Àwọn Ingots Lithium Tantalate LiTaO3 pẹ̀lú Fe/Mg Doping Àṣàyàn 4inch 6inch 8inch fún Ìmọ̀ràn Ilé-iṣẹ́

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn Ingots LiTaO3 (Lithium Tantalate Ingots), gẹ́gẹ́ bí ohun èlò pàtàkì fún àwọn semiconductors ìran kẹta tí wọ́n ń lo bí ẹ̀rọ ìbánisọ̀rọ̀ àti optoelectronics, ń lo ìwọ̀n otútù Curie gíga wọn (607)°C), iwọn ìfihàn gbangba gbooro (400–5,200 nm), iye asopọ elekitiromekaniki ti o tayọ (Kt² >15%), ati pipadanu dielectric kekere (tanδ <2%) lati yi iyipada pada si awọn ibaraẹnisọrọ 5G, iṣiro kuatomu, ati isọdọkan photonic. Nipasẹ awọn imọ-ẹrọ iṣelọpọ ilọsiwaju gẹgẹbi gbigbe afẹfẹ ti ara (PVT) ati deposition vapor kemikali (CVD), a pese awọn ingots X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ati lorekore poled (PPLT) ni awọn alaye 3–8-inch, ti o ni iwuwo micropipe <0.1 cm⁻² ati dislocation density <500 cm⁻². Awọn iṣẹ wa pẹlu doping Fe/Mg, awọn itọsọna wave exchange proton, ati isọdọkan heterogeneous ti o da lori silicon (POI), ti n koju awọn asẹ opitika ti o ga julọ, awọn orisun ina kuatomu, ati awọn ẹrọ wiwa infrared. Ohun elo yii n ṣe awakọ awọn aṣeyọri ni miniaturization, iṣẹ igbohunsafẹfẹ giga, ati iduroṣinṣin ooru, ni iyara rirọpo ile ati ilọsiwaju imọ-ẹrọ.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Ìlànà ìpele	Àṣà àtijọ́	Pípé Gíga
Àwọn Ohun Èlò	Àwọn ìṣẹ́pọ̀ LiTaO3(LT)/LiNbO3	Àwọn ìṣẹ́pọ̀ LiTaO3(LT)/LiNbO3
Ìtọ́sọ́nà	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
Parallel	30″	10''
Píndíọ̀lù	10′	5'
Dídára ojú ilẹ̀	40/20	20/10
Ìyípadà Etí Òkun	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Pípẹ́ ojú ilẹ̀	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Fífẹ́ẹ́rẹ́fẹ́ mọ́	>90%	>90%
Kámúfárì	<0.2×45°	<0.2×45°
Ìfarada sí Sisanra/Iwọn Iwọ̀n	±0.1 mm	±0.1 mm
Àwọn ìwọ̀n tó pọ̀ jùlọ	dia150×50mm	dia150×50mm

Awọn iṣẹ XKH

1. Ṣíṣe Ingot Oníwọ̀n Ńláo

Ìwọ̀n àti Gígé: Àwọn ingots 3–8-inch pẹ̀lú X/Y/Z-ge, 42°Y-ge, àti àwọn ìge igun àṣà (±0.01° ifarada).

Ìṣàkóso Ìtọ́jú ...

2. Awọn Imọ-ẹrọ Ilana To ti ni ilọsiwajuo

Ìṣọ̀kan Onírúurú: Àwọn wafers oníṣọ̀kan LiTaO3 tí a fi silicon ṣe (POI) pẹ̀lú ìṣàkóso sísanra (300–600 nm) àti ìyípadà ooru tó tó 8.78 W/m·K fún àwọn àlẹ̀mọ́ SAW onígbà púpọ̀.

Ṣíṣe ìtọ́sọ́nà Waveguide: Àwọn ọ̀nà ìyípadà Proton (PE) àti reverse proton exchange (RPE), tí ó ń ṣàṣeyọrí àwọn ìtọ́sọ́nà waveguide submicron (Δn >0.7) fún àwọn modulators electro-optic iyara gíga (bandwidth >40 GHz).

3. Awọn Eto Isakoso Didara

Ìdánwò Ìparí-sí-Opin: Ìwòran Raman (ìjẹ́rìísí onírúurú), XRD (kirisitalinítì), AFM (ìrísí ojú ilẹ̀), àti ìdánwò ìṣọ̀kan ojú (Δn <5×10⁻⁵).

4. Atilẹyin Pẹpẹ Ipese Kariaye

Agbara Iṣelọpọ: Ijade oṣooṣu ju 5,000 ingots (8-inch: 70%) lọ, ti o ṣe atilẹyin ifijiṣẹ pajawiri wakati 48.

Nẹ́ẹ̀tìwọ́ọ̀kì Àwọn Ohun Èlò: Iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ní Yúróòpù, Àríwá Amẹ́ríkà, àti Éṣíà-Pàsífíìkì nípasẹ̀ ẹrù afẹ́fẹ́/okun pẹ̀lú àpò tí a ṣàkóso ní ìwọ̀n otútù.

5. Ìdàgbàsókè Ìmọ̀-ẹ̀rọ

Àwọn Ilé Ìwádìí àti Ìdánilẹ́kọ̀ọ́ Àpapọ̀: Ṣe àjọṣepọ̀ lórí àwọn ìpèsè ìṣọ̀kan fọ́tòníkì (fún àpẹẹrẹ, ìsopọ̀ fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ SiO2 tí ó dínkù díẹ̀).

Àkótán

Àwọn Ingots LiTaO3 ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí àwọn ohun èlò pàtàkì tí wọ́n ń tún àwọn ẹ̀rọ optoelectronics àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ kuatomu ṣe. Nípasẹ̀ àwọn ìdàgbàsókè nínú ìdàgbàsókè kírísítà (fún àpẹẹrẹ, PVT), ìdínkù àbùkù, àti ìṣọ̀kan onírúurú (fún àpẹẹrẹ, POI), a ń fi àwọn ojútùú tó lágbára, tó sì gbéṣẹ́ fún ìbánisọ̀rọ̀ 5G/6G, ìṣirò kuatomu, àti IoT ilé iṣẹ́ hàn. Ìfẹ́ XKH sí ìdàgbàsókè ìdínkù àbùkù ingot àti fífẹ̀ iṣẹ́ 8-inch mú kí àwọn oníbàárà ṣe aṣáájú nínú àwọn ẹ̀wọ̀n ìpèsè kárí ayé, èyí tí ó ń darí àkókò tí ó tẹ̀lé ti àwọn ètò ìṣiṣẹ́ semiconductor onípele-bandgap.