Wafer epitaxial laser GaAs 4 inch 6 inch VCSEL inaro ihò ìtújáde ojú ilẹ̀ laser 940nm ìsopọ̀ kan ṣoṣo
Awọn abuda akọkọ ti iwe epitaxial laser GaAs pẹlu
1. Ìṣètò ìsopọ̀ kan ṣoṣo: A sábà máa ń ṣe lésà yìí láti inú kànga kuantum kan ṣoṣo, èyí tí ó lè pèsè ìtújáde ìmọ́lẹ̀ tí ó gbéṣẹ́.
2. Gígùn Ìgbì: Ìgbì ìgbì 940 nm mú kí ó wà ní ìpele ìrísí infrared, tí ó yẹ fún onírúurú ohun èlò.
3. Iṣẹ́ tó ga jùlọ: Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn irú léṣà mìíràn, VCSEL ní agbára ìyípadà elekitiro-ojú gíga.
4. Ìwọ̀n tó wúwo: Àpò VCSEL kéré gan-an, ó sì rọrùn láti so pọ̀.
5. Ìwọ̀n ìpele kékeré àti iṣẹ́ tó ga: Àwọn lésà heterostructure tí wọ́n sin fi ìwọ̀n ìpele lasing tó kéré gan-an hàn (fún àpẹẹrẹ 4mA/cm²) àti iṣẹ́ quantum differential external efficiency tó ga (fún àpẹẹrẹ 36%), pẹ̀lú agbára ìjáde linear tó ju 15mW lọ.
6. Iduroṣinṣin ipo itọsọna igbi: Lesa heterostructure ti a sin ni anfani ti iduroṣinṣin ipo itọsọna igbi nitori ẹrọ itọsọna igbi ti o ni itọka refractive ati iwọn ila ti nṣiṣe lọwọ (nipa 2μm).
7. Ìyípadà photoelectric tó dára jùlọ: Nípa ṣíṣe àtúnṣe sí ìlànà ìdàgbàsókè epitaxial, a lè rí i pé a ṣe àtúnṣe quantum inú tó ga àti pé a lè ṣe àtúnṣe photoelectric láti dín ìpàdánù inú kù.
8. Igbẹkẹle giga ati igbesi aye: imọ-ẹrọ idagbasoke epitaxial ti o ga julọ le pese awọn iwe epitaxial pẹlu irisi dada ti o dara ati iwuwo abawọn kekere, imudarasi igbẹkẹle ọja ati igbesi aye.
9. Ó yẹ fún onírúurú ohun èlò: Ìwé epitaxial diode laser tí ó dá lórí GAAS ni a lò fún ìbánisọ̀rọ̀ optical fiber, àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́, infrared àti photodetectors àti àwọn pápá mìíràn.
Awọn ọna lilo akọkọ ti iwe epitaxial laser GaAs pẹlu
1. Ìbánisọ̀rọ̀ ojú àti ìbánisọ̀rọ̀ dátà: Àwọn wafers epitaxial GaAs ni a lò ní gbogbogbòò nínú iṣẹ́ ìbánisọ̀rọ̀ ojú, pàápàá jùlọ nínú àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ ojú oníyára gíga, fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ optoelectronic bíi lésà àti àwọn ohun tí ń ṣe àwárí.
2. Àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́: Àwọn ìwé epitaxial laser GaAs tún ní àwọn lílò pàtàkì nínú àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́, bíi ṣíṣe laser, wíwọ̀n àti ìmòye.
3. Ẹ̀rọ itanna onibara: Nínú ẹ̀rọ itanna onibara, a lo àwọn wafers epitaxial GaAs láti ṣe VCsels (àwọn laser tí ń tú jáde lórí ihò inaro), èyí tí a ń lò fún àwọn fóònù alágbèéká àti àwọn ẹ̀rọ itanna onibara mìíràn.
4. Àwọn ohun èlò Rf: Àwọn ohun èlò GaAs ní àwọn àǹfààní pàtàkì nínú pápá RF, a sì ń lò wọ́n láti ṣe àwọn ẹ̀rọ RF tó ní agbára gíga.
5. Awọn lesa Quantum dot: Awọn lesa quantum dot ti o da lori GAAS ni a lo ni gbogbogbo ni awọn aaye ibaraẹnisọrọ, iṣoogun ati ologun, paapaa ninu ẹgbẹ ibaraẹnisọrọ opitika 1.31µm.
6. Pasifi Q Yipada: A nlo absorber GaAs fun awọn lesa ipo solid ti a fi diode pumped pẹlu pasifi Q yipada, eyiti o dara fun micro-machining, ranging ati micro-surgery.
Àwọn ohun èlò wọ̀nyí fi agbára àwọn wafers epitaxial laser GaAs hàn nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga.
XKH n pese awọn wafers epitaxial GaAs pẹlu awọn eto ati sisanra oriṣiriṣi ti a ṣe deede si awọn ibeere alabara, ti o bo ọpọlọpọ awọn ohun elo bii VCSEL/HCSEL, WLAN, awọn ibudo ipilẹ 4G/5G, ati bẹbẹ lọ. Awọn ọja XKH ni a ṣe ni lilo awọn ohun elo MOCVD ti o ni ilọsiwaju lati rii daju pe iṣẹ giga ati igbẹkẹle ga. Ni awọn ofin ti awọn iṣẹ akanṣe, a ni ọpọlọpọ awọn ikanni orisun kariaye, a le ṣakoso nọmba awọn aṣẹ ni irọrun, ati pese awọn iṣẹ afikun-iye bi tinrin, pipin, ati bẹbẹ lọ. Awọn ilana ifijiṣẹ ti o munadoko rii daju pe ifijiṣẹ ni akoko ati pade awọn ibeere alabara fun didara ati awọn akoko ifijiṣẹ. Lẹhin dide, awọn alabara le gba atilẹyin imọ-ẹrọ pipe ati iṣẹ lẹhin-tita lati rii daju pe a lo ọja naa laisiyonu.
Àwòrán Àlàyé




