N-Iru SiC Composite Substrates Dia6inch Didara monocrystaline Didara ati sobusitireti didara kekere
N-Iru SiC Composite Substrates Wọpọ tabili paramita
项目Awọn nkan | 指标Sipesifikesonu | 项目Awọn nkan | 指标Sipesifikesonu |
直径Iwọn opin | 150± 0.2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Iwaju (Si-oju) kunkun | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
晶型Polytype | 4H | Chip Edge, Scratch, Crack (ayẹwo wiwo) | Ko si |
电阻率Resistivity | 0.015-0.025ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
Gbigbe Layer Sisanra | ≥0.4μm | 翘曲度Ogun | ≤35μm |
空洞ofo | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Sisanra | 350± 25μm |
Ipilẹṣẹ "N-type" n tọka si iru doping ti a lo ninu awọn ohun elo SiC. Ninu fisiksi semikondokito, doping jẹ ifihan imomose ti awọn aimọ sinu semikondokito lati paarọ awọn ohun-ini itanna rẹ. N-Iru doping ṣafihan awọn eroja ti o pese apọju ti awọn elekitironi ọfẹ, fifun ohun elo naa ni ifọkansi ti ngbe idiyele odi.
Awọn anfani ti N-type SiC composite substrates pẹlu:
1. Iwọn otutu ti o ga julọ: SiC ni o ni agbara ti o ga julọ ati pe o le ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu ti o ga julọ, ti o jẹ ki o dara fun awọn ohun elo itanna ti o ga julọ ati ti o ga julọ.
2. Iwọn fifọ fifọ giga: Awọn ohun elo SiC ni foliteji didenukole giga, ti o jẹ ki wọn le koju awọn aaye ina mọnamọna giga laisi idinku itanna.
3. Kemikali ati idena ayika: SiC jẹ sooro kemikali ati pe o le koju awọn ipo ayika lile, ti o jẹ ki o dara fun lilo ninu awọn ohun elo ti o nija.
4. Idinku agbara ti o dinku: Ti a bawe si awọn ohun elo ti o da lori ohun alumọni ti aṣa, awọn sobusitireti SiC jẹ ki iyipada agbara daradara diẹ sii ati dinku pipadanu agbara ni awọn ẹrọ itanna.
5. Wide bandgap: SiC ni iwọn bandgap ti o pọju, gbigba idagbasoke awọn ẹrọ itanna ti o le ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu ti o ga julọ ati awọn iwuwo agbara ti o ga julọ.
Lapapọ, awọn sobusitireti akojọpọ SiC iru N funni ni awọn anfani pataki fun idagbasoke awọn ẹrọ itanna ti o ga julọ, pataki ni awọn ohun elo nibiti iṣẹ iwọn otutu giga, iwuwo agbara giga, ati iyipada agbara daradara jẹ pataki.