Ìwọ̀n ìṣẹ́pọ̀ HPSI SiC:3inṣi nípọn:350um± 25 µm fún Ẹ̀rọ Agbára

Àpèjúwe Kúkúrú:

A ṣe àgbékalẹ̀ wafer HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC pẹ̀lú ìwọ̀n ínṣì mẹ́ta àti sísanra 350 µm ± 25 µm pàtó fún àwọn ohun èlò itanna agbára tí ó nílò àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ gíga. Wafer SiC yìí ní agbára ìṣiṣẹ́ ooru tí ó ga jùlọ, folti ìfọ́síwájú gíga, àti ìṣiṣẹ́ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga, èyí tí ó mú kí ó jẹ́ àṣàyàn tí ó dára jùlọ fún ìbéèrè tí ń pọ̀ sí i fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára tí ó munadoko àti tí ó lágbára. Àwọn wafer SiC dára ní pàtàkì fún àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ gíga, agbára ìṣiṣẹ́ gíga, àti agbára ìṣiṣẹ́ gíga, níbi tí àwọn ohun èlò silicon ìbílẹ̀ kò bá àwọn ìbéèrè iṣẹ́ mu.
Wafer HPSI SiC wa, tí a ṣe nípa lílo àwọn ọ̀nà tuntun tí ó gbajúmọ̀ jùlọ ní ilé iṣẹ́, wà ní onírúurú ìpele, tí a ṣe láti bá àwọn ohun èlò ìṣelọ́pọ́ pàtó mu. Wafer náà ní ìdúróṣinṣin ìṣètò, àwọn ohun ìní iná mànàmáná, àti dídára ojú ilẹ̀, ó ń rí i dájú pé ó lè ṣe iṣẹ́ tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínú àwọn ohun èlò tí ó gbajúmọ̀, títí bí àwọn semiconductors agbára, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EV), àwọn ètò agbára tí a lè yípadà, àti ìyípadà agbára ilé iṣẹ́.


Àwọn ẹ̀yà ara

Ohun elo

A lo awọn wafers HPSI SiC ninu ọpọlọpọ awọn ohun elo itanna agbara, pẹlu:

Àwọn Semiconductor Agbára:Àwọn wafer SiC ni a sábà máa ń lò nínú ṣíṣe àwọn diode power, transistors (MOSFETs, IGBTs), àti thyristors. Àwọn semiconductors wọ̀nyí ni a ń lò ní gbogbogbòò nínú àwọn ohun èlò ìyípadà agbára tí ó nílò ìṣiṣẹ́ gíga àti ìgbẹ́kẹ̀lé, bí irú èyí nínú àwọn awakọ̀ mọ́tò ilé-iṣẹ́, àwọn ohun èlò agbára, àti àwọn inverters fún àwọn ètò agbára tí a lè sọ di tuntun.
Àwọn Ọkọ̀ Ayọ́kẹ́lẹ́ Mọ̀nàmọ́ná (EVs):Nínú àwọn ẹ̀rọ agbára ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, àwọn ẹ̀rọ agbára tí ó dá lórí SiC ń pese iyàrá ìyípadà kíákíá, agbára tí ó ga jùlọ, àti ìdínkù ìpàdánù ooru. Àwọn ẹ̀rọ SiC dára fún àwọn ohun èlò nínú àwọn ètò ìṣàkóso bátírì (BMS), àwọn ẹ̀rọ agbára gbígbà, àti àwọn chargers lórí ọkọ̀ (OBCs), níbi tí dídín ìwọ̀n kù àti mímú kí agbára ṣiṣẹ́ dáadáa ṣe pàtàkì.

Àwọn Ètò Agbára Tí Ó Ṣeé Ṣe:A n lo awọn wafer SiC diẹ sii ninu awọn inverters oorun, awọn ẹrọ ina afẹfẹ, ati awọn eto ipamọ agbara, nibiti ṣiṣe ati agbara giga ṣe pataki. Awọn paati ti o da lori SiC mu ki iwuwo agbara giga ati iṣẹ ṣiṣe ti o pọ si ni awọn ohun elo wọnyi, ti o mu ṣiṣe iyipada agbara gbogbogbo dara si.

Awọn ẹrọ itanna agbara ile-iṣẹ:Nínú àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́ tó ní agbára gíga, bíi àwọn awakọ̀ mọ́tò, àwọn ẹ̀rọ roboti, àti àwọn ohun èlò agbára ńlá, lílo àwọn wafers SiC ń jẹ́ kí iṣẹ́ wọn sunwọ̀n síi ní ti ìṣiṣẹ́, ìgbẹ́kẹ̀lé, àti ìṣàkóso ooru. Àwọn ẹ̀rọ SiC lè kojú àwọn ìyípadà gíga àti àwọn iwọ̀n otútù gíga, èyí tó mú kí wọ́n dára fún àwọn àyíká tó ń béèrè fún agbára.

Awọn Ile-iṣẹ Ibaraẹnisọrọ ati Data:A nlo SiC ninu awọn ipese agbara fun awọn ohun elo ibaraẹnisọrọ ati awọn ile-iṣẹ data, nibiti igbẹkẹle giga ati iyipada agbara to munadoko ṣe pataki. Awọn ẹrọ agbara ti o da lori SiC mu ki ṣiṣe ṣiṣe ti o ga julọ ni awọn iwọn kekere, eyiti o tumọ si idinku agbara lilo ati ṣiṣe itutu ti o dara julọ ni awọn amayederun nla.

Fóltéèjì tí ó bàjẹ́, agbára ìdènà tí ó kéré, àti agbára ìgbóná tí ó dára jùlọ ti àwọn wafer SiC jẹ́ kí wọ́n jẹ́ ohun èlò tí ó dára jùlọ fún àwọn ohun èlò ìlọsíwájú wọ̀nyí, èyí tí ó mú kí ó ṣeé ṣe fún ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ itanna agbára tí ó ń lo agbára láti ìran tí ń bọ̀.

Àwọn dúkìá

Ohun ìní

Iye

Iwọn opin Wafer 3 ínṣì (76.2 mm)
Sisanra Wafer 350 µm ± 25 µm
Ìtọ́sọ́nà Wafer <0001> lórí ààyè ± 0.5°
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD) ≤ 1 cm⁻²
Agbara Itanna ≥ 1E7 Ω·cm
Dopant Tí a kò mu oògùn
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ {11-20} ± 5.0°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ 32.5 mm ± 3.0 mm
Gígùn Pẹpẹ Keji 18.0 mm ± 2.0 mm
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle Si oju soke: 90° CW lati ile alapin akọkọ ± 5.0°
Ìyọkúrò Etí 3 mm
LTV/TTV/Tọfà/Wọpa 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm
Ríru ojú Ojú C: A ti dán, Ojú Si: CMP
Àwọn ìfọ́ (tí a fi ìmọ́lẹ̀ líle gíga ṣe àyẹ̀wò rẹ̀) Kò sí
Àwọn Àwo Hex (tí a fi ìmọ́lẹ̀ líle gíga ṣe àyẹ̀wò rẹ̀) Kò sí
Àwọn Agbègbè Onírúurú (tí a ṣe àyẹ̀wò rẹ̀ pẹ̀lú ìmọ́lẹ̀ gíga) Agbegbe apapọ 5%
Àwọn ìkọ́ (tí a fi ìmọ́lẹ̀ líle gíga ṣe àyẹ̀wò rẹ̀) ≤ Àwọn ìfọ́ 5, gígùn àpapọ̀ ≤ 150 mm
Ige eti Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ 0.5 mm fífẹ̀ àti jíjìn
Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ (tí ìmọ́lẹ̀ tó lágbára máa ń yẹ̀ wò) Kò sí

Àwọn Àǹfààní Pàtàkì

Agbara Iwakọ Ooru Giga:Àwọn wafer SiC ni a mọ̀ fún agbára àrà ọ̀tọ̀ wọn láti tú ooru jáde, èyí tí ó fún àwọn ẹ̀rọ agbára láàyè láti ṣiṣẹ́ ní agbára gíga àti láti kojú àwọn ìṣàn omi gíga láìsí ìgbóná jù. Ẹ̀yà ara yìí ṣe pàtàkì nínú ẹ̀rọ itanna agbára níbi tí ìṣàkóso ooru jẹ́ ìpèníjà pàtàkì.
Fólíìjì Ìfọ́lẹ̀ Gíga:Ìwọ̀n ìpele tí ó gbòòrò ti SiC ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ lè fara da àwọn ìpele ìfókòó gíga, èyí tí ó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò ìfókòó gíga bíi àwọn ẹ̀rọ agbára, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àti àwọn ẹ̀rọ ilé iṣẹ́.
Ṣiṣe giga:Àpapọ̀ àwọn ìgbà tí a lè yí padà gíga àti ìdènà tí kò lágbára ń dínkù ń yọrí sí àwọn ẹ̀rọ tí agbára wọn kò pọ̀, èyí tí ó ń mú kí agbára yíyípadà padà dára síi, tí ó sì ń dín àìní fún àwọn ètò ìtútù tí ó díjú kù.
Igbẹkẹle ninu Awọn Ayika Ti o nira:SiC le ṣiṣẹ ni iwọn otutu giga (to 600°C), eyi ti o jẹ ki o dara fun lilo ni awọn agbegbe ti yoo ba awọn ẹrọ ti o da lori silikoni ibile jẹ.
Ifowopamọ Agbara:Àwọn ẹ̀rọ agbára SiC ń mú kí agbára ìyípadà agbára sunwọ̀n síi, èyí tí ó ṣe pàtàkì ní dídín agbára kù, pàápàá jùlọ nínú àwọn ètò ńlá bíi àwọn ẹ̀rọ amúlétutù agbára ilé-iṣẹ́, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àti àwọn ètò agbára tí a lè sọ di tuntun.

Àwòrán Àlàyé

Wafer HPSI SIC 3IN 04
Wàfárì HPSI SIC 3 INCH 10
Wàfárì HPSI SIC 3INCH 08
Wafer HPSI SIC 3IN 09

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Kọ ifiranṣẹ rẹ si ibi ki o fi ranṣẹ si wa