N-Iru SiC lori Si Composite Substrates Dia6inch
| 等级Ipele | U | P级 | D级 |
| Ipele BPD kekere | Ipele Iṣelọpọ | Ipele Dídán | |
| 直径Iwọn opin | 150.0 mm±0.25mm | ||
| 厚度Sisanra | 500 μm±25μm | ||
| 晶片方向Ìtọ́sọ́nà Wafer | Ìpín tí ó wà ní ìsàlẹ̀: 4.0° sí < 11-20 > ±0.5° fún 4H-N. Ní ìsàlẹ̀: <0001>±0.5°fún 4H-SI | ||
| 主定位边方向Ilé Àkọ́bẹ̀rẹ̀ | {10-10}±5.0° | ||
| 主定位边长度Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 47.5 mm±2.5 mm | ||
| 边缘Ìyọkúrò etí | 3 mm | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/ Teriba / Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD&BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率Àìfaradà | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Ríru | Pólándì Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0.5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Kò sí | Gígùn àpapọ̀ ≤10mm, gígùn kan ṣoṣo ≤2mm | |
| Awọn fifọ nipasẹ imọlẹ kikankikan giga | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Agbegbe apapọ ≤1% | Agbegbe apapọ ≤5% | |
| Àwọn Àwo Hex nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ gíga | |||
| 多型(强光灯观测)* | Kò sí | Agbegbe apapọ≤5% | |
| Àwọn agbègbè onírúurú nípa ìmọ́lẹ̀ gíga | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | Àwọn ìfọ́ mẹ́ta sí 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer | Àwọn ìfọ́ 5 sí 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |
| Àwọn ìfọ́ nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | gígùn àpapọ̀ | gígùn àpapọ̀ | |
| 崩边# Ẹ̀kún ẹ̀gbẹ́ | Kò sí | 5 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Kò sí | ||
| Ibajẹ nipasẹ imọlẹ kikankikan giga | |||
Àwòrán Àlàyé
