Àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ N-Irú SiC Dia6inch monocrystaline tó ga àti ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ tó dáa díẹ̀
Àwọn ohun èlò ìṣàpọ̀ SiC N-Irú Tábìlì paramita tó wọ́pọ̀
| 项目Àwọn ohun kan | 指标Ìlànà ìpele | 项目Àwọn ohun kan | 指标Ìlànà ìpele |
| 直径Iwọn opin | 150±0.2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Iwaju (Si-oju) rirọ | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Irú onípele púpọ̀ | 4H | Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́, Ìfà, Ìfọ́ (àyẹ̀wò ojú) | Kò sí |
| 电阻率Àìfaradà | 0.015-0.025ohm ·cm | 总厚度变化TV | ≤3μm |
| Sisanra Layer Gbigbe | ≥0.4μm | 翘曲度Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ | ≤35μm |
| 空洞Òfo | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Sisanra | 350±25μm |
Àmì "N-type" tọ́ka sí irú doping tí a lò nínú àwọn ohun èlò SiC. Nínú fisiksi semiconductor, doping ní í ṣe pẹ̀lú mímọ̀ọ́mọ̀ fi àwọn ohun àìmọ́ sínú semiconductor láti yí àwọn ànímọ́ iná mànàmáná rẹ̀ padà. Doping irú N-type mú àwọn èròjà tí ó ń pèsè àfikún àwọn elekitironi ọ̀fẹ́, tí ó ń fún ohun èlò náà ní ìṣọ̀kan onígbèsè tí kò dára.
Àwọn àǹfààní ti àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ SiC ti N-type ni:
1. Iṣẹ́ otutu gíga: SiC ní agbára ooru gíga, ó sì lè ṣiṣẹ́ ní àwọn iwọn otutu gíga, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò itanna onígbà gíga àti onígbà gíga.
2. Fólítììjì tó ga jùlọ: Àwọn ohun èlò SiC ní fólítììjì tó ga jùlọ, èyí tó ń jẹ́ kí wọ́n lè kojú àwọn pápá iná mànàmáná tó ga láìsí ìbàjẹ́ iná mànàmáná.
3. Àìfaradà kẹ́míkà àti àyíká: SiC jẹ́ alágbára láti lo kẹ́míkà, ó sì lè kojú àwọn ipò àyíká líle koko, èyí tó mú kí ó dára fún lílò nínú àwọn ohun èlò tó le koko.
4. Idinku agbara: Ti a ba fiwera pelu awon ohun elo ti a fi silikoni se ibile, awon ohun elo SiC n mu ki iyipada agbara to munadoko siwaju sii ati dinku pipadanu agbara ninu awon ero itanna.
5. Ìwọ̀n ìpele tó gbòòrò: SiC ní ìwọ̀n ìpele tó gbòòrò, èyí tó ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ itanna tó lè ṣiṣẹ́ ní ìwọ̀n otútù tó ga àti agbára tó ga jù.
Ni gbogbogbo, awọn ohun elo idapọmọra SiC iru N nfunni ni awọn anfani pataki fun idagbasoke awọn ẹrọ itanna ti o ni iṣẹ giga, paapaa ni awọn ohun elo nibiti iṣẹ otutu giga, iwuwo agbara giga, ati iyipada agbara ti o munadoko ṣe pataki.


