ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ibi. A sábà máa ń lo ẹ̀rọ epitaxial MOCVD nínú diode laser agbára gíga. A máa ń lo kànga quantum InGaAs gẹ́gẹ́ bí ìpele tí ń ṣiṣẹ́. A máa ń ṣe àyẹ̀wò ẹ̀rọ epitaxial wafer nípasẹ̀ PL, XRD, ECV àti àwọn ọ̀nà ìdánwò mìíràn. A máa ń lo ẹ̀rọ laser agbára GaAs 905 àti ẹ̀rọ epitaxy agbára gíga GaAs nínú ìwádìí ìṣègùn, ilé iṣẹ́, ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì àti àwọn ibi mìíràn nítorí pé wọ́n ń ṣiṣẹ́ dáadáa, agbára gíga àti iṣẹ́ ooru tó dára, wọ́n sì ní ìníyelórí ọjà àti agbára ìmọ̀ ẹ̀rọ pàtàkì.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn ẹya pataki ti iwe epitaxial laser GaAs pẹlu:

1. Ìṣíkiri elekitironi giga: Gallium arsenide ní ìṣíkiri elekitironi giga, èyí tí ó mú kí àwọn wafers epitaxial laser GaAs ní àwọn ohun èlò tó dára nínú àwọn ẹ̀rọ ìgbóná gíga àti àwọn ẹ̀rọ itanna oníyára gíga.
2. Ìmọ́lẹ̀ ìyípadà bandgap tààrà: Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò bandgap tààrà, gallium arsenide lè yí agbára iná mànàmáná padà sí agbára ìmọ́lẹ̀ nínú àwọn ẹ̀rọ optoelectronic, èyí tí ó mú kí ó dára fún ṣíṣe àwọn lésà.
3.Ìgùn Ìgbì: Àwọn lésà GaAs 905 sábà máa ń ṣiṣẹ́ ní 905 nm, èyí tó mú kí wọ́n dára fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìlò, títí kan oògùn oníṣẹ́-abẹ.
4. Iṣẹ́ tó ga jùlọ: pẹ̀lú ìyípadà fọ́tò-ina gíga, ó lè yí agbára iná mànàmáná padà sí ìṣẹ̀dá lésà ní ọ̀nà tó dára.
5. Agbara giga: O le ṣe aṣeyọri agbara giga ati pe o dara fun awọn ipo ohun elo ti o nilo orisun ina to lagbara.
6. Iṣẹ́ ooru tó dára: Ohun èlò GaAs ní agbára ìgbóná tó dára, ó ń ran lọ́wọ́ láti dín ìwọ̀n otútù iṣẹ́ ti lésà kù àti láti mú ìdúróṣinṣin sunwọ̀n sí i.
7. Agbára ìyípadà tó gbòòrò: A lè ṣe àtúnṣe agbára ìjáde nípa yíyí agbára ìwakọ̀ padà láti bá àwọn ohun èlò tó yàtọ̀ síra mu.

Àwọn lílo pàtàkì ti àwọn tábìlẹ́ẹ̀tì epitaxial laser GaAs ni:

1. Ìbánisọ̀rọ̀ okùn okùn: A lè lo ìwé epitaxial lesa GaAs láti ṣe àwọn lesa nínú ìbánisọ̀rọ̀ okùn okùn láti ṣe àṣeyọrí ìgbéjáde àmì okùn okùn tó yára àti tó jìnnà réré.

2. Àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́: Nínú iṣẹ́-ajé, a lè lo àwọn ìwé epitaxial laser GaAs fún àwọn ohun èlò laser, àmì laser àti àwọn ohun èlò míràn.

3. VCSEL: Lésà tí ń tú àwọ̀ ojú inaro (VCSEL) jẹ́ pápá ìlò pàtàkì ti ìwé epitaxial laser GaAs, èyí tí a ń lò fún ìbánisọ̀rọ̀ opitika, ibi ìpamọ́ opitika àti ìṣàfihàn opitika.

4. Infrared àti spot field: A tún le lo ìwé epitaxial laser GaAs láti ṣe àwọn infrared lasers, spot generators àti àwọn ẹ̀rọ mìíràn, èyí tí ó ń kó ipa pàtàkì nínú ìwádìí infrared, ìfihàn ìmọ́lẹ̀ àti àwọn pápá mìíràn.

Ìpèsè ìwé epitaxial laser GaAs da lórí ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdàgbàsókè epitaxial, títí kan ibi ìpamọ́ èéfín kemikali irin-organic (MOCVD), molecular beam epitaxial (MBE) àti àwọn ọ̀nà míràn. Àwọn ọ̀nà wọ̀nyí lè ṣàkóso sisanra, ìṣọ̀kan àti ìṣètò kristali ti epitaxial layer láti gba àwọn ìwé epitaxial laser GaAs tó ga jùlọ.

XKH n pese awọn aṣa ti awọn iwe epitaxial GaAs ni awọn ẹya ati awọn sisanra oriṣiriṣi, ti o bo ọpọlọpọ awọn ohun elo ninu awọn ibaraẹnisọrọ opitika, VCSEL, awọn aaye infurarẹẹdi ati awọn aaye ina. Awọn ọja XKH ni a ṣe pẹlu awọn ohun elo MOCVD ti o ni ilọsiwaju lati rii daju pe iṣẹ ṣiṣe giga ati igbẹkẹle. Ni awọn ofin ti awọn iṣẹ akanṣe, XKH ni ọpọlọpọ awọn ikanni orisun kariaye, eyiti o le ṣakoso nọmba awọn aṣẹ ni irọrun, ati pese awọn iṣẹ afikun-iye bi isọdọtun ati pinpin. Awọn ilana ifijiṣẹ ti o munadoko rii daju ifijiṣẹ ni akoko ati pade awọn ibeere alabara fun didara ati awọn akoko ifijiṣẹ. Awọn alabara le gba atilẹyin imọ-ẹrọ pipe ati iṣẹ lẹhin tita lẹhin dide lati rii daju pe a lo ọja naa laisiyonu.