Gallium Nitride lori ohun alumọni wafer 4inch 6inch Ti a Tii Si Iṣalaye Sobusitireti, Resistivity, ati Awọn aṣayan N-Iru/P

Gallium Nitride lori Silicon wafer 4inch 6inch Tailored Si Iṣalaye sobusitireti, Resistivity, ati N-Iru/P-Iru Awọn aṣayan Afihan Aworan

Apejuwe kukuru:

Gallium Nitride ti a ṣe adani lori Silicon (GaN-on-Si) Wafers jẹ apẹrẹ lati pade awọn ibeere ti npo si ti awọn ohun elo itanna igbohunsafẹfẹ giga ati agbara giga. Wa ni mejeeji 4-inch ati 6-inch wafer titobi, awọn wafer wọnyi nfunni awọn aṣayan isọdi fun Iṣalaye sobusitireti Si, resistivity, ati doping type (N-type/P-type) lati baamu awọn iwulo ohun elo kan pato. Imọ-ẹrọ GaN-on-Si darapọ awọn anfani ti gallium nitride (GaN) pẹlu sobusitireti ohun alumọni iye owo kekere (Si), ṣiṣe iṣakoso igbona to dara julọ, ṣiṣe ti o ga julọ, ati awọn iyara yiyi yiyara. Pẹlu bandgap jakejado wọn ati resistance itanna kekere, awọn wafer wọnyi jẹ apẹrẹ fun iyipada agbara, awọn ohun elo RF, ati awọn ọna gbigbe data iyara to gaju.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

Awọn ẹya ara ẹrọ

●Alapapọ jakejado:GaN (3.4 eV) n pese ilọsiwaju pataki ni igbohunsafẹfẹ giga-giga, agbara-giga, ati iṣẹ iwọn otutu ti a fiwe si ohun alumọni ibile, ti o jẹ ki o jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ agbara ati awọn amplifiers RF.
● Iṣalaye sobusitireti ti o jẹ asefara:Yan lati oriṣiriṣi awọn itọnisọna sobusitireti Si gẹgẹbi <111>, <100>, ati awọn miiran lati baamu awọn ibeere ẹrọ kan pato.
●Aṣarapada:Yan laarin o yatọ si awọn aṣayan resistivity fun Si, lati ologbele-idabobo si ga-resistivity ati kekere-resistivity lati je ki ẹrọ iṣẹ.
●Irú Doping:Wa ni N-type tabi P-type doping lati baramu awọn ibeere ti awọn ẹrọ agbara, RF transistors, tabi LEDs.
● Foliteji Ipinnu giga:Awọn wafers GaN-on-Si ni foliteji didenukole giga (to 1200V), gbigba wọn laaye lati mu awọn ohun elo foliteji giga.
●Yára Yipada:GaN ni arinbo elekitironi ti o ga ati awọn adanu iyipada kekere ju ohun alumọni, ṣiṣe awọn wafers GaN-on-Si apẹrẹ fun awọn iyika iyara giga.
●Imudara Iṣe Ooru:Laibikita iṣesi igbona kekere ti ohun alumọni, GaN-on-Si tun nfunni ni iduroṣinṣin igbona giga, pẹlu itusilẹ ooru to dara julọ ju awọn ohun elo ohun alumọni ibile lọ.

Imọ ni pato

Paramita	Iye
Iwon Wafer	4-inch, 6-inch
Si sobusitireti Iṣalaye	<111>, <100>, aṣa
Si Resistivity	Resistivity giga, Ologbele-idabobo, Low-resistivity
Doping Iru	N-iru, P-iru
GaN Layer Sisanra	100nm – 5000nm (ṣe asefara)
AlGaN Idankan duro Layer	24% - 28% Al (aṣoju 10-20 nm)
Foliteji didenukole	600V - 1200V
Electron Mobility	2000 cm²/V·s
Yipada Igbohunsafẹfẹ	Titi di 18 GHz
Wafer dada Roughness	RMS ~0.25 nm (AFM)
GaN dì Resistance	437.9 Ω·cm²
Lapapọ wafer Warp	<25µm (o pọju)
Gbona Conductivity	1.3 – 2.1 W / cm · K

Awọn ohun elo

Agbara Electronics: GaN-on-Si jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ itanna agbara gẹgẹbi awọn ampilifaya agbara, awọn oluyipada, ati awọn inverters ti a lo ninu awọn eto agbara isọdọtun, awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina (EVs), ati awọn ohun elo ile-iṣẹ. Foliteji didenukole giga rẹ ati kekere on-resistance rii daju iyipada agbara daradara, paapaa ni awọn ohun elo agbara-giga.

RF ati Awọn ibaraẹnisọrọ Makirowefu: GaN-on-Si wafers nfunni ni awọn agbara-igbohunsafẹfẹ giga, ṣiṣe wọn ni pipe fun awọn ampilifaya agbara RF, awọn ibaraẹnisọrọ satẹlaiti, awọn eto radar, ati awọn imọ-ẹrọ 5G. Pẹlu awọn iyara iyipada ti o ga ati agbara lati ṣiṣẹ ni awọn igbohunsafẹfẹ giga (to18 GHz), Awọn ẹrọ GaN nfunni ni iṣẹ ṣiṣe ti o ga julọ ninu awọn ohun elo wọnyi.

Oko Electronics: GaN-on-Si ni a lo ninu awọn ọna ṣiṣe agbara adaṣe, pẹluawọn ṣaja lori ọkọ (OBCs)atiDC-DC converters. Agbara rẹ lati ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu ti o ga julọ ati ki o koju awọn ipele foliteji ti o ga julọ jẹ ki o dara fun awọn ohun elo ọkọ ina ti o beere iyipada agbara to lagbara.

LED ati Optoelectronics: GaN ni awọn ohun elo ti o fẹ fun bulu ati funfun LED. GaN-on-Si wafers ni a lo lati ṣe agbejade awọn eto ina LED ti o ga julọ, pese iṣẹ ṣiṣe ti o dara julọ ni ina, awọn imọ-ẹrọ ifihan, ati awọn ibaraẹnisọrọ opiti.

Ìbéèrè&A

Q1: Kini anfani ti GaN lori ohun alumọni ni awọn ẹrọ itanna?

A1:GaN ni aògìdìgbó ńlá (3.4 eV)ju ohun alumọni (1.1 eV), eyiti o fun laaye laaye lati koju awọn foliteji giga ati awọn iwọn otutu. Ohun-ini yii jẹ ki GaN mu awọn ohun elo agbara-giga daradara siwaju sii, idinku pipadanu agbara ati jijẹ iṣẹ ṣiṣe eto. GaN tun nfunni ni awọn iyara yiyi yiyara, eyiti o ṣe pataki fun awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga gẹgẹbi awọn amplifiers RF ati awọn oluyipada agbara.

Q2: Ṣe MO le ṣe akanṣe iṣalaye sobusitireti Si fun ohun elo mi?

A2:Bẹẹni, a nṣeasefara Si sobusitireti orientationsbi eleyi<111>, <100>, ati awọn itọnisọna miiran ti o da lori awọn ibeere ẹrọ rẹ. Iṣalaye ti sobusitireti Si ṣe ipa bọtini ninu iṣẹ ẹrọ, pẹlu awọn abuda itanna, ihuwasi igbona, ati iduroṣinṣin ẹrọ.

Q3: Kini awọn anfani ti lilo GaN-on-Si wafers fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga?

A3:GaN-on-Si wafers nse superiorawọn iyara yipada, Muu ṣiṣẹ yiyara ni awọn igbohunsafẹfẹ giga ti akawe si ohun alumọni. Eleyi mu ki wọn apẹrẹ funRFatimakirowefuohun elo, bi daradara bi ga-igbohunsafẹfẹawọn ẹrọ agbarabi eleyiHEMTs(High Electron Mobility Transistors) atiRF amplifiers. Arinrin elekitironi giga ti GaN tun ṣe abajade ni awọn adanu iyipada kekere ati imudara ilọsiwaju.

Q4: Awọn aṣayan doping wo wa fun awọn wafers GaN-on-Si?

A4:A nfun mejeejiN-iruatiP-iruawọn aṣayan doping, eyiti a lo nigbagbogbo fun awọn oriṣiriṣi awọn ẹrọ semikondokito.N-iru dopingjẹ apẹrẹ funtransistors agbaraatiRF amplifiers, nigba tiP-Iru dopingti wa ni igba ti a lo fun optoelectronic awọn ẹrọ bi LED.

Ipari

Gallium Nitride ti a ṣe adani lori Silicon (GaN-on-Si) Wafers pese ojutu ti o dara julọ fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga, agbara giga, ati awọn ohun elo otutu. Pẹlu awọn iṣalaye sobusitireti Si isọdi, resistivity, ati N-type/P-type doping, awọn wafers wọnyi ni a ṣe deede lati pade awọn iwulo pato ti awọn ile-iṣẹ ti o wa lati ẹrọ itanna agbara ati awọn eto adaṣe si ibaraẹnisọrọ RF ati awọn imọ-ẹrọ LED. Lilo awọn ohun-ini giga ti GaN ati iwọn ti ohun alumọni, awọn wafers wọnyi nfunni ni imudara iṣẹ ṣiṣe, ṣiṣe, ati ẹri-ọjọ iwaju fun awọn ẹrọ iran atẹle.