Àwọn wafer Indium Antimonide (InSb) irú N irú P Epi tí a ti ṣetán tí a kò tíì ṣe Te doped tàbí Ge doped 2inch 3inch 4inch nípọn Indium Antimonide (InSb)
Àwọn ẹ̀yà ara
Awọn aṣayan Doping:
1. Tí a kò tíì mu:Àwọn wafer wọ̀nyí kò ní oògùn doping kankan, èyí tó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò pàtàkì bíi ìdàgbàsókè epitaxial.
2.Te Doped (N-Iru):A sábà máa ń lo Tellurium (Te) doping láti ṣẹ̀dá àwọn wafers irú N, èyí tí ó dára fún àwọn ohun èlò bíi infrared detectors àti àwọn ẹ̀rọ itanna oníyára gíga.
3.Ge Doped (Iru-P):A lo oògùn Germanium (Ge) láti ṣẹ̀dá àwọn wafers irú P, èyí tí ó ń fúnni ní ìṣíkiri ihò gíga fún àwọn ohun èlò semiconductor tó ti ní ìlọsíwájú.
Àwọn Àṣàyàn Ìwọ̀n:
1. Ó wà ní ìwọ̀n ìbú 2-inch, 3-inch, àti 4-inch. Àwọn wafer wọ̀nyí ń bójútó àwọn àìní ìmọ̀-ẹ̀rọ onírúurú, láti ìwádìí àti ìdàgbàsókè sí iṣẹ́-ọnà ńlá.
2. Ìfaradà ìwọ̀n ìlà-oòrùn tí ó péye ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin láàárín àwọn ìṣùpọ̀, pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n ìlà-oòrùn ti 50.8±0.3mm (fún àwọn ìṣùpọ̀ oníwọ̀n méjì) àti 76.2±0.3mm (fún àwọn ìṣùpọ̀ oníwọ̀n mẹ́ta).
Iṣakoso Sisanra:
1. Àwọn wafers wà pẹ̀lú sisanra ti 500±5μm fún iṣẹ́ tó dára jùlọ ní onírúurú ohun èlò.
2. A fi ìṣọ́ra ṣàkóso àwọn ìwọ̀n afikún bíi TTV (Àyípadà Ìwọ̀n Àpapọ̀), BOW, àti Warp láti rí i dájú pé wọ́n ní ìṣọ̀kan àti dídára.
Dídára ojú ilẹ̀:
1. Àwọn wafer náà wá pẹ̀lú ojú tí a fi dídán/etched ṣe fún ìṣiṣẹ́ opitika àti iná mànàmáná tí ó dára síi.
2. Àwọn ojú ilẹ̀ wọ̀nyí dára fún ìdàgbàsókè epitaxial, wọ́n sì ń fúnni ní ìpìlẹ̀ dídán fún ìṣiṣẹ́ síwájú sí i nínú àwọn ẹ̀rọ tí ó ní iṣẹ́ gíga.
Epi-Ready:
1. Àwọn wafer InSb ti ṣetán láti fi epi-ṣe, èyí túmọ̀ sí wípé wọ́n ti ṣe ìtọ́jú tẹ́lẹ̀ fún àwọn ìlànà ìfipamọ́ epitaxial. Èyí mú kí wọ́n dára fún lílò nínú iṣẹ́-ṣíṣe semiconductor níbi tí a ti nílò láti gbin àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial sí orí wafer náà.
Àwọn ohun èlò ìlò
1. Àwọn Olùṣàwárí Infrared:A sábà máa ń lo àwọn wafer InSb nínú wíwá infrared (IR), pàápàá jùlọ ní ìwọ̀n infrared-wavelength mid-wavelength (MWIR). Àwọn wafer wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún ìran alẹ́, àwòrán ooru, àti àwọn ohun èlò ìṣàfihàn infrared.
2. Awọn ẹrọ itanna iyara giga:Nítorí ìṣíkiri elekitironi gíga wọn, a ń lo àwọn wafer InSb nínú àwọn ẹ̀rọ itanna oníyára gíga bíi transistors oníyára gíga, àwọn ẹ̀rọ quantum well, àti àwọn transistors oníyára elekitironi gíga (HEMTs).
3. Awọn Ẹrọ Kanga Kuatomu:Ìwọ̀n tóóró àti ìṣíkiri elekitironi tó dára jùlọ mú kí àwọn wafer InSb dára fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ kanga quantum. Àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí jẹ́ àwọn èròjà pàtàkì nínú àwọn ẹ̀rọ laser, detectors, àti àwọn ètò optoelectronic mìíràn.
4. Awọn Ẹrọ Spintronic:Wọ́n tún ń ṣe àwárí InSb nínú àwọn ohun èlò spintronic, níbi tí a ti ń lo electron spin fún ṣíṣe ìwífún. Ìsopọ̀ spin-orbit kékeré tí ohun èlò náà ní mú kí ó dára fún àwọn ẹ̀rọ iṣẹ́ gíga wọ̀nyí.
5. Awọn Ohun elo Itanna Terahertz (THz):Àwọn ẹ̀rọ tí ó dá lórí InSb ni a ń lò nínú àwọn ohun èlò ìtànṣán THZ, títí bí ìwádìí sáyẹ́ǹsì, àwòrán, àti ìṣàfihàn ohun èlò. Wọ́n ń mú kí àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ tó ti ní ìlọsíwájú bíi THZ spectroscopy àti THZ imager systems ṣiṣẹ́.
6. Awọn Ẹrọ Thermoelectric:Àwọn ànímọ́ àrà ọ̀tọ̀ ti InSb mú kí ó jẹ́ ohun èlò tó fani mọ́ra fún àwọn ohun èlò ooru, níbi tí a ti lè lò ó láti yí ooru padà sí iná mànàmáná lọ́nà tó dára, pàápàá jùlọ nínú àwọn ohun èlò bíi ìmọ̀-ẹ̀rọ ààyè tàbí ìṣẹ̀dá agbára ní àwọn àyíká tó le koko.
Àwọn Ìpínrọ̀ Ọjà
| Pílámẹ́rà | 2-inch | 3-inch | 4-inch |
| Iwọn opin | 50.8±0.3mm | 76.2±0.3mm | - |
| Sisanra | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Ilẹ̀ | Ti a ti dan/Irun | Ti a ti dan/Irun | Ti a ti dan/Irun |
| Irú Dídín-ó-nǹkan-ṣe-oògùn | Tí a kò mu oògùn olóró, tí a ti mu oògùn olóró (N), tí a ti mu oògùn olóró (P) | Tí a kò mu oògùn olóró, tí a ti mu oògùn olóró (N), tí a ti mu oògùn olóró (P) | Tí a kò mu oògùn olóró, tí a ti mu oògùn olóró (N), tí a ti mu oògùn olóró (P) |
| Ìtọ́sọ́nà | (100) | (100) | (100) |
| Àpò | Ẹnìkan | Ẹnìkan | Ẹnìkan |
| Epi-Ready | Bẹ́ẹ̀ni | Bẹ́ẹ̀ni | Bẹ́ẹ̀ni |
Àwọn Ìlànà Ìmọ́lẹ̀ fún Te Doped (N-Irú):
- Ìṣíkiri: 2000-5000 cm²/V·s
- Àìfaradà: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Àbùkù Ìwọ̀n): ≤2000 àbùkù/cm²
Àwọn Pílámítà Oníná fún Ge Doped (Irú P):
- Ìṣíkiri: 4000-8000 cm²/V·s
- Àìfaradà: (0.5-5) Ω·cm
- EPD (Àbùkù Ìwọ̀n): ≤2000 àbùkù/cm²
Ìparí
Àwọn wafer Indium Antimonide (InSb) jẹ́ ohun èlò pàtàkì fún onírúurú àwọn ohun èlò tó ń ṣiṣẹ́ dáadáa nínú ẹ̀ka ẹ̀rọ itanna, optoelectronics, àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ infrared. Pẹ̀lú ìṣíkiri elekitironi tó dára, ìsopọ̀ spin-orbit tó lọ́ra, àti onírúurú àwọn àṣàyàn doping (Te fún N-type, Ge fún P-type), àwọn wafer InSb dára fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ bíi infrared detectors, high-quish-transistor, quantum well devices, àti spintronic devices.
Àwọn wafer náà wà ní onírúurú ìwọ̀n (2-inch, 3-inch, àti 4-inch), pẹ̀lú ìṣàkóso ìwọ̀n tí ó péye àti àwọn ojú ilẹ̀ tí a ti ṣe tán láti fi ṣe é, èyí tí ó ń rí i dájú pé wọ́n bá àwọn ìbéèrè líle ti iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor òde òní mu. Àwọn wafer wọ̀nyí dára fún lílò ní àwọn ẹ̀ka bí ìwádìí IR, ẹ̀rọ itanna oníyára gíga, àti ìtànṣán THZ, èyí tí ó ń mú kí àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ tó ti ní ìlọsíwájú nínú ìwádìí, iṣẹ́, àti ààbò.
Àwòrán Àlàyé
