Ìtọ́sọ́nà irú Ntype P 111 100 tí kò ní ìyípadà Infurarẹẹdi, InSb wafer 2inch, 3inch, àti 111 100 fún àwọn Olùṣàwárí Infurarẹẹdi

Ìtọ́sọ́nà irú Ntype P tí kò ní àwọ̀ 2inch àti 3inch InSb wafer 111 100 fún àwọn Olùṣàwárí Infrared Àwòrán tí a fi hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn wafer Indium Antimonide (InSb) jẹ́ àwọn ohun èlò pàtàkì tí a ń lò nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ ìwádìí infrared nítorí pé wọ́n ní ìwọ̀n tóóró àti ìṣíkiri elekitironi gíga. Wọ́n wà ní ìwọ̀n 2-inch àti 3-inch, àwọn wafer wọ̀nyí ni a ń fúnni ní àwọn ìyàtọ̀ irú N-type, N-type, àti P. A ṣe àwọn wafer náà pẹ̀lú àwọn ìtọ́sọ́nà 100 àti 111, èyí tí ó ń fúnni ní ìyípadà fún onírúurú ìwádìí infrared àti semiconductor. Ìmọ́lẹ̀ gíga àti ariwo kékeré ti àwọn wafer InSb mú kí wọ́n dára fún lílò nínú àwọn awamọ̀ infrared mid-wavelength (MWIR), àwọn ètò àwòrán infrared, àti àwọn ohun èlò optoelectronic mìíràn tí ó nílò agbára ìṣe tó péye àti agbára iṣẹ́ gíga.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn aṣayan Doping:
1. Tí a kò tíì mu:Àwọn wafer wọ̀nyí kò ní oògùn doping kankan, a sì máa ń lò wọ́n fún àwọn ohun èlò pàtàkì bíi epitaxial growth, níbi tí wafer náà ti ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò tí ó mọ́.
Iru 2.N (Ti a ti mu doped):A lo Tellurium (Te) doping lati ṣẹda awọn wafers iru N, ti o funni ni gbigbe elekitironi giga ati ṣiṣe wọn dara fun awọn ẹrọ wiwa infrared, awọn ẹrọ itanna iyara giga, ati awọn ohun elo miiran ti o nilo sisan elekitironi ti o munadoko.
Iru-P 3. (Ge Doped):A lo oògùn Germanium (Ge) láti ṣẹ̀dá àwọn wafers irú P, èyí tí ó ń fúnni ní ìṣíkiri ihò gíga àti pé ó ń fúnni ní iṣẹ́ tó dára jùlọ fún àwọn sensọ infrared àti àwọn photodetectors.

Àwọn Àṣàyàn Ìwọ̀n:
1. Àwọn wafers náà wà ní ìwọ̀n ìbú 2-inch àti 3-inch. Èyí ń mú kí ó bá onírúurú iṣẹ́ àti ẹ̀rọ ìṣẹ̀dá semiconductor mu.
2. Wafer oní-2-inch náà ní ìwọ̀n ila opin 50.8±0.3mm, nígbà tí wafer oní-3-inch náà ní ìwọ̀n ila opin 76.2±0.3mm.

Ìtọ́sọ́nà:
1. Àwọn wafers wà pẹ̀lú ìtọ́sọ́nà 100 àti 111. Ìtọ́sọ́nà 100 dára fún àwọn ẹ̀rọ itanna àti àwọn ohun èlò infurarẹẹdi oníyàrá gíga, nígbàtí ìtọ́sọ́nà 111 sábà máa ń jẹ́ fún àwọn ẹ̀rọ tí ó nílò àwọn ohun èlò iná mànàmáná tàbí ohun èlò ìrísí ojú kan pàtó.

Dídára ojú ilẹ̀:
1. Àwọn wafer wọ̀nyí wá pẹ̀lú àwọn ojú ilẹ̀ dídán/aláwọ̀ tí a fi ewé ṣe fún dídára tó dára, èyí tó ń mú kí iṣẹ́ wọn dára jùlọ nínú àwọn ohun èlò tó nílò àwọn ànímọ́ opitika tàbí iná mànàmáná.
2. Igbaradi oju ilẹ n ṣe idaniloju iwuwo abawọn kekere, ti o jẹ ki awọn wafers wọnyi dara julọ fun awọn ohun elo wiwa infrared nibiti iduroṣinṣin iṣẹ ṣe pataki.

Epi-Ready:
1. Àwọn wafer wọ̀nyí ti ṣetán láti lo epi-prepared, èyí tí ó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò tí ó ní í ṣe pẹ̀lú ìdàgbàsókè epitaxial níbi tí a ó ti fi àwọn ohun èlò afikún sí orí wafer fún ìṣiṣẹ́ semiconductor tàbí ẹ̀rọ optoelectronic tó ti ní ìlọsíwájú.

Àwọn ohun èlò ìlò

1. Àwọn Olùṣàwárí Infrared:Àwọn wafer InSb ni a ń lò fún ṣíṣe àwọn ohun tí ń ṣe àyẹ̀wò infrared, pàápàá jùlọ ní àwọn ìwọ̀n infrared àárín-wavelength (MWIR). Wọ́n ṣe pàtàkì fún àwọn ètò ìran alẹ́, àwòrán ooru, àti àwọn ohun èlò ológun.
2. Àwọn Ètò Àwòrán Infrared:Ìfàmọ́ra gíga ti àwọn wafers InSb gba ààyè fún àwòrán infrared tí ó péye ní onírúurú ẹ̀ka, títí bí ààbò, ìṣọ́ra, àti ìwádìí ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì.
3. Awọn ẹrọ itanna iyara giga:Nítorí ìṣíkiri elekitironi giga wọn, a lo awọn wafers wọnyi ninu awọn ẹrọ itanna to ti ni ilọsiwaju gẹgẹbi awọn transistors iyara giga ati awọn ẹrọ optoelectronic.
4. Awọn Ẹrọ Kanga Kuatomu:Àwọn wafer InSb dára fún lílo kànga quantum nínú àwọn lésà, àwọn ẹ̀rọ ìwádìí, àti àwọn ètò optoelectronic mìíràn.

Àwọn Ìpínrọ̀ Ọjà

Pílámẹ́rà	2-inch	3-inch
Iwọn opin	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm
Sisanra	500±5μm	650±5μm
Ilẹ̀	Ti a ti dan/Irun	Ti a ti dan/Irun
Irú Dídín-ó-nǹkan-ṣe-oògùn	Tí a kò mu oògùn olóró, tí a ti mu oògùn olóró (N), tí a ti mu oògùn olóró (P)	Tí a kò mu oògùn olóró, tí a ti mu oògùn olóró (N), tí a ti mu oògùn olóró (P)
Ìtọ́sọ́nà	100, 111	100, 111
Àpò	Ẹnìkan	Ẹnìkan
Epi-Ready	Bẹ́ẹ̀ni	Bẹ́ẹ̀ni

Àwọn Ìlànà Ìmọ́lẹ̀ fún Te Doped (N-Irú):

Ìṣíkiri: 2000-5000 cm²/V·s
Àìfaradà: (1-1000) Ω·cm
EPD (Àbùkù Ìwọ̀n): ≤2000 àbùkù/cm²

Àwọn Pílámítà Oníná fún Ge Doped (Irú P):

Ìṣíkiri: 4000-8000 cm²/V·s
Àìfaradà: (0.5-5) Ω·cm

EPD (Àbùkù Ìwọ̀n): ≤2000 àbùkù/cm²

Ìbéèrè àti Ìdáhùn (Àwọn Ìbéèrè Tí A Máa Ń Béèrè)

Q1: Kini iru doping ti o dara julọ fun awọn ohun elo wiwa infurarẹẹdi?

A1:Te-doped (Iru N)Àwọn wafers sábà máa ń jẹ́ àṣàyàn tó dára jùlọ fún àwọn ohun èlò ìwádìí infrared, nítorí wọ́n ní ìṣíkiri elekitironi gíga àti iṣẹ́ tó dára jùlọ nínú àwọn ohun èlò ìwádìí infrared mid-wavelength (MWIR) àti àwọn ètò àwòrán.

Q2: Ṣe mo le lo awọn wafers wọnyi fun awọn ohun elo itanna iyara giga?

A2: Bẹ́ẹ̀ni, àwọn ìṣẹ́ InSb, pàápàá jùlọ àwọn tí wọ́n níIru N-dopingàtiÌtọ́sọ́nà 100, wọ́n yẹ fún àwọn ẹ̀rọ itanna oníyára gíga bíi transistors, àwọn ẹ̀rọ kanga quantum, àti àwọn èròjà optoelectronic nítorí ìṣíkiri elekitironi gíga wọn.

Q3: Kí ni ìyàtọ̀ láàárín àwọn ìtọ́sọ́nà 100 àti 111 fún àwọn wafers InSb?

A3: Àwọn100itọsọna ni a maa n lo fun awọn ẹrọ ti o nilo iṣẹ itanna iyara giga, lakoko ti111A maa n lo itọsọna naa fun awọn ohun elo kan pato ti o nilo awọn abuda ina tabi opitika oriṣiriṣi, pẹlu awọn ẹrọ ati awọn sensọ optoelectronic kan.

Q4: Kí ni pàtàkì ẹ̀ya Epi-Ready fún àwọn wafers InSb?

A4: ÀwọnEpi-ReadyẸ̀yà ara rẹ̀ túmọ̀ sí wípé a ti ṣe ìtọ́jú wafer náà tẹ́lẹ̀ fún àwọn ìlànà ìpamọ́ epitaxial. Èyí ṣe pàtàkì fún àwọn ohun èlò tí ó nílò ìdàgbàsókè àwọn fẹlẹfẹlẹ afikún ti ohun èlò lórí wafer náà, bíi nínú ṣíṣe àwọn semiconductor tàbí àwọn ẹ̀rọ optoelectronic tó ti ní ìlọsíwájú.

Q5: Kí ni àwọn ohun tí a sábà máa ń lò fún àwọn wafer InSb nínú ẹ̀ka ìmọ̀-ẹ̀rọ infrared?

A5: Àwọn wafer InSb ni a sábà máa ń lò nínú wíwá infrared, àwòrán ooru, àwọn ètò ìran alẹ́, àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìmọ́ infrared mìíràn. Ìmọ́ra gíga wọn àti ariwo wọn tí kò pọ̀ mú kí wọ́n dára fúninfurarẹẹdi aarin-igbi-oorun (MWIR)àwọn ohun tí a fi ń ṣe àwárí.

Q6: Báwo ni sisanra ti wafer ṣe ní ipa lori iṣẹ rẹ?

A6: Sisanra wafer naa ṣe ipa pataki ninu iduroṣinṣin ẹrọ ati awọn abuda ina mọnamọna rẹ. A maa n lo awọn wafer tinrin ni awọn ohun elo ti o ni imọlara diẹ sii nibiti a nilo iṣakoso deede lori awọn ohun-ini ohun elo, lakoko ti awọn wafer ti o nipọn pese agbara ti o pọ si fun awọn ohun elo ile-iṣẹ kan.

Q7: Báwo ni mo ṣe lè yan ìwọ̀n wafer tó yẹ fún ohun èlò mi?

A7: Ìwọ̀n wafer tó yẹ sinmi lórí ẹ̀rọ tàbí ètò pàtó tí a ń ṣe. Àwọn wafer kéékèèké (2-inch) ni a sábà máa ń lò fún ìwádìí àti àwọn ohun èlò kéékèèké, nígbàtí àwọn wafer ńlá (3-inch) ni a sábà máa ń lò fún ìṣẹ̀dá púpọ̀ àti àwọn ẹ̀rọ ńlá tí ó nílò ohun èlò púpọ̀ sí i.

Ìparí

Àwọn ìṣẹ́ àpò InSb nínú2-inchàti3-inchawọn iwọn, pẹlutí a kò tún ṣe mọ́, Irú N-N, àtiIrú-PÀwọn ìyàtọ̀, níye lórí gidigidi nínú àwọn ohun èlò semiconductor àti optoelectronic, pàápàá jùlọ nínú àwọn ètò ìwádìí infurarẹẹdi.100àti111Àwọn ìtọ́sọ́nà ń fúnni ní ìyípadà fún onírúurú àìní ìmọ̀-ẹ̀rọ, láti ẹ̀rọ itanna iyara gíga sí àwọn ètò àwòrán infurarẹẹdi. Pẹ̀lú ìṣíkiri elekitironi tí ó tayọ wọn, ariwo kékeré, àti dídára ojú ilẹ̀ tí ó péye, àwọn wafer wọ̀nyí dára fúnàwọn ohun tí ń ṣe àwárí infurarẹẹdi àárín-ìgbìàti àwọn ohun èlò mìíràn tó ga jùlọ.